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1. 发明公开

KR1020160128927A 산화 그래핀 제조 공정 审中-实审
标题翻译：石墨氧化物的制造工艺
公开(公告)号：KR1020160128927A
公开(公告)日：2016-11-08
申请号：KR1020160052683
申请日：2016-04-29
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 손정익 , 송용성 , 박휴범
IPC分类号： C01B31/04
CPC分类号： C01B32/182 , C01B32/19 , C01B32/194 , C01B32/23 , C01P2004/61
摘要： 본발명은, 판상흑연계물질, 산용액및 산화제를반응시켜서산화그래핀을합성하는단계; 상기반응의반응물을합성산화그래핀과산폐액으로분리하는단계; 상기분리된산폐액으로부터산 용액및 산화제를회수하여산화그래핀합성단계에재투입하는단계; 및상기분리된산화그래핀을세척하여산화그래핀을수득하는단계를포함하는산화그래핀의제조공정에관한것이다. 본발명의산화그래핀제조공정에의하면, 테일러와류를이용한연속식반응기에서그래파이트의산화반응이이루어지므로반응기내 반응혼합물의점성이낮아, 추가로탈이온수등을공급하지않고도산화그래핀과산폐액을분리할수 있으며, 분리된산폐액을다시그래파이트등의판상흑연계물질을산화시키는데이용할수 있어, 공정시간을단축할수 있을뿐만아니라, 대용량의산화그래핀을고효율및 경제적으로제조할수 있다.

2. 发明授权

KR101395866B1 절연막 함유 기판의 화학 기계적 연마 조성물 有权
标题翻译：电化学机械抛光组合物
公开(公告)号：KR101395866B1
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：KR1020080044931
申请日：2008-05-15
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 박휴범 , 박종관 , 김대성 , 안정률
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 본 발명은 절연막을 함유하는 반도체 소자 연마시에 사용되는 화학 기계적 연마 조성물과 상기 조성물을 이용한 화학 기계적 연마 방법에 관한 것이다. 이 조성물은, 특히, 반도체 소자의 하부 분리(isolation) CMP(Chemical Mechanical polishing) 공정에 유용한 것이며, 절연막부의 디싱(dishing) 발생을 억제하는 기능을 가지는 디싱 억제제를 함유하는 연마조성물에 관한 것이다.
화학 기계적 연마, CMP, 절연막, 디싱

3. 发明授权

KR101243331B1 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：化学机械抛光浆料组合物及使用其的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR101243331B1
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：KR1020100130258
申请日：2010-12-17
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 한덕수 , 김환철 , 김석주 , 박휴범
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
摘要： 본 발명은 화학 기계적 연마 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 아미노 실란으로 표면 처리된 연마제 0.1 내지 20 중량%, 아미노산, 아미노산의 유도체, 이들의 염 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 첨가제 0.001 내지 5 중량%, 부식방지제 0.0001 내지 0.5중량%, 산화제 0.01 내지 5중량%, 그리고 나머지 함량의 용매를 포함한다.
상기 화학 기계적 연마 슬러리 조성물은 실리콘 산화막의 연마 속도가 획기적으로 높고, 실리콘 질화막의 제거를 선택적으로 막아주며, 연마 불균형을 일으키지 않고, 우수한 평탄도를 얻을 수 있으며, 경시 안정성 및 분산 안정성이 우수하여 파티클의 발생 및 스크래치가 낮아 베리어 금속 및 산화물 연마 표면이 매우 양호하다.

4. 发明授权

KR101206076B1 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：化学机械抛光浆料组合物及其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101206076B1
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020100139059
申请日：2010-12-30
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 김동현 , 박휴범 , 안정율 , 박종관
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 본 발명은 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 산화세륨 0.01 내지 5 중량%, 아미노 술폰산 0.001 내지 10 중량%, 카르복실기 및 하이드록시기를 포함하는 화합물 0.001 내지 10 중량%, 그리고 나머지 함량의 용매를 포함하며, pH 1 내지 7의 범위에서 제타 포텐셜 값이 양의 값을 가진다.
상기 화학 기계적 연마 슬러리 조성물은 반도체 소자 제조 중 단차가 큰 요철부를 가지는 패턴 웨이퍼를 적은 양으로 빠르게 연마할 수 있으며, 실리콘 질화막의 제거속도 또한 극히 낮은 상태를 유지하여 실리콘 산화막과 실리콘 질화막 연마의 선택성을 요구하는 공정에 사용할 수 있다.

