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热词
    • 3. 发明公开
    • 다수의 통신방식을 지원하는 무선통신 환경에서 네트워크 검색을 위한 방법 및 전자장치
    • 用于无线通信环境中网络连接的方法和电子设备,支持多种通信方式
    • KR1020150089855A
    • 2015-08-05
    • KR1020140010916
    • 2014-01-28
    • 삼성전자주식회사
    • 이두환윤영호서준기유성현이기원
    • H04W48/16H04W88/06
    • H04W48/16H04L5/1469H04W36/0022H04W88/06
    • 본발명의다양한실시예는다수의통신방식을지원하는무선통신환경에서네트워크검색방법및 장치에관한것이다. SVLTE(Simultaneous Voice and LTE) 및 CSFB(Circuit Switch-FallBack)를지원하기위해다수개의모뎀과다수개의안테나를포함하는전자장치의네트워크검색방법은, 부팅혹은재부팅이벤트혹은데이터서비스불가이벤트가발생할시, 통신모드를확인하는과정과, SVLTE 통신모드로동작하는경우, CSFB 통신모드와관련된통신방식에대응하는주파수대역을제외하고, 상기 SVLTE 통신모드와관련된통신방식에대응하는주파수대역을탐색하는과정을포함하며, 상기 SVLTE 통신모드는제1 안테나와연결된제1 모뎀을통해음성서비스를지원하고제2 안테나와연결된제2 모뎀을통해데이터서비스를지원하는모드이고, 상기 CSFB 통신모드는상기제1 안테나와연결된상기제2 모뎀을통해음성및 데이터서비스를지원하는모드이다.
    • 本发明涉及一种在无线通信环境中搜索网络以支持多种通信方法的方法和装置。 根据各种实施例,用于搜索包括用于支持同时语音和LTE(SVLTE)的多个调制解调器和多个天线的电子设备的网络的方法以及电路交换机回退(CSFB)包括以下步骤:确认启动时的通信模式或 重新启动事件或不可用的数据服务事件发生; 并且在SVLTE通信模式下操作的情况下,搜索与除了与CSFB通信模式相关的通信方式对应的频带之外的与SVLTE通信模式有关的通信方式的通信方式的频带,其中,SVLTE通信模式支持 通过连接到第一天线的第一调制解调器的语音服务,并且通过连接到第二天线的第二调制解调器支持数据服务,并且CSFB通信模式通过连接到第一天线的第二调制解调器支持语音和数据业务。
    • 10. 发明公开
    • 반도체 메모리 장치의 금속 배선 방법
    • 半导体存储器件的金属接线方法
    • KR1020000001401A
    • 2000-01-15
    • KR1019980021660
    • 1998-06-11
    • 삼성전자주식회사
    • 이두환김성태허원구박인선
    • H01L21/28
    • PURPOSE: A metal wiring method of memory devices is provided to enhance an adhesive force between a tungsten layer and an insulating layer and prevent a lifting by forming a glue layer between the tungsten layer and the insulating layer. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: forming a first insulating layer(102) on a semiconductor substrate(100); forming a first conductive layer(104) on the first insulating layer(102); forming a second conductive layer(106) on the first conductive layer(104); forming a glue layer(108) on the second conductive layer(106) by plasma treatment; forming a second insulating layer(110) on the glue layer(108); and forming a third conductive layer(112) on the second insulating layer(110) by reflow process.
    • 目的:提供存储器件的金属布线方法以增强钨层和绝缘层之间的粘合力,并通过在钨层和绝缘层之间形成胶层来防止提升。 构成:该方法包括以下步骤:在半导体衬底(100)上形成第一绝缘层(102); 在所述第一绝缘层(102)上形成第一导电层(104); 在所述第一导电层(104)上形成第二导电层(106); 通过等离子体处理在第二导电层(106)上形成胶层(108); 在所述胶层(108)上形成第二绝缘层(110); 以及通过回流处理在所述第二绝缘层(110)上形成第三导电层(112)。