专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101684432B1 카테치노세아노틱산 화합물 및 이를 포함하는 약학적 조성물 有权
标题翻译：儿茶素类化合物及其组合物
公开(公告)号：KR101684432B1
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020150083632
申请日：2015-06-12
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 성상현 , 강교빈 , 김현우 , 예상규 , 김병학 , 정애진
IPC分类号： C07D493/04 , A61K31/352 , A61K31/19 , A61K36/725 , A23L1/30
摘要： 본발명은카테치노세아노틱산화합물및 이를포함하는약학적조성물에관한것으로, 보다상세하게는대추나무()의뿌리에서유래된신규화합물로서, 생체내 항암에대한활성을갖는카테치노세아노틱산화합물및 이를포함하는약학적조성물에관한것이다.

2. 发明授权

KR101216969B1 상품 가격을 고려한 상품 추천시스템 및 그 추천방법 有权
标题翻译：商品推荐系统和考虑商品价格的方法
公开(公告)号：KR101216969B1
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：KR1020090076942
申请日：2009-08-19
申请人： 서울대학교산학협력단 , 주식회사 디디에이치
发明人： 장병탁 , 김권일 , 신원진 , 김현우 , 오동환 , 이재호 , 김지현 , 김주영
IPC分类号： G06Q30/06
摘要： 본발명은상품가격을고려한상품추천시스템및 그추천방법에관한것으로서, 보다상세하게는상품이나고객간의연관성을이용하여전자상거래상의상품을추천하는협력필터링(Collaborative Filtering) 알고리즘을기반으로하면서최종적인상품추천에는상품의가격요소에가중치를부여하여판매자의이익을극대화함과아울러, 가격가중계수를적응적으로변화시키며결정함으로써쇼핑몰고객의추천만족도를해하지않는범위내에서매출을극대화할수 있는상품가격을고려한상품추천시스템및 그추천방법에관한것이다.

3. 发明授权

KR102136326B1 가시박으로부터 분리한 플라보노이드 유도체를 유효성분으로 포함하는 간 질환 예방 또는 치료용 조성물 有权
公开(公告)号：KR102136326B1
公开(公告)日：2020-07-22
申请号：KR1020180106344
申请日：2018-09-06
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 오원근 , 안진표 , 김현우 , 이철호 , 김용훈 , 노정란
IPC分类号： A61K31/7048 , A61K36/42 , A61P1/16 , A23L33/105 , A23K20/163

4. 发明公开

KR1020130045104A 반도체 소자의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020130045104A
公开(公告)日：2013-05-03
申请号：KR1020110109571
申请日：2011-10-25
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 이송주 , 박정수 , 김현우 , 박병국
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66356 , H01L29/7391 , H01L29/66045 , H01L29/66712
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to simplify an asymmetric device forming process by removing a barrier layer forming process. CONSTITUTION: A conductive pattern is formed on the upper side of a semiconductor substrate. A first junction region is formed on the semiconductor substrate by implanting impurity ions using the conductive pattern as a mask. The conductive pattern and a first insulation layer(125) are formed on the upper side of the first junction region. The first insulation layer is planarized. The sidewall of the first insulation layer is exposed by etching the upper side of the conductive pattern. A spacer(130) is formed on the sidewall of the first insulation layer on the upper side of the conductive pattern. A gate pattern(115c) is formed by etching the conductive pattern using the spacer as an etch mask. A second junction region is formed on the semiconductor substrate by using the gate pattern as the mask.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过去除阻挡层形成工艺来简化非对称器件形成工艺。构成：在半导体衬底的上侧形成导电图案。通过使用导电图案作为掩模注入杂质离子，在半导体衬底上形成第一结区。导电图案和第一绝缘层（125）形成在第一接合区域的上侧。第一绝缘层被平坦化。通过蚀刻导电图案的上侧来暴露第一绝缘层的侧壁。在导电图案的上侧的第一绝缘层的侧壁上形成间隔物（130）。通过使用间隔物作为蚀刻掩模蚀刻导电图案来形成栅极图案（115c）。通过使用栅极图案作为掩模，在半导体衬底上形成第二结区。

