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1. 发明授权

KR101920726B1 미세 유체 방식의 가변 광학 소자 어레이 및 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101920726B1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：KR1020120077363
申请日：2012-07-16
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 김억수 , 권용주 , 배정목 , 최윤선 , 이정훈 , 최승열
IPC分类号： G02B26/00 , G02F1/01
CPC分类号： G02B26/005 , G02B3/14
摘要： 개시된가변광학소자어레이는투명기판; 상기투명기판상에형성되고, 소정패턴의전극배선을포함하는어드레싱층; 상기어드레싱층 위에형성되어다수의셀 영역을구획하는것으로, 서로쌍을이루어이격된이중벽을이루는형태로배치되고상기전극배선과전기적으로연결된다수의전도성격벽을포함하는격벽부; 상기이중벽을이루는한 쌍의전도성격벽사이의영역을채우는절연물질; 상기다수의셀 영역내에각각배치된것으로, 전도성의제1유체및 상기제1유체와섞이지않으며비전도성인제2유체; 상기다수의전도성격벽의상면및 상기셀 영역의내벽이되는측면에형성된절연코팅층; 상기다수의셀 영역전체를덮는투명전극층; 상기투명전극층과상기어드레싱층간에전압을인가할수 있는전압인가장치;를포함한다.

2. 发明公开

KR1020140010717A 미세 유체 방식의 가변 광학 소자 어레이 및 제조방법 审中-实审
标题翻译：微流变可变光学装置阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140010717A
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020120077363
申请日：2012-07-16
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 김억수 , 권용주 , 배정목 , 최윤선 , 이정훈 , 최승열
IPC分类号： G02B26/00 , G02F1/01
CPC分类号： G02B26/005 , G02B3/14
摘要： A disclosed variable optical device array comprises a transparent circuit board; an addressing layer including the electrode wire of a predetermined pattern and formed on a transparent circuit board; a partition unit formed on the addressing layer to divide a plurality of cell areas, arranged in the shape of separated double walls in pair, and including a plurality of conductive partitions electrically connected to the electrode wire; an insulation material charged between the conductive partitions forming the double walls in pair; a non-conductive first fluid and a non-conductive second fluid mixed with the first fluid which are arranged in each cell area; an insulation coating layer formed at the upper surface of the conductive partition walls and the inner wall of the cell area; a transparent electrode layer covering the whole cell areas; and a voltage applying device capable of applying power between the transparent electrode layer and the addressing layer. [Reference numerals] (AA) Voltage applying device
摘要翻译：所公开的可变光学器件阵列包括透明电路板; 寻址层，其包括预定图案的电极线并形成在透明电路板上; 分隔单元，其形成在所述寻址层上，以分离成一对分离的双壁形状的多个单元区域，并且包括电连接到所述电极线的多个导电隔板; 填充在形成双层壁的导电隔板之间的绝缘材料; 与第一流体混合的不导电的第一流体和非导电的第二流体布置在每个池区域中; 绝缘涂层形成在导电隔壁的上表面和电池区的内壁上; 覆盖整个细胞区域的透明电极层; 以及能够在透明电极层和寻址层之间施加电力的电压施加装置。（附图标记）（AA）电压施加装置

3. 发明公开

KR1020100084813A 다결정 박막 형성방법 有权
标题翻译：形成多晶硅薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020100084813A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：KR1020090004153
申请日：2009-01-19
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 김기범 , 김억수
IPC分类号： H01L21/268
CPC分类号： H01L21/02595 , G03F7/70025 , H01L21/268 , H01L27/1214
摘要： PURPOSE: A method for forming a polycrystalline film is provided to obtain an improved characteristic by growing a crystal using a mono-crystalline seed without a crystal-grain-boundary. CONSTITUTION: A substrate including a target film is prepared(S110). First laser is radiated to the target film through a first mask such that the target film is crystallized(S120). A first transmitting region and a first non-transmitting region are formed on the first mask. Second laser is radiated to the target film through a second mask such that the target film is crystallized(S130). A second transmitting region and a second non-transmitting region are formed on the second mask. A part of the target film under the second transmitting film is completely melted.
摘要翻译：目的：提供用于形成多晶膜的方法，以通过使用不具有晶粒边界的单晶晶种生长晶体来获得改进的特性。构成：制备包含靶膜的基板（S110）。通过第一掩模将第一激光照射到目标膜，使得靶膜结晶（S120）。在第一掩模上形成第一透射区域和第一非透射区域。通过第二掩模将第二激光照射到目标膜，使得靶膜结晶（S130）。在第二掩模上形成第二透射区域和第二非透射区域。第二透射膜下的目标膜的一部分被完全熔化。