5. 发明公开

KR1020120067701A 화학 기계적 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법 有权
标题翻译：用于化学机械抛光的浆料组合物及其制备半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020120067701A
公开(公告)日：2012-06-26
申请号：KR1020100129247
申请日：2010-12-16
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 안상호 , 김석주 , 한덕수 , 박휴범
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to polish a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a polysilicon film with polishing selectivity of 0.5-2.0. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing slurry composition comprises colloidal silica, oxalic acid, and solvent. The colloidal silica has the ratio of average particle size of primary particles to secondary particles is 1:1-1:1.5. The average particle diameter of primary particle is 10-100 nm. A manufacturing method of the semiconductor device comprises a step of polishing one layer selected from a group consisting of a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, and a polysilicon layer, and combinations thereof by using the slurry composition.
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光浆料组合物，以抛光选择性为0.5-2.0来抛光氧化硅膜，氮化硅膜和多晶硅膜。构成：化学机械抛光浆料组合物包含胶体二氧化硅，草酸和溶剂。胶体二氧化硅的一次粒子与二次粒子的平均粒径的比例为1:1-1:1.5。一次粒子的平均粒径为10〜100nm。半导体器件的制造方法包括通过使用该浆料组合物来研磨从由氧化硅层，氮化硅层和多晶硅层组成的组中选择的一层及其组合的步骤。

6. 发明公开

KR1020100034813A 산화세륨 수분산액의 제조방법 有权
标题翻译：一种制备氧化铈氧化物分散体的方法
公开(公告)号：KR1020100034813A
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：KR1020080093995
申请日：2008-09-25
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 안정율 , 박휴범 , 박종관 , 김대성
IPC分类号： C09K3/14
摘要： PURPOSE: A method for preparing aqueous cerium oxide dispersion is provided to suppress scratch generation by controlling crushing and classification conditions and to improve yield and productivity due to a simple manufacturing process. CONSTITUTION: A method for preparing aqueous cerium oxide dispersion comprises the steps of: pulverizing and dispersing cerium oxide powder; and classifying the pulverized and dispersed cerium oxide powder. A ratio(MS/CS) of a secondary particle diameter average(MS) after pulverization to a secondary particle diameter average(CS) after dispersion is 1.2-1.6.
摘要翻译：目的：提供一种制备氧化铈水分散体的方法，通过控制破碎和分级条件来抑制刮擦产生，并通过简单的制造工艺提高产率和生产率。构成：制备氧化铈水分散体的方法包括以下步骤：粉碎和分散二氧化铈粉末; 并分选粉碎和分散的氧化铈粉末。粉碎后的二次粒径平均值（MS）与分散后的二次粒径平均值（CS）的比（MS / CS）为1.2〜1.6。

7. 发明公开

KR1020100011030A 폴리실리콘 연마정지제를 함유하는 화학 기계적 연마조성물 有权
标题翻译：化学机械抛光组合物，包括聚硅烷抛光剂的停止剂
公开(公告)号：KR1020100011030A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：KR1020080072072
申请日：2008-07-24
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 박휴범 , 김대성 , 박종관 , 안정율
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing composition is provided to chemically and mechanically use a substrate containing an insulating layer and a poly-silicon polishing terminator, and to suppress the variation generation of electrical property using the polishing of the insulating layer required for high selectivity. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing composition comprises (i) a poly-silicon polishing terminator and (ii) at least one abrasive particle selected from the group consisting of silica, cerium oxide, zirconium oxide, aluminium oxide and zeolite. The poly-silicon polishing terminator is selected from: a compound which has 3 or more ethylene oxide groups (-CH2CH2O-) in a molecule and is branched molecule, its salt or mixture; a compound which at least one functional group ionized in an aqueous solution, its salt or mixture; and their mixture.
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光组合物以化学和机械方式使用含有绝缘层和多晶硅抛光终止剂的基材，并且通过使用高选择性所需的绝缘层的抛光来抑制电性能的变化。构成：化学机械抛光组合物包含（i）多晶硅抛光终止剂和（ii）至少一种选自二氧化硅，氧化铈，氧化锆，氧化铝和沸石的磨料颗粒。多硅抛光终止剂选自：分子中具有3个或更多个环氧乙烷基团（-CH 2 CH 2 O-）并且是支化分子的化合物，其盐或混合物; 在水溶液中离子化至少一个官能团的化合物，其盐或混合物; 和他们的混合物。

