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1. 发明授权

KR102052181B1 리세스-드레인 쇼트키 전극을 이용한 단방향 이종접합 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102052181B1
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：KR1020130023429
申请日：2013-03-05
申请人： 서울반도체 주식회사 , 홍익대학교 산학협력단
发明人： 곽준식 , 정영도 , 차호영 , 박봉렬 , 이재길
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/47 , H01L29/66 , H01L29/20 , H01L29/417

2. 发明公开

KR1020140110197A 리세스-드레인 쇼트키 전극을 이용한 단방향 이종접합 트랜지스터 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：使用漏电肖特基电极的非方向异质结晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140110197A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020130023429
申请日：2013-03-05
申请人： 서울반도체 주식회사 , 홍익대학교 산학협력단
发明人： 곽준식 , 정영도 , 차호영 , 박봉렬 , 이재길
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/812
摘要： The present invention relates to a unidirectional hetero-junction transistor and a manufacturing method thereof, capable of preventing a backward leakage current using a rectifying electrode. The unidirectional hetero-junction transistor includes a channel layer which is composed of a first nitride semiconductor of a first energy band gap, a barrier layer which is composed of a second nitride semiconductor of a second energy band gap which is different from the first energy band gap, a recess region which is formed on the barrier layer, a drain electrode which is arranged on the barrier layer on one side of the barrier layer, and a recessed-drain schottky electrode which is arranged in the recess region and is in contact with the drain electrode.
摘要翻译：本发明涉及一种能够防止使用整流电极的反向泄漏电流的单向异质结晶体管及其制造方法。单向异质结晶体管包括由第一能带隙的第一氮化物半导体构成的沟道层，由与第一能带不同的第二能带隙的第二氮化物半导体构成的势垒层间隙，形成在阻挡层上的凹部区域，设置在阻挡层一侧的阻挡层上的漏极电极和设置在凹部区域中并与其接触的凹陷肖特基电极漏电极。

3. 发明授权

KR102071018B1 혼합 접합 드레인을 구비하는 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102071018B1
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：KR1020130032632
申请日：2013-03-27
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 이관현 , 정영도 , 곽준식
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/20 , H01L29/423

4. 发明公开

KR1020160074380A 플리커 성능이 개선된 LED 구동회로 및 이를 포함하는 LED 조명장치 审中-实审
标题翻译：具有改进的闪光灯性能的LED驱动电路和LED照明设备
公开(公告)号：KR1020160074380A
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020150121219
申请日：2015-08-27
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 진성호 , 한상욱 , 정영도
IPC分类号： H05B37/02 , H05B33/08 , F21S2/00 , F21Y101/02
摘要： 본발명은, 교류순차구동방식의 LED 조명장치에있어, 루프백보상부를이용하여 LED 조명장치의비발광구간을없앰으로써, 동작구간중 발생하는 LED 조명장치의광 출력편차를저감할수 있는, 플리커성능이개선된 LED 조명장치를개시한다.
摘要翻译：公开了具有改善闪烁性能的LED照明装置。在交流顺序驱动型LED照明装置中，LED照明装置能够通过使用环回补偿来去除LED照明装置的非发光间隔，从而减少在操作间隔期间产生的LED照明装置的光输出偏差单元。 LED照明装置包括：整流单元; LED发光单元; 环回补偿单元; 和LED驱动控制单元。

