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热词
    • 2. 发明公开
    • 박막트랜지스터 제조방법과 이에 의해 제조된 기판 및 박막트랜지스터
    • 薄膜晶体管制造方法,基板和薄膜晶体管
    • KR1020000028541A
    • 2000-05-25
    • KR1019990000734
    • 1999-01-13
    • 삼성전자주식회사
    • 문규선정병후
    • H01L29/786
    • H01L29/66757
    • PURPOSE: A thin film transistor manufacturing method is to allow the active patterns not to be formed on the uneven crystallization areas of the polysilicon layers, thereby allowing the active patterns to perform normally their own functions and resulting in holding normally the operation of the thin film transistors adopting the active patterns. CONSTITUTION: A method comprises the steps of: calculating the scan pitches of the laser beam to be arranged alternatively the uneven crystallization areas of the crystallized polysilicon layers and the even crystallization areas in the regular intervals; scanning the laser beam depending to the scan pitches to crystallize the amorphous silicon layers into the polysilicon layers; calculating the interval pitches of the active patterns from the scan pitches of the laser beam; and forming the active patterns in the prescribed parts of the polysilicon layers depending to the interval pitches.
    • 目的:薄膜晶体管的制造方法是允许在多晶硅层的不均匀结晶区域上不形成有源图案,从而允许有源图案正常地执行其自身的功能,并导致保持薄膜的操作 采用有源图案的晶体管。 方案:一种方法包括以下步骤:计算激光束的扫描间距,以交替排列结晶多晶硅层的不均匀结晶区域和均匀结晶区域; 根据扫描间距扫描激光束以将非晶硅层结晶成多晶硅层; 从激光束的扫描间距计算有效图案的间隔间距; 以及根据间隔间距在多晶硅层的规定部分中形成有源图案。
    • 5. 发明授权
    • 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
    • 薄膜晶体管液晶显示装置的制造方法
    • KR100161459B1
    • 1999-01-15
    • KR1019950042620
    • 1995-11-21
    • 삼성전자주식회사
    • 김일곤윤찬주배병성정병후
    • G02F1/136
    • 박막트랜지스터 액정표시장치(TFT-LCD)의 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명은 기판상에 비정질 도전층패턴을 형성하는 단계와 상기 비정질도전층패턴위에 게이트 절연막 및 제1도전층패턴을 형성하는 단계와 상기 제1도전층패턴을 이온주입마스크로하여 상기 비정질 도전층 패턴에 불순물을 주입하는 단계와 상기 기판의 후면에서 레이저를 조사하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법을 제공한다.
      본 발명에 의하면, 박막트랜지스터 활성층의 결정화와 소오스/드레인 영역에 주입된 이온의 활성화를 위한 레이저 조사 공정이 기판 후면에서 행해지고 그 횟수가 감소함으로써 공정이 단순화되고 소오스/드레인 영역 및 게이트 절연막이 손상이 방지되어 전기적 신뢰성과 특성이 증대된 박막트랜지스터 액정표시장치를 제조할 수 있게 된다.
    • 8. 发明授权
    • 액정표시장치용박막트랜지스터기판
    • KR100315924B1
    • 2002-12-26
    • KR1019980053039
    • 1998-12-04
    • 삼성전자주식회사
    • 정병후
    • G02F1/136
    • PURPOSE: A thin film transistor substrate for a liquid crystal display is provided to prevent light leakage generated at the edge of a pixel without deteriorating aperture rate. CONSTITUTION: A thin film transistor substrate for a liquid crystal display includes a transparent substrate, a plurality of gate lines(110,120) formed on the transparent substrate, a plurality of sustain electrode lines(210,220) that are formed on the transparent substrate and have the first and second sustain electrode lines adjacent to each other, and a plurality of data lines(310,320) formed on the transparent substrate, intersecting the gate lines and sustain electrode lines, being insulated from the gate lines and sustain electrodes lines. The thin film transistor substrate further includes a pixel electrode(510) formed at a pixel region corresponding to each of the intersections of the gate lines and data lines, and a thin film transistor formed in proximity to each of the intersections of the gate lines and data lines. The thin film transistor has the first terminal(111) connected to each gate line, the second terminal(311) connected to each data line and the third terminal(312) connected to the pixel electrode. The pixel electrode is extended to cover the space between the gate line and sustain electrode line.