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1. 发明授权

KR102263800B1 메모리제어장치 및 메모리제어장치의 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102263800B1
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：KR1020150001875
申请日：2015-01-07
申请人： 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 박정수 , 김기준 , 최진용 , 민상렬 , 김홍석 , 남이현
IPC分类号： G06F12/1027 , G06F12/02

2. 发明授权

KR102133960B1 광반응변형구조체를 이용한 작동기 및 구동 방법 有权
公开(公告)号：KR102133960B1
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：KR1020180089931
申请日：2018-08-01
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 조맹효 , 성희준 , 김홍석 , 김현수
IPC分类号： F03G7/00

3. 发明公开

KR1020160085035A 메모리제어장치 및 메모리제어장치의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：内存管理装置及其控制方法
公开(公告)号：KR1020160085035A
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020150001875
申请日：2015-01-07
申请人： 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 박정수 , 김기준 , 최진용 , 민상렬 , 김홍석 , 남이현
IPC分类号： G06F12/10
CPC分类号： G06F12/1027 , G06F12/0246
摘要： 본발명은, 사상테이블관리가수반되는메모리장치를채용함에있어서, 사상정보의기록량을최소화하고호스트의워크로드패턴과상관없이일관성있는쓰기성능을보장할수 있는메모리제어장치및 메모리제어장치의동작방법을개시하고있다.
摘要翻译：本发明提供一种伴随着映射表管理的存储装置。发明了一种存储器管理装置及其控制方法。根据本发明，存储器管理装置可以最小化映射信息写入量，并且不管主机的工作负载模式如何，都不断地保证写入性能。存储器管理装置包括：数据控制单元; 映射表控制单元; 和映射更新控制单元。

4. 发明公开

KR1020160084154A 메모리장치 및 메모리장치의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：存储器及其控制方法
公开(公告)号：KR1020160084154A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020150000703
申请日：2015-01-05
申请人： 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 박정수 , 김홍석 , 남이현 , 김기준 , 최진용 , 민상렬
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/32 , G11C7/22 , G11C16/06 , G11C11/56 , G11C7/10
CPC分类号： G11C16/26 , G11C7/10 , G11C7/222 , G11C7/225 , G11C11/56 , G11C16/32
摘要： 본발명은, (플래시)메모리에대한정상적인읽기연산을위해수반되어야하는특정신호(예 : DQ/DQS) 간위상정합을수행하는데있어, 메모리에대한사전메모리연산(예 : 지우기및 쓰기연산) 없이도, 신속하고안정적인위상정합수행을가능하게하는메모리장치및 메모리장치의동작방법을개시하고있다.
摘要翻译：本发明提供了一种存储器件及其操作方法，其允许在执行特定信号（例如DQ / DQS）之间的相位匹配时关于存储器的先前存储器计算（例如擦除和写入计算）来快速且稳定地执行相位匹配。需要遵循关于（新鲜）记忆的正常阅读计算。存储器件包括存储器部分和相位匹配执行部分。

5. 发明授权

KR101639856B1 차지 스토리지 메모리의 구조를 이용한 측정 장치 및 측정 방법 有权
标题翻译：使用充电存储器结构的测量装置及其测量方法
公开(公告)号：KR101639856B1
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：KR1020140012979
申请日：2014-02-05
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 이용훈 , 민상렬 , 공서택 , 김홍석
IPC分类号： G01D21/00 , G01N21/62 , G01N27/02
摘要： 외부인자를측정하는장치가개시된다. 실시예들은외부인자에의해빛을발생시키는발광부, 발생된빛에의해전하밀도가변하는차지스토리지메모리, 및전하밀도의변화에따라저장되는정보가변경되도록바이아스전압을제어하는제어부를포함한다.

6. 发明授权

KR102098715B1 광반응 변형 구조체 및 이의 구동 방법 有权
公开(公告)号：KR102098715B1
公开(公告)日：2020-04-08
申请号：KR1020190000219
申请日：2019-01-02
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 조맹효 , 성희준 , 김홍석 , 김현수
IPC分类号： B25J9/10 , C08J7/04 , C09K19/38 , B32B27/08 , B32B27/16

7. 发明公开

KR1020150092516A 차지 스토리지 메모리의 구조를 이용한 측정 장치 및 측정 방법 有权
标题翻译：使用充电存储器结构的测量装置及其测量方法
公开(公告)号：KR1020150092516A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：KR1020140012979
申请日：2014-02-05
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 이용훈 , 민상렬 , 공서택 , 김홍석
IPC分类号： G01D21/00 , G01N21/62 , G01N27/02
摘要： 외부인자를 측정하는 장치가 개시된다. 실시예들은 외부인자에 의해 빛을 발생시키는 발광부, 발생된 빛에 의해 전하 밀도가 변하는 차지 스토리지 메모리, 및 전하 밀도의 변화에 따라 저장되는 정보가 변경되도록 바이아스 전압을 제어하는 제어부를 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及外部因素的测量设备。提供了通过外部因素产生光的发光单元。电荷存储器，其通过产生光而改变电荷密度，并且包括控制单元，其控制偏置电压以根据电荷密度的变化来改变存储的信息。