5. 发明公开

KR1020150027597A 트렌치 게이트 질화물 트랜지스터 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：沟槽栅氮化物晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150027597A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020130106228
申请日：2013-09-04
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 타케야모토노부 , 이관현 , 정영도
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 본 발명의 트렌치 게이트 질화물 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 상부에 부분적으로 2개 이상의 메사 구조들을 구비하는 방열층; 상기 방열층의 상부 표면을 따라 형성된 절연층; 상기 메사 구조들 사이 영역의 상기 절연층 일부가 제거된 공간에 형성된 드레인 전극; 상기 드레인 전극 상부에 상기 드레인 전극 보다 넓게 형성된 고밀도 제1 도전형 질화갈륨계 반도체층; 상기 고밀도 제1 도전형 질화갈륨계 반도체층 상부의 상기 메사 구조들 사이의 공간을 체우는 진성 질화갈륨계 반도체층; 상기 메사 구조의 상부의 공간에, 사선 기울기로 상기 진성 질화갈륨계 반도체층과 측면이 접하는 형상으로 형성된 제2 도전형 질화갈륨계 반도체층; 상기 제2 도전형 질화갈륨계 반도체층 상부에 형성된 제1 도전형의 스위치 반도체층; 상기 제1 도전형의 스위치 반도체층 상부에 형성된 소스 전극; 상기 진성 질화갈륨계 반도체층 상부에 경사형 트렌치 구조로 형성된 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상부에 경사형 트렌치 구조로 형성된 게이트 전극을 포함할 수 있다.
摘要翻译：根据本发明的沟槽栅极氮化物晶体管包括基板，在基板的上侧部分地包括两个或多个台面结构的散热层，沿着散热层的上侧形成的绝缘层，形成在空间中以去除台面结构之间的绝缘层的一部分的漏极电极，形成在漏极电极的上侧以比漏电极宽的高密度的第一导电GaN半导体，内在的 GaN半导体层，其以高密度填充第一导电GaN半导体的上侧的台面结构之间的空间;第二导电GaN半导体层，形成在台面结构的上侧的空间上，并具有侧向一侧与倾斜斜面的本征GaN半导体层接触，形成在其上的第一导电开关半导体层第二导电GaN半导体层的上侧，形成在第一导电开关半导体层的上侧的源电极，在本征GaN半导体层的上侧形成有倾斜沟槽结构的栅极绝缘层以及在栅极绝缘层的上侧形成有倾斜沟槽结构的栅电极。

6. 发明公开

KR1020140143595A 트렌치형 절연분리막을 구비하는 질화물계 트랜지스터 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：带有固化绝缘隔离层的氮化物晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140143595A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020130065348
申请日：2013-06-07
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 이강녕 , 타케야모토노부 , 곽준식 , 이관현 , 정영도
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 일 실시예에 따르는 질화물계 트랜지스터는 제1 질화물계 반도체를 포함하는 채널층, 상기 채널층 상에 배치되며 상기 제1 질화물계 반도체의 에너지 밴드갭과 다른 에너지 밴드갭을 가지는 제2 질화물계 반도체를 포함하는 장벽층, 상기 장벽층 상에 이격하여 배치되는 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극, 및 상기 게이트 전극의 하부의 트렌치를 채우며 상기 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 배치되는 절연분리막을 포함한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例的基于氮化物的晶体管包括：沟道层，其包括第一氮化物基半导体; 阻挡层，其布置在沟道层上并且包括具有与第一氮化物基半导体的能带隙不同的能带隙的第二氮化物基半导体; 源极电极，栅极电极和漏电极，分别布置在阻挡层上; 以及绝缘隔离层，其填充在栅电极的下侧的沟槽并且布置在栅电极和漏电极之间。

7. 发明公开

KR1020140140766A 트렌치 게이트 질화물 트랜지스터 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译： TRENCH GATE NITRIDE晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140140766A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020130061554
申请日：2013-05-30
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 타케야모토노부 , 이강녕 , 이관현 , 곽준식 , 정영도
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 본 발명의 노멀리 오프 타입 질화물 트랜지스터는, 소스 전극 및 드레인 전극; 핵 생성층, 및 상기 핵 생성층 상에서 에피텍셜 측면 과성장으로 성장하는 고 저항 질화물계 반도체층을 포함하는 채널 형성 적층체; 상기 채널 형성 적층체 상에 형성되고, 일부 영역이 움푹 패인 구조를 구비하는 스위치 반도체층; 상기 움푹 패인 구조 상에 위치하는 게이트 전극을 포함하되, 상기 핵 생성층은 상기 게이트 전극의 하부 영역에 위치하여, 상기 에피텍셜 측면 과성장된 고 저항 질화물계 반도체층 중 상기 게이트 전극의 하부 영역이 아닌 영역의 TD 밀도가 낮은 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：根据本发明的常闭型氮化物晶体管包括源电极和漏电极; 通道形成层压体，其包括通过外延横向过度生长在成核层上生长的成核层和高电阻氮化物半导体层; 开关半导体层，其形成在沟道形成层叠体上并且包括具有部分中空区域的结构; 以及栅电极，其位于具有部分中空区域的结构上。成核层位于栅电极的下部区域。由此，通过外延横向过度生长生长的高电阻氮化物半导体层上的栅电极的下部区域以外的区域的TD密度低。

