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1. 发明授权

KR101146668B1 광전 소자용 염료 및 이를 포함하는 광전 소자 失效
标题翻译：染料用于光电器件和包含染料的光电器件
公开(公告)号：KR101146668B1
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：KR1020060112778
申请日：2006-11-15
申请人： 삼성전자주식회사 , 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 정원철 , 이은성 , 박상철 , 박영준 , 손병희 , 남정규 , 조혜숙
IPC分类号： H01L31/02
CPC分类号： H01L51/0086 , C07F15/0053 , C09B57/10 , C09B69/04 , H01G9/2031 , H01G9/2059
摘要： 본 발명의 구현예들은 신규한 광전 소자용 염료 및 그 적용에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기존 염료의 비피리딜 리간드에 서로 다른 4급 암모늄을 도입한 광전 소자용 염료와 이를 포함하는 광전 소자에 관한 것이다. 본 발명의 구현예에 따른 염료는 빛에 대한 감응성 및 흡수특성이 향상되어, 이를 소자에 적용하는 경우 효율이 높은 광전 소자의 제조가 가능하다.
광전 소자, 염료, 4급 암모늄

2. 发明公开

KR1020080044013A 광전 소자용 염료 및 이를 포함하는 광전 소자 失效
标题翻译：用于光电装置的染料和包含染料的光电装置
公开(公告)号：KR1020080044013A
公开(公告)日：2008-05-20
申请号：KR1020060112778
申请日：2006-11-15
申请人： 삼성전자주식회사 , 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 정원철 , 이은성 , 박상철 , 박영준 , 손병희 , 남정규 , 조혜숙
IPC分类号： H01L31/02
CPC分类号： H01L51/0086 , C07F15/0053 , C09B57/10 , C09B69/04 , H01G9/2031 , H01G9/2059
摘要： A dye for photoelectric device and a photoelectric device comprising the same are provided to enhance the efficiency of the photoelectric device by improving sensitivity and absorbing characteristics to sunlight. A photoelectric device includes a transparent electrode(101), a metal oxide layer(105), a photo anode(107), a cathode(103), an electrolyte(102). The metal oxide layer is formed on the transparent electrode. The photo anode includes a dye(106). The electrolyte is positioned between the photo anode and the cathode. A light absorbing layer(104) is composed of the metal oxide layer and the dye. A conductive material is coated on the substrate. The conductive material includes ITO, FTO, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, and SnO2-Sb2O3.
摘要翻译：提供了一种用于光电装置的染料和包含该染料的光电装置，以通过提高对阳光的敏感度和吸收特性来提高光电装置的效率。光电器件包括透明电极（101），金属氧化物层（105），光阳极（107），阴极（103），电解质（102）。在透明电极上形成金属氧化物层。光阳极包括染料（106）。电解质位于光阳极和阴极之间。光吸收层（104）由金属氧化物层和染料构成。导电材料涂覆在基板上。导电材料包括ITO，FTO，ZnO-Ga2O3，ZnO-Al2O3和SnO2-Sb2O3。

3. 发明公开

KR1020080054971A 염료감응형 태양전지 및 그 제조방법 无效
标题翻译：透明的太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080054971A
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020060127734
申请日：2006-12-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 남정규 , 박상철 , 박영준 , 정원철 , 손병희 , 이은성 , 조혜숙
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/18
摘要： A dye-sensitized solar cell and a method for producing the same are provided to enhance light absorbing efficiency by forming a plurality of light scattering layers on a light absorbing layer. A first light absorbing layer(130a) includes dye-absorbed semiconductor particles and is formed on a first electrode(120). A first light scattering layer is formed on the first light absorbing layer. A second light absorbing layer includes dye-absorbed semiconductor particles and is formed on the first light scattering layer. A second light scattering layer is formed on the second light absorbing layer. An electrolyte layer is formed on the second light scattering layer. A second electrode is formed on the electrolyte layer.
摘要翻译：提供染料敏化太阳能电池及其制造方法，以通过在光吸收层上形成多个光散射层来提高光吸收效率。第一光吸收层（130a）包括被染料吸收的半导体颗粒并形成在第一电极（120）上。第一光散射层形成在第一光吸收层上。第二光吸收层包括染料吸收的半导体颗粒，并形成在第一光散射层上。第二光散射层形成在第二光吸收层上。在第二光散射层上形成电解质层。在电解质层上形成第二电极。