5. 发明公开

KR1020160096815A 들려진 드레인 영역을 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터 有权
标题翻译：带有排水区域的隧道场效应晶体管
公开(公告)号：KR1020160096815A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：KR1020150018348
申请日：2015-02-06
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 박병국 , 권대웅 , 김현우 , 김장현
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7311 , H01L29/7849 , H01L29/785
摘要： 본발명은소스영역보다들려져돌출된드레인영역을형성하여양방향전류발생문제해결은물론핀(fin) 바디를이루는하부반도체층을상부반도체층보다밴드갭이작은반도체물질로형성하여낮은구동전류의문제를해결할수 있고, 상부반도체층에드레인영역밑으로바디도핑층을더 형성함으로써, 게이트와드레인사이에커패시턴스가증가하지못하도록하여인버터회로구성시출력특성열화문제를개선할수 있는터널링전계효과트랜지스터를제공한다.
摘要翻译：本发明提供了一种隧道效应晶体管，其与源极区相比形成了通过提升而突出的漏极区，以解决双向电流产生问题，通过具有较小带隙的半导体材料形成构成鳍体的下半导体层以解决低驱动电流的问题，并且进一步在上半导体层的漏极区域下形成体掺杂层以防止栅极和漏极之间的电容增加，从而改善输出特征配置变频器电路时的劣化问题。

6. 发明授权

KR101709541B1 들려진 드레인 영역을 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터 有权
标题翻译：带有排水区域的隧道场效应晶体管
公开(公告)号：KR101709541B1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：KR1020150018348
申请日：2015-02-06
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 박병국 , 권대웅 , 김현우 , 김장현
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/78
摘要： 본발명은소스영역보다들려져돌출된드레인영역을형성하여양방향전류발생문제해결은물론핀(fin) 바디를이루는하부반도체층을상부반도체층보다밴드갭이작은반도체물질로형성하여낮은구동전류의문제를해결할수 있고, 상부반도체층에드레인영역밑으로바디도핑층을더 형성함으로써, 게이트와드레인사이에커패시턴스가증가하지못하도록하여인버터회로구성시출력특성열화문제를개선할수 있는터널링전계효과트랜지스터를제공한다.
摘要翻译：本发明提供了一种隧道效应晶体管，其与源极区相比形成了通过提升而突出的漏极区，以解决双向电流产生问题，通过具有较小带隙的半导体材料形成构成鳍体的下半导体层以解决低驱动电流的问题，并且进一步在上半导体层的漏极区域下形成体掺杂层以防止栅极和漏极之间的电容增加，从而改善输出特征配置变频器电路时的劣化问题。

7. 发明公开

KR1020100029346A 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법 有权
标题翻译： SEMICONDUCTOR THIN FILM STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：KR1020100029346A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：KR1020080088091
申请日：2008-09-08
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 윤의준 , 김현우 , 박성현 , 김동혁
IPC分类号： H01L21/20
摘要： PURPOSE: A semiconductor film structure and a method of formation thereof, even though the complex process of the existing board manufacture technology or the ELO method is not used, the problem that 2 step growth method has in the different substrate can be solved altogether with the simple method of the eutectic phase, it economics, the loss can be reduced sharply. CONSTITUTION: A semiconductor film structure and a method of formation thereof comprise a compound semiconductor buffer layer(110), a carbon-contained layers(130), and a compound semiconductor layer(120). A compound semiconductor buffer layer is formed on a substrate(100). A carbon-contained layer is at least inserted among a buffer layer inside and layer inside into one place. A compound semiconductor epi layer is formed on the buffer layer.
摘要翻译：目的：半导体膜结构及其形成方法即使不使用现有的板制造技术或ELO方法的复杂工艺，二步生长方法在不同基板中的问题也可以与共晶相的简单方法，它的经济性，损失可以大大降低。构成：半导体膜结构及其形成方法包括化合物半导体缓冲层（110），含碳层（130）和化合物半导体层（120）。在基板（100）上形成化合物半导体缓冲层。至少将含碳层插入到内部的内部的缓冲层和内部的缓冲层之中。化合物半导体外延层形成在缓冲层上。