4. 发明授权

KR101095368B1 다결정 박막 형성방법 有权
标题翻译：多晶膜形成方法
公开(公告)号：KR101095368B1
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：KR1020090004153
申请日：2009-01-19
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 김기범 , 김억수
IPC分类号： H01L21/268
摘要： 본 발명은 결정립의 크기가 크고 균일한 다결정 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 다결정 박막 형성방법은 피결정화막이 형성되어 있는 기판을 준비한다. 그리고 피결정화막에 제1 레이저를 제1 투과 영역과 제1 비투과 영역 패턴이 형성되어 있는 제1 마스크를 통해 조사하여, 피결정화막을 결정화시킨다. 그리고 제1 레이저가 조사된 피결정화막에 제2 레이저를 제2 투과 영역과 제2 비투과 영역 패턴이 형성되어 있는 제2 마스크를 통해 조사하되, 제2 투과 영역 아래의 피결정화막 부분은 완전 용융(complete melting)되고 제2 비투과 영역 패턴 아래의 피결정화막 부분은 완전 용융되지 않도록 제2 레이저를 조사하여, 피결정화막을 결정화시킨다.

5. 发明授权

KR101920725B1 가변 액체 프리즘 어레이 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101920725B1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：KR1020120014406
申请日：2012-02-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김억수 , 배정목 , 송훈 , 원강희 , 정득석 , 최규환 , 최윤선
IPC分类号： G02B26/00 , G02F1/01
CPC分类号： G02B5/06 , G02B5/045 , G02B26/005 , G02B26/0883
摘要： 가변액체프리즘어레이및 그제조방법이개시된다. 개시된가변액체프리즘어레이는, 기판상에형성된것으로도선부와, 도선부가배치되지않은비도선영역을가지는배선층과, 상기배선층위에구비된격벽들과, 상기격벽들의측면에구비되고, 상기배선층의비도선영역에대응되는영역을따라서로이격된복수개의측면전극을포함한다.

6. 发明授权

KR101832263B1 광 굴절 제어패널과 이를 포함하는 3Ｄ 디스플레이 및 그 구동방법 有权
公开(公告)号：KR101832263B1
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：KR1020110073038
申请日：2011-07-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최규환 , 배정목 , 송훈 , 이상윤 , 최윤선 , 김억수
IPC分类号： G02F1/17 , G02B27/22 , G02B26/00
CPC分类号： G02B26/005 , G02B5/06 , G02B27/2214 , G09G3/003 , G09G3/3406 , G09G3/38 , H04N13/32
摘要： 광굴절제어패널과이를포함하는 3D 디스플레이및 그구동방법에관해개시되어있다. 개시된광 굴절제어패널은투명기판과, 상기투명기판상에이격되게구비된격벽과, 상기격벽에형성되고, 서로분리된제1 내지제4 전극과, 상기격벽안쪽에구비되어입사광을주어진방향으로굴절시키는전기-습윤프리즘과, 상기격벽및 상기제1 내지제4 전극과상기전기-습윤프리즘사이에구비된분리층을포함하고, 상기제1 내지제4 전극에서이웃하는두 전극중 한전극은다른전극의안쪽에위치한다.

