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2. 发明公开

KR1020030045813A 냉음극 전자원과 그 구동방법 및 필드 에미션 디스플레이 失效
标题翻译： 냉음극전자원과그구동방법및드에미션디스플레이
公开(公告)号：KR1020030045813A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：KR1020037004361
申请日：2001-09-27
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 이데테츠야 , 사와하타쥬니치 , 우라야마마사오
IPC分类号： H01J1/30
CPC分类号： H01J29/488 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J3/029 , H01J29/467 , H01J2329/00
摘要： 전자빔의 이용효율을 향상시킬 수 있고, 간단한 구조에 의해 실현할 수 있는 냉음극 전자원을 제공한다.
본 발명의 냉음극 전자원은, 기판(2)상에 절연층(3)을 통해 형성된 게이트전극(4)과, 이 절연층(3) 및 게이트전극(4)을 관통하여 제공된 게이트 개구부에 제공된 에미터(6)를 구비하고, 상기 에미터(6)로부터의 전자방출시에는, 애노드-에미터간 거리를 Ha [μm], 애노드-에미터간 전압을 Va [V], 게이트-에미터간 거리를 Hg [μm], 게이트-에미터간 전압을 Vg [V]로 한 경우, 10 [V/μm] ≥ (Va - Vg) / (Ha - Hg) ≥ Vg/Hg를 만족하고, 또한, Vg/Hg [V/μm] ≥ Va × 10
-4 × (9.7 - 1.3 × ln(Hg)) × (1000/Ha)
0.5 를 만족한다.
摘要翻译：具有提高的电子束利用效率和简单结构的冷阴极电子源。冷阴极电子源包括通过绝缘层（3）和延伸穿过绝缘层（3）和栅电极（4）的发射极（6）设置在基板（2）上的栅电极（4）在大门的开口处。在从发射器（6）发射电子的过程中，满足以下关系：10＆amp; Auml; V / mu m＆Uuml; ＆安培; GE; （Va-Vg）/（Ha-Hg）＆amp; Ge; VG /汞柱; 和Vg / Hg＆Auml; V / mu＆Uuml; ＆安培; GE; Va×10 -4。 x（9.7-1.3×1n（Hg））×（1000 / Ha）0.5，其中Ha＆Auml; mu m＆Uuml; 是阳极 - 发射器距离，Va＆Auml; V＆Uuml; 是阳极 - 发射极电压，Hg＆Auml; mu m＆Uuml; 是门极 - 发射极间距，Vg＆Auml; V＆Uuml; 是门极 - 发射极电压。＆lt;图像＆GT;

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