8. 发明授权

KR101943579B1 레이저 유도 분광 분석법을 이용한 극초음속 운송 수단의 내부 유체의 유동 피드백 시스템 및 그 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR101943579B1
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：KR1020170026668
申请日：2017-02-28
申请人： 서울대학교산학협력단 , 록히드 마틴 코포레이션
发明人： 여재익 , 도형록 , 이석환 , 김현우
IPC分类号： G05D11/13 , G01J3/02 , G05D7/06

9. 发明授权

KR101868634B1 반도체 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101868634B1
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：KR1020110109571
申请日：2011-10-25
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 이송주 , 박정수 , 김현우 , 박병국
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66356 , H01L29/7391
摘要： 본발명은 TFET(Tunneling Field Effect Transistor) 구조를형성함에있어서, 비대칭(Asymmetric)으로형성된소자구현시 수반되는공정을단순화시키는기술을나타낸다. 본발명에따른반도체소자의제조방법은반도체기판상부에도전패턴을형성하는단계와, 도전패턴을마스크로불순물이온을주입하여상기반도체기판내에제 1 접합영역을형성하는단계와, 제 1 접합영역상부에상기도전패턴과평탄화된제 1 절연막을형성하는단계와, 도전패턴상측을식각하여상기제 1 절연막측벽을노출시키는단계와, 도전패턴상부의제 1 절연막측벽에스페이서를형성하는단계와, 스페이서를식각마스크로상기도전패턴을식각하여게이트패턴을형성하는단계와, 게이트패턴을마스크로상기반도체기판내에제 2 접합영역을형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.

10. 发明公开

KR1020110019289A 상품 가격을 고려한 상품 추천시스템 및 그 추천방법 有权
标题翻译：商品推荐系统和考虑商品价格的方法
公开(公告)号：KR1020110019289A
公开(公告)日：2011-02-25
申请号：KR1020090076942
申请日：2009-08-19
申请人： 서울대학교산학협력단 , 주식회사 디디에이치
发明人： 장병탁 , 김권일 , 신원진 , 김현우 , 오동환 , 이재호 , 김지현 , 김주영
IPC分类号： G06Q30/06
CPC分类号： G06Q30/0631
摘要： PURPOSE: A product recommendation system and a recommendation method thereof, capable of selecting a recommendation product list according to the product preference of a customer are provided to maximize the profit of a seller based on a collaborative filtering algorithm. CONSTITUTION: A shopping mall web server(100) sells a product on a communication network. A database server stores product from the shopping mall web server. A cooperation filtering recommend unit generates an ordering matrix based on a purchase history of the customer. A recommendation point about each product is calculated by an algorithm based on the cooperative filtering. A price weighting arithmetic unit(400) calculates the price weight according to the price of each product. A recommendation product selection unit transmits the recommendation product to the shopping mall web server.
摘要翻译：目的：提供一种能够根据客户的产品偏好来选择推荐产品列表的产品推荐系统及其推荐方法，以根据协同过滤算法来最大化卖方的利润。规定：购物中心网络服务器（100）在通信网络上销售产品。数据库服务器存储商城网络服务器的商品。合作过滤推荐单元根据客户的购买历史生成排序矩阵。关于每个产品的推荐点是通过基于协同过滤的算法来计算的。价格加权算术单元（400）根据每个产品的价格计算价格权重。推荐产品选择单元将推荐产品发送到购物中心网络服务器。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式