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1. 发明授权

KR101531055B1 촬상 장치, 고체 촬상 장치, 및 그 제조방법 有权
标题翻译：成像装置，固态成像装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101531055B1
公开(公告)日：2015-06-23
申请号：KR1020080099843
申请日：2008-10-10
申请人： 소니 주식회사
发明人： 오시야마이타루 , 안도다카시 , 히야마스스무 , 야마구치데쓰지 , 오기시유코 , 이케다하루미
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 본발명은충분한홀 축적층의실현과암전류의저감을동시에실시가능하게한다. 본발명은수광부(12)의수광면(12s)에형성된계면준위를낮추는막(21), 상기계면준위를낮추는막(12) 상에형성된음전하를띄는막(22), 상기수광부(12)의수광면(12s) 측에홀 축적은(23)이형성되어있는, 입사광을광전변환(photoelectric conversion)하는수광부(12)를포함하는고체촬상장치 1에관한것이다.

2. 发明公开

KR1020080034398A 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080034398A
公开(公告)日：2008-04-21
申请号：KR1020070103029
申请日：2007-10-12
申请人： 소니 주식회사
发明人： 다이가오리 , 쓰카모토마사노리 , 나카타마사시 , 오시야마이타루
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/76895 , H01L21/823871 , H01L29/66545
摘要： A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to restrain electric resistance increase of a gate electrode by forming gate electrodes which comprise different kinds of insulation gate MISFETs out of conductive materials having a desired work function value. A semiconductor device comprises an N-channel MISFET and a P-channel MISFET. A first insulating layer and a second insulating layer are formed on a substrate. Contact plugs for gate electrode(44A,44B) penetrate the second insulating layer, and are connected with each gate electrode of the MISFETs. Contact plugs for source/drain(45A,45B) penetrate the insulating layers, and are connected with each source/drain region of the MISFETs. Each gate electrode is buried into an opening for forming gate electrode which is formed on the first insulating layer. A gate electrode of the N-channel MISFET(32A) comprises a lower surface and a side surface made of a first conductive material. The gate electrode of the P-channel MISFET(32B) comprises the lower surface and the side surface made of a second conductive material which is different from the first conductive material. Conductive protection layers are formed on the upper surfaces of each gate electrode. The contact plug which is connected to the gate electrode of the N-channel MISFET is connected to the upper surface thereof through the protection layer, and the contact plug which is connected to the gate electrode of the P-channel MISFET is connected to the upper surface thereof through the protection layer.
摘要翻译：提供半导体器件及其制造方法，以通过从具有期望功函数值的导电材料中形成包括不同种类的绝缘栅极MISFET的栅电极来抑制栅电极的电阻增加。半导体器件包括N沟道MISFET和P沟道MISFET。在基板上形成第一绝缘层和第二绝缘层。栅电极（44A，44B）的接触插塞穿透第二绝缘层，并与MISFET的每个栅电极连接。用于源极/漏极（45A，45B）的接触插塞穿透绝缘层，并与MISFET的每个源极/漏极区域连接。每个栅电极被埋入用于形成在第一绝缘层上的栅电极的开口。 N沟道MISFET（32A）的栅电极包括下表面和由第一导电材料制成的侧表面。 P沟道MISFET（32B）的栅电极包括由不同于第一导电材料的第二导电材料制成的下表面和侧表面。导电保护层形成在每个栅电极的上表面上。连接到N沟道MISFET的栅电极的接触插塞通过保护层连接到其上表面，并且连接到P沟道MISFET的栅电极的接触插塞连接到上部其表面通过保护层。