8. 发明公开

KR1020140111425A 이종접합 트랜지스터 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：异相晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140111425A
公开(公告)日：2014-09-19
申请号：KR1020130025541
申请日：2013-03-11
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 곽준식 , 이관현 , 타케야모토노부 , 정영도
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： The present invention relates to a heterojunction transistor in a gate recess structure having a normally off characteristic and a manufacturing method thereof. The manufacturing method of the heterojunction transistor includes a first step of preparing a substrate; a second step of forming, on the substrate, a channel layer of a first nitride-based semiconductor having a first energy band gap; a third step of forming, on the channel layer, a barrier layer of a second nitride-based semiconductor having a second energy band gap different from the first energy band gap; a fourth layer of forming a P-type semiconductor layer in a gate control region on the first barrier layer; a fifth step of forming, on the first barrier layer, a second barrier layer of a third nitride-based semiconductor having a third energy band gap different from the first energy band gap in a height smaller than or equal to the height of the P-type semiconductor layer; and a sixth step of forming a gate electrode on the P-type semiconductor layer.
摘要翻译：本发明涉及具有常关特性的栅极凹槽结构中的异质结晶体管及其制造方法。异质结晶体管的制造方法包括：准备基板的第一工序; 在衬底上形成具有第一能带隙的第一氮化物基半导体的沟道层的第二步骤; 在所述沟道层上形成具有与所述第一能带隙不同的第二能带隙的第二氮化物系半导体的阻挡层的第三工序; 在所述第一阻挡层上的栅极控制区域中形成P型半导体层的第四层; 在所述第一阻挡层上形成第三氮化物类半导体的第二阻挡层的第五步骤，所述第三氮化物基半导体具有与所述第一能带的第三能带隙不同的高度，型半导体层; 以及在P型半导体层上形成栅电极的第六步骤。

9. 发明公开

KR1020140024279A LED발광장치 및 LED발광장치를 구동하는 방법 审中-实审
标题翻译： LED发光装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020140024279A
公开(公告)日：2014-02-28
申请号：KR1020137022737
申请日：2012-01-27
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 정영도 , 강현구 , 정혜만 , 이강녕
IPC分类号： H05B37/02
CPC分类号： H05B33/083 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2924/181 , H05B33/0803 , H05B33/0809 , H05B33/0818 , H05B33/0824 , Y02B20/347 , H05B37/0227 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
摘要： The present invention relates to a light emitting diode (LED) emitting device, which comprises the following: a rectifier circuit unit for outputting one way pulsating voltage by rectifying voltage of AC and receiving the voltage of AC; a plurality of LED units connected in serial; a plurality of switches in which a cathode of the LED units is connected to one end of each switch; a constant current control circuit unit connected to the other end of each switch to receive current from each switch; and a current comparison unit for receiving current from the switches and for creating switching control signals for the switches to operate the constant current control circuit units in consecutive order. For this, each LED unit is designed to receive one way pulsating voltage and includes anode and cathode. The constant current control circuit units output current control signals to each switch to control a current received from each switch to have a certain value.
摘要翻译：发光二极管（LED）发光装置技术领域本发明涉及一种发光二极管（LED）发光装置，其包括：整流电路单元，用于通过整流AC电压并接收AC的电压来输出单向脉动电压; 串联连接的多个LED单元; 多个开关，其中LED单元的阴极连接到每个开关的一端; 连接到每个开关的另一端以从每个开关接收电流的恒流控制电路单元; 以及电流比较单元，用于从开关接收电流，并产生用于开关的开关控制信号，以连续的顺序操作恒流控制电路单元。为此，每个LED单元被设计为接收单向脉动电压并且包括阳极和阴极。恒流控制电路单元向每个开关输出电流控制信号，以控制从每个开关接收的电流具有一定值。

10. 发明公开

KR1020170058098A 플리커 성능이 개선된 LED 구동회로 및 이를 포함하는 LED 조명장치 审中-实审
标题翻译：具有改善的闪烁性能的LED驱动器电路以及包括其的LED照明装置
公开(公告)号：KR1020170058098A
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：KR1020150161890
申请日：2015-11-18
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 정영도 , 정혜만
IPC分类号： H05B33/08 , F21V23/00 , H05B37/02 , F21S2/00 , F21Y101/02
摘要： 본발명은, 교류순차구동방식의 LED 조명장치에있어, 루프백보상부를이용하여 LED 조명장치의비발광구간을없앰으로써, 동작구간중 발생하는 LED 조명장치의광 출력편차를저감할수 있는, 플리커성능이개선된 LED 조명장치를개시한다.
摘要翻译：本发明，通过使用环回补偿部件消除了LED照明器件的非发射周期交替顺序在LED照明装置的方法驱动，能够减少LED照明装置的过程中的操作期间，闪烁性能发生的光功率的偏差公开了这种改进的LED照明装置。

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