7. 发明授权

KR101771137B1 열전 터치 센서 有权
标题翻译：热电触摸传感器
公开(公告)号：KR101771137B1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：KR1020160127043
申请日：2016-09-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최덕현 , 최재영 , 김억수 , 이종수
IPC分类号： G06F3/041 , H03K17/96
摘要： 개시된열전터치센서는제1전극, 열전재료로형성된박막층, 제2전극및 상기제1전극및 상기제2전극사이를흐르는전류또는상기제1전극및 상기제2전극사이에걸리는전압을감지하는감지부를포함한다. 개시된열전터치센서는열전효과를이용하여외부전원없이신체등의접촉을감지할수 있는데, 여기서열전효과란열전소자의양단에온도차이가있을때 열전소자내부의캐리어가이동함으로기전력이발생하는현상이다.
摘要翻译：所公开的热转移触摸传感器检测，其检测第一电极之间施加电压时，热电材料的形成的薄膜层，第二电极和在第一电极和所述第二电流和所述第一电极和所述电极之间流动的第二电极它包括的部分。所公开的热转移触摸传感器是其中存在能够检测体的接触，如不存在外部电源的，其中，由热电效应的电动势是热元件在内部热元件的两端的现象时，载流子迁移之间在生成通过使用热电效应的温差。

8. 发明授权

KR101713994B1 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 有权
标题翻译：晶体管制造方法及包括晶体管的电子器件
公开(公告)号：KR101713994B1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：KR1020100138042
申请日：2010-12-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박경배 , 류명관 , 이광희 , 김태상 , 김억수 , 손경석 , 김현석 , 맹완주 , 박준석
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는채널층의백 채널영역(back channel region)에불소함유영역을구비할수 있다. 상기불소함유영역은불소를포함하는플라즈마로처리된영역일수 있다. 상기트랜지스터의소오스/드레인과채널층사이의계면영역은불소미함유영역일수 있다. 상기채널층은산화물반도체층일수 있다.
摘要翻译：晶体管包括设置在栅极上方并包括氧化物半导体的沟道层。源电极接触沟道层的第一端部，漏电极与沟道层的第二端部接触。沟道层还包括形成在源极和漏极之间的沟道层的上部的含氟区。

9. 发明公开

KR1020140062884A 박막 트랜지스터 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020140062884A
公开(公告)日：2014-05-26
申请号：KR1020120129784
申请日：2012-11-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김억수 , 이선희
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/24 , H01L29/78681 , H01L29/78696
摘要： The present invention relates to a thin film transistor. The thin film transistor according to one embodiment of the present invention includes a transition metal dichalcogenide (TMD) material layer, a channel layer which includes an insulating layer which is located between the transition metal dichalcogenide metal layers; a gate which controls the electrical property of the channel layer; and a source and a drain which touch the channel layer.
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜晶体管。根据本发明的一个实施方案的薄膜晶体管包括过渡金属二硫属元素（TMD）材料层，沟道层，其包括位于过渡金属二硫属化物金属层之间的绝缘层; 控制沟道层的电性能的栅极; 以及接触通道层的源极和漏极。

10. 发明公开

KR1020120134223A 다시점 3차원 영상 디스플레이 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：用于多视图3D图像显示的装置和方法
公开(公告)号：KR1020120134223A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：KR1020110053001
申请日：2011-06-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최규환 , 이홍석 , 송훈 , 최윤선 , 배정목 , 김억수
IPC分类号： H04N13/00 , G02B27/22
CPC分类号： G02B27/2292 , G02B26/005 , H04N13/322 , H04N13/00 , G02B27/22
摘要： PURPOSE: A multi view 3D image display device and a method thereof are provided to extend a range of a 3D image to a distance direction. CONSTITUTION: An image generating unit(110) generates an image. An active optical element(150) changes an optical progressing route including the image outputted from the image generating unit. The active optical element provides the image to a plurality of viewing points. A plurality of the viewing points is located according to a first direction which is in a line with the image generating unit. A variable focus lens(130) changes a location which the image is focused according to a second direction estranged from the image generating unit.
摘要翻译：目的：提供一种多视图3D图像显示装置及其方法，用于将3D图像的范围扩展到距离方向。构成：图像生成单元（110）生成图像。有源光学元件（150）改变包括从图像生成单元输出的图像的光学进行路线。有源光学元件将图像提供给多个观察点。根据与图像生成单元一行的第一方向，定位多个观察点。可变焦距透镜根据从图像生成单元不规则的第二方向改变图像聚焦的位置。

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