3. 发明授权

KR102202281B1 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 有权
公开(公告)号：KR102202281B1
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：KR1020197038554
申请日：2012-02-23
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야나기타타케시 , 오시야마이타루 , 에노모토타카유키 , 이케다하루미 , 이자와신이치로 , 야먀모토아츠히코 , 오타카즈노부
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 본기술은, 광학혼색의저감등의특성을더욱향상시킨고체촬상장치를제공할수 있는고체촬상장치, 고체촬상장치의제조방법및 전자기기에관한것이다. 또한, 그고체촬상장치를이용한전자기기를제공한다. 기판(12)과, 기판(12)에형성된복수의광전변환부(40)를구비한고체촬상장치에서, 절연막(21)이매입된소자분리부(19)를형성한다. 소자분리부(19)는, 기판(12)의광입사측부터깊이방향으로형성된홈부(30) 내에서, 홈부(30)의내벽면을피복하도록형성된고정전하를갖는절연막(20)으로구성되어있다.

4. 发明授权

KR101378485B1 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101378485B1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：KR1020070103029
申请日：2007-10-12
申请人： 소니 주식회사
发明人： 다이가오리 , 쓰카모토마사노리 , 나카타마사시 , 오시야마이타루
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/76895 , H01L21/823871 , H01L29/66545
摘要： 본 발명은 N 채널형 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 및 P 채널형 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치를 개시하며, 상기 반도체 장치는 제1 절연층 및 제2 절연층, 및 게이트 전극용 컨택트 플러그를 구비한다. 상기 N 채널형 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 및 상기 P 채널형 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 각 게이트 전극은, 제1 절연층에 형성된 게이트 전극 형성용 개구부에 매립된다.
전계 효과, 반도체, 트랜지스터, 컨택트 플러그, 채널, 전극, 게이트, 개구부

5. 发明公开

KR1020140015326A 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 审中-实审
标题翻译：固态成像装置及其制造方法及电子仪器
公开(公告)号：KR1020140015326A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020137021456
申请日：2012-02-23
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야나기타타케시 , 오시야마이타루 , 에노모토타카유키 , 이케다하루미 , 이자와신이치로 , 야마모토아츠히코 , 오타카즈노부
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/146 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689
摘要： 본 기술은, 광학 혼색의 저감 등의 특성을 더욱 향상시킨 고체 촬상 장치를 제공할 수 있는 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기에 관한 것이다. 또한, 그 고체 촬상 장치를 이용한 전자 기기를 제공한다. 기판(12)과, 기판(12)에 형성된 복수의 광전 변환부(40)를 구비한 고체 촬상 장치에서, 절연막(21)이 매입된 소자 분리부(19)를 형성한다. 소자 분리부(19)는, 기판(12)의 광입사측부터 깊이 방향으로 형성된 홈부(30) 내에서, 홈부(30)의 내벽면을 피복하도록 형성된 고정 전하를 갖는 절연막(20)으로 구성되어 있다.
摘要翻译：本技术涉及固态成像装置，固态成像装置的制造方法和电子装置，其可以提供具有进一步改善的特征的固态成像装置，例如减少的光学混色等。此外，提供了使用其固态成像装置的电子装置。根据具有形成在基板12上的基板12和多个光电转换器40的固态成像装置，绝缘膜21形成嵌入元件分离单元19.元件分离单元19由绝缘膜20构成，绝缘膜20具有形成为在从基板12的光输入侧在深度方向形成的槽部30内形成为涂覆槽部30的内壁面的固定电荷。

6. 发明授权

KR102065291B1 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 有权
公开(公告)号：KR102065291B1
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：KR1020187026037
申请日：2012-02-23
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야나기타타케시 , 오시야마이타루 , 에노모토타카유키 , 이케다하루미 , 이자와신이치로 , 야마모토아츠히코 , 오타카즈노부
IPC分类号： H01L27/146

7. 发明授权

KR101596629B1 촬상 장치, 고체 촬상 장치, 및 그 제조방법 有权
标题翻译：成像装置固态成像装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101596629B1
公开(公告)日：2016-02-22
申请号：KR1020150026536
申请日：2015-02-25
申请人： 소니 주식회사
发明人： 오시야마이타루 , 안도다카시 , 히야마스스무 , 야마구치데쓰지 , 오기시유코 , 이케다하루미
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 본발명은충분한홀 축적층의실현과암전류의저감을동시에실시가능하게한다. 본발명은수광부(12)의수광면(12s)에형성된계면준위를낮추는막(21), 상기계면준위를낮추는막(12) 상에형성된음전하를띄는막(22), 상기수광부(12)의수광면(12s) 측에홀 축적은(23)이형성되어있는, 입사광을광전변환(photoelectric conversion)하는수광부(12)를포함하는고체촬상장치 1에관한것이다.