4. 发明授权

KR101327793B1 티오펜 유도체를 이용한 시모스 이미지 센서 有权
标题翻译：使用噻吩衍生物的CMOS图像传感器
公开(公告)号：KR101327793B1
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：KR1020070100944
申请日：2007-10-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김규식 , 박상철 , 박영준 , 권오현 , 남정규 , 조혜숙
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/307 , H01L27/14647 , H01L51/0036 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0085
摘要： 티오펜 유도체를 이용한 시모스 이미지 센서에 관하여 개시된다. 개시된 시모스 이미지 센서는: 형성된 제1광전변환부~제3광전변환부를 구비하며, 상기 제1광전변환부는 블루광을 검출하며, 제1전극; 상기 제1전극 하부의 p형 티오펜 유도체; 및 상기 p형 티오펜 유도체 하부의 제2전극;을 구비하는 것을 특징으로 한다.
티오펜 유도체; 펜타티오펜, 시모스 이미지 센서

5. 发明公开

KR1020130104219A ＬＥＤ 리드 프레임 변색 확인 방법 및 그 장치 无效
标题翻译：检查LED引线框架及其装置的方法
公开(公告)号：KR1020130104219A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120025543
申请日：2012-03-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문혜경 , 이관수 , 김정성 , 조혜숙
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L33/62 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： PURPOSE: A method and apparatus for checking the discoloration of an LED package lead frame are provided to reduce checking costs and time by enabling a user to check the discoloration with the naked eye without an SEM image. CONSTITUTION: An LED package lead frame is exposed by removing an encapsulant. A platinum layer is formed on the surface of the exposed LED package lead frame. The encapsulant includes sulfur or chlorine. The platinum layer is formed by a sputtering method or a beam deposition method. The sputtering method is performed for 10 to 60 seconds.
摘要翻译：目的：提供一种用于检查LED封装引线框架的变色的方法和装置，用于通过使用户能够在没有SEM图像的情况下用肉眼检查变色来降低检查成本和时间。构成：通过去除密封剂来暴露LED封装引线框架。在曝光的LED封装引线框架的表面上形成铂层。密封剂包括硫或氯。铂层通过溅射法或光束沉积法形成。溅射法进行10〜60秒。

6. 发明公开

KR1020090035910A 티오펜 유도체를 이용한 시모스 이미지 센서 有权
标题翻译： CMOS图像传感器使用THIOPHENE DORIVATIVES
公开(公告)号：KR1020090035910A
公开(公告)日：2009-04-13
申请号：KR1020070100944
申请日：2007-10-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김규식 , 박상철 , 박영준 , 권오현 , 남정규 , 조혜숙
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/307 , H01L27/14647 , H01L51/0036 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0085
摘要： A CMOS image sensor using thiophene derivatives can implement stable the CMOS image sensor by using thiopene derivative in blue pixel region contacting the CMOS image sensor. The first, and the second and third photoelectro transform portions(10, 20, 30) are vertically formed in the upper part of the semiconductor substrate(1). The transparent insulating layer(41~44) are formed in the top and lower part for the first, and the second and third photoelectro transform portions. The CMOS circuit part is formed in the lower part of the third photoelectro transform portion. The first photoelectro transform portion absorbs mainly the blue light in which wavelength. The second photoelectro transform portion absorbs the green light. The third photoelectro transform portion absorbs the red light. The first photoelectro transform portion comprises the p-type thiopene derivative layer(11) and the n-type thiopene derivative layer(12) formed between the first electrode(13) and the second electrode(14).
摘要翻译：使用噻吩衍生物的CMOS图像传感器可以通过在接触CMOS图像传感器的蓝色像素区域中使用噻吩衍生物来实现CMOS图像传感器的稳定。第一和第二和第三光电转换部分（10,20,30）垂直地形成在半导体衬底（1）的上部。透明绝缘层（41〜44）形成在第一和第二和第三光电转换部分的上部和下部。 CMOS电路部分形成在第三光电转换部分的下部。第一光电转换部分主要吸收波长的蓝光。第二光电转换部分吸收绿光。第三光电转换部分吸收红光。第一光电转换部分包括p型硫芘衍生物层（11）和形成在第一电极（13）和第二电极（14）之间的n型硫芘衍生物层（12）。

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