8. 发明公开

KR1020140100907A 증명 가능하고 정확한 오류 복구를 위한 플래시 변환 계층 설계 프레임워크 有权
标题翻译：闪存转换层设计框架，用于可靠的CRR恢复
公开(公告)号：KR1020140100907A
公开(公告)日：2014-08-18
申请号：KR1020140013590
申请日：2014-02-06
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 민상렬 , 남이현 , 이수관 , 윤진혁 , 성윤제 , 김홍석 , 최진용 , 박정수
IPC分类号： G06F11/07 , G06F12/02
摘要： A flash transition layer designing framework for a flash memory is disclosed. The flash transition layer structure according to an embodiment of the present invention comprises a fist log which processes data; a second log which processes information on mapping; and a third log which processes a second log and information on check points. The first log and the second log can correct errors using the information on check points.
摘要翻译：公开了一种用于闪速存储器的闪存过渡层设计框架。根据本发明的实施例的闪存过渡层结构包括处理数据的第一日志; 处理映射信息的第二个日志; 以及处理第二个日志的第三个日志和关于检查点的信息。第一个日志和第二个日志可以使用检查点上的信息来纠正错误。

9. 发明授权

KR101059673B1 신뢰도 또는 저장 용량을 동적으로 조절하는 저장 장치 및 그 방법 有权
标题翻译：用于动态调整可靠性或存储容量的存储设备和方法
公开(公告)号：KR101059673B1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：KR1020080134492
申请日：2008-12-26
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 김홍석 , 민상렬
IPC分类号： G06F15/16 , G06F11/00
摘要： 신뢰도 또는 저장 용량을 동적으로 조절하는 저장 장치 및 방법이 제공된다. 본 발명의 저장 장치는 복수의 오류 처리 모드들을 지원하며, 적응적으로 또는 호스트의 요청에 응답하여 오류 처리 모드를 설정한다. 또한, 본 발명은 저장 장치를 구성하는 저장 장치 유닛 중 1개 이상을 제거하거나, 저장 장치에 1개 이상의 저장 장치 유닛을 추가할 수 있으며, 저장 장치 유닛의 개수를 변경할 수 있다. 또한, 본 발명은 오류 처리 모드나 저장 장치 유닛의 개수를 바꿈에 따라 호스트에 제공하는 유효 저장 용량을 변경할 수 있다. 또한, 본 발명은, 오류 처리 모드를 적절히 결정하거나 저장 장치 유닛을 추가 또는 제거함으로써, 저장 장치의 신뢰성을 일정 수준 이상으로 유지할 수 있으며, 저장 공간을 효율적으로 사용할 수 있다.
신뢰성, 스토리지, 저장 장치, 오류 정정, 오류 처리 모드, 저장 용량
摘要翻译：提供了用于动态调整可靠性或存储容量的存储设备和方法。本发明的存储设备支持的多个错误处理模式，通过适应性地响应主机的请求或设置一个错误处理模式。此外，本发明可以去除包括在存储装置中的存储单元中的一个或多个，或者在存储装置中添加一个或多个存储单元，它能够改变的存储单元的数量。此外，本发明可以改变提供给主机按照改变的错误处理模式或存储单元的数目的有效存储容量。此外，本发明被适当地由错误处理模式确定，或者添加或删除的存储单元，可以在一定的水平或更多保持所述存储设备的可靠性，因此能够有效地使用存储空间。

10. 发明公开

KR1020100076447A 신뢰도 또는 저장 용량을 동적으로 조절하는 저장 장치 및 그 방법 有权
标题翻译：存储设备和控制可靠性或存储容量的方法
公开(公告)号：KR1020100076447A
公开(公告)日：2010-07-06
申请号：KR1020080134492
申请日：2008-12-26
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 김홍석 , 민상렬
IPC分类号： G06F15/16 , G06F11/00
摘要： PURPOSE: A storage device for dynamically controlling storage capacity or reliability is provided to maintain the reliability of the storage device by removing or adding a storage device unit. CONSTITUTION: A controller(420) varies the capacity for the valid storage capacity of a storage medium(460) according to a set error processing mode. An error processing mode setter(430) sets a new error treated mode according to a determination result from the new error treated mode. An error correction unit(440) corrects the error of the read data according to the fixed error treated mode. A reliability state reconginer(450) analyzes information about the trusted status according to the fixed error treated mode.
摘要翻译：目的：提供用于动态控制存储容量或可靠性的存储设备，通过移除或添加存储设备单元来维护存储设备的可靠性。构成：根据设定的错误处理模式，控制器（420）改变存储介质（460）的有效存储容量的容量。错误处理模式设定器（430）根据来自新的错误处理模式的确定结果设置新的错误处理模式。错误校正单元（440）根据固定的误差处理模式来校正读取数据的错误。可靠性状态接收器（450）根据固定的误差处理模式分析关于可信状态的信息。

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