8. 发明公开

KR1020150035878A 촬상 장치, 고체 촬상 장치, 및 그 제조방법 有权
标题翻译：成像装置，固态成像装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150035878A
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020150026536
申请日：2015-02-25
申请人： 소니 주식회사
发明人： 오시야마이타루 , 안도다카시 , 히야마스스무 , 야마구치데쓰지 , 오기시유코 , 이케다하루미
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14692 , H01L27/14621 , H01L27/14627
摘要： 본발명은충분한홀 축적층의실현과암전류의저감을동시에실시가능하게한다. 본발명은수광부(12)의수광면(12s)에형성된계면준위를낮추는막(21), 상기계면준위를낮추는막(12) 상에형성된음전하를띄는막(22), 상기수광부(12)의수광면(12s) 측에홀 축적은(23)이형성되어있는, 입사광을광전변환(photoelectric conversion)하는수광부(12)를포함하는고체촬상장치 1에관한것이다.
摘要翻译：本发明允许同时实现足够的空穴积累层和减少寄生电流。本发明包括减少形成在光球（12）和光接收表面（12s）上的界面状态（21）的膜; 形成在膜上的负电荷（22）的膜减少界面状态（21）; 以及电荷耦合器件1，其包括光电（12）的光球（12），该光球转换在光球（12）侧和光接收表面（12s）侧的空穴积累层（23）上光电形成的入射光。

9. 发明授权

KR102076422B1 고체 촬상 소자와 그 제조 방법, 고체 촬상 장치 및 촬상 장치 有权
公开(公告)号：KR102076422B1
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：KR1020180111955
申请日：2018-09-19
申请人： 소니 주식회사
发明人： 오바요시유키 , 히야마스스무 , 오시야마이타루
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/02

10. 发明公开

KR1020170070266A 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 审中-实审
标题翻译：固态成像装置，制造固态成像装置的方法和电子装置
公开(公告)号：KR1020170070266A
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020177015983
申请日：2012-02-23
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야나기타타케시 , 오시야마이타루 , 에노모토타카유키 , 이케다하루미 , 이자와신이치로 , 야마모토아츠히코 , 오타카즈노부
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/146 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689
摘要： 본기술은, 광학혼색의저감등의특성을더욱향상시킨고체촬상장치를제공할수 있는고체촬상장치, 고체촬상장치의제조방법및 전자기기에관한것이다. 또한, 그고체촬상장치를이용한전자기기를제공한다. 기판(12)과, 기판(12)에형성된복수의광전변환부(40)를구비한고체촬상장치에서, 절연막(21)이매입된소자분리부(19)를형성한다. 소자분리부(19)는, 기판(12)의광입사측부터깊이방향으로형성된홈부(30) 내에서, 홈부(30)의내벽면을피복하도록형성된고정전하를갖는절연막(20)으로구성되어있다.
摘要翻译：本发明涉及固态成像器件，制造固态成像器件的方法和电子器件，其能够为固态成像器件提供诸如光学混色减少之类的进一步改进的特性。此外，提供了使用该固态成像装置的电子设备。在包括基板12和形成在基板12上的多个光电转换部40的固态成像装置中，形成其中沉积有绝缘膜21的元件隔离部19。元件隔离部分19由具有固定电荷的绝缘膜20构成，该绝缘膜形成为覆盖从基板12的光入射侧沿深度方向形成的凹槽部分30中的凹槽部分30的内壁表面。

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