8. 发明公开

KR1020090119091A 절연막 함유 기판의 화학 기계적 연마 조성물 有权
标题翻译：电介质层的化学机械抛光组合物
公开(公告)号：KR1020090119091A
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：KR1020080044931
申请日：2008-05-15
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 박휴범 , 박종관 , 김대성 , 안정률
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing composition of a substrate containing a dielectric layer is provided to prevent the dishing of an insulating layer affecting bad effects to an electrical characteristic of a device in a polishing process a substrate simultaneously containing a hydrophilic insulating layer and hydrophobic polishing stop film. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing composition of a substrate containing a dielectric layer comprises a dishing inhibitor and polishing particles. The dishing inhibitor comprises two or more nitrogen atoms in one molecule, enables rotation along a bonding because nitrogen atoms are connected by (C2-C3)alkylene of a single bond, and is selected from the group consisting of an organic amine compound, its salts and their mixture, wherein the organic amine compound has 2-3 average carbon atoms which is directly connected per nitrogen atom. The polishing particles are selected from the group consisting of silica, cerium oxide, zirconium oxide, aluminum oxide and zeolite.
摘要翻译：目的：提供含有电介质层的基板的化学机械抛光组合物，以防止在同时含有亲水性绝缘层和疏水性抛光停止层的基板的抛光工艺中影响对装置的电特性的不良影响的绝缘层的凹陷电影。构成：含有电介质层的基板的化学机械抛光组合物包括凹陷抑制剂和抛光颗粒。所述凹陷抑制剂在一个分子中包含两个或更多个氮原子，由于氮原子通过单键的（C 2 -C 3）亚烷基连接而能够沿键合旋转，并且选自有机胺化合物，其盐和它们的混合物，其中有机胺化合物具有2-3个平均碳原子，其直接连接每个氮原子。抛光颗粒选自二氧化硅，氧化铈，氧化锆，氧化铝和沸石。

9. 发明公开

KR1020090026984A 절연막의 화학기계적 연마용 슬러리 조성물 无效
标题翻译：一种用于绝缘层化学机械抛光的浆料组合物
公开(公告)号：KR1020090026984A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：KR1020070092112
申请日：2007-09-11
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 김석주 , 박휴범
IPC分类号： C09K3/14
摘要： A slurry composition for chemical mechanical polishing is provided to ensure little scratch, high polishing speed to the insulating layer, and stability of the slurry. A slurry composition for chemical mechanical polishing for insulation layers comprises silica as an abrasive, a polishing accelerant, a pH adjusting agent and deionized water. The polishing accelerant is one or more mixtures selected from the group consisting of an organic acid, inorganic acid, amino acid, chelating agent and their salt.
摘要翻译：提供用于化学机械抛光的浆料组合物，以确保几乎没有刮痕，对绝缘层的高抛光速度和浆料的稳定性。用于绝缘层的化学机械抛光的浆料组合物包括二氧化硅作为研磨剂，抛光促进剂，pH调节剂和去离子水。抛光促进剂是选自有机酸，无机酸，氨基酸，螯合剂及其盐的一种或多种混合物。

10. 发明公开

KR1020090011355A 제올라이트를 함유하는 구리 화학 기계적 연마 조성물 无效
标题翻译：用于包含沸石的铜的化学机械抛光组合物
公开(公告)号：KR1020090011355A
公开(公告)日：2009-02-02
申请号：KR1020070074841
申请日：2007-07-26
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 김석주 , 박휴범 , 정은일
IPC分类号： C09K3/14
摘要： A chemical mechanical polishing composition for copper is provided to improve the polishing speed of a copper layer with to a small amount of complexing agent and oxidizer in the neutral region of pH 6.5~8.5, and to minimize the deformity of the copper layer due to low etching rate. A chemical mechanical polishing composition for copper comprises zeolite, oxidizer and glycine. The amount of glycine is 0.01-0.7 weight% based on the total weight of the polishing composition. The amount of zeolite is 0.1-7 weight% based on the total weight of the polishing composition. The average second particle diameter of zeolite in slurry is 10-1000 nm. The zeolite is selected from X-type, Y-shaped, 4A type or ZSM-5 type. The pH is controlled by a pH adjusting agent selected from potassium hydroxide(KOH), ammonium hydroxide(NH4OH), quaternary ammonium hydroxide, amine compound or nitric acid.
摘要翻译：提供了一种用于铜的化学机械抛光组合物，以在pH 6.5〜8.5的中性区域中提供少量络合剂和氧化剂的铜层的抛光速度，并且使由于低的铜层而导致的铜层的变形最小化蚀刻速率。用于铜的化学机械抛光组合物包括沸石，氧化剂和甘氨酸。基于抛光组合物的总重量，甘氨酸的量为0.01-0.7重量％。基于抛光组合物的总重量，沸石的量为0.1-7重量％。浆料中沸石的平均第二粒径为10-1000nm。沸石选自X型，Y型，4A型或ZSM-5型。 pH由选自氢氧化钾（KOH），氢氧化铵（NH 4 OH），季铵氢氧化物，胺化合物或硝酸的pH调节剂控制。

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