会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 5. 发明公开
    • 반도체 장치 및 그 제조방법
    • 半导体器件及其制造方法
    • KR1020150022486A
    • 2015-03-04
    • KR1020130100441
    • 2013-08-23
    • 삼성전자주식회사
    • 황성민김한수이운경이태희
    • H01L27/108H01L21/8242
    • 반도체 장치 및 그 제조방법이 제공된다. 반도체 장치는 기판 상의 매립 절연 패턴들, 상기 매립 절연 패턴들의 측벽들에 의해 정의되는 적층 구조체, 상기 적층 구조체를 관통하고, 상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로 배열되는 채널 구조체들의 제1 열 및 제2 열, 상기 제1 열과 상기 제2 열 사이의 상기 적층 구조체를 관통하여 상기 기판에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 방향으로 배열되는 분리 구조체들의 제3 열, 상기 분리 구조체들을 연결하고 상기 제1 방향으로 연장하는 제1 배선, 및 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 이격된 상기 채널 구조체들을 연결하고 상기 제2 방향으로 연장하는 제2 배선을 포함한다. 서로 인접하는 상기 분리 구조체들은 상기 적층 구조체 내에서 서로 이격되어 배치된다.
    • 提供半导体器件及其制造方法。 所述半导体器件包括:将绝缘图案埋在基板上; 由掩埋绝缘图案的侧壁限定的层压结构; 第一和第二列的通道结构,其穿透叠层叠层并沿平行于衬底的上侧的第一方向布置; 穿过第一列和第二列之间的层压结构的第三列分离结构电连接到基板,并且沿第一方向布置; 连接分离结构并沿第一方向延伸的第一线; 以及第二线,其将沿第二方向分开的通道结构与第一方向有趣,并且在第二方向上延伸。 相邻的分离结构在层压结构中彼此分离。