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1. 发明授权

KR101756130B1 반도체 저장 장치 및 상기 반도체 저장 장치의 성능 조절 방법 有权
标题翻译：半导体存储装置和用于调整半导体存储装置的性能的方法
公开(公告)号：KR101756130B1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：KR1020100080697
申请日：2010-08-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 우영재 , 이동기 , 황성식 , 권혁선
IPC分类号： G06F3/06 , G06F13/20 , G06F13/14
摘要： 반도체저장장치및 상기반도체저장장치의성능조절방법이개시된다. 본발명의반도체저장장치의성능조절방법은, 상기반도체저장장치의워크로드와관련된둘 이상의워크로드데이터를수집하는단계; 수집된둘 이상의워크로드데이터를이용하여워크로드를예측하는단계; 및예측된워크로드에따라상기반도체저장장치의성능을조절하는단계를구비하여, 반도체저장장치가겪을워크로드를예측할수 있다.
摘要翻译：公开了一种半导体存储器件和用于控制半导体存储器件的性能的方法。一种调整本发明的半导体存储器件的性能的方法包括：收集与半导体存储器件的工作负载相关的至少两个工作量数据; 使用至少两个收集的工作量数据预测工作量; 并根据预测的工作量调整半导体存储设备的性能，从而预测半导体存储设备将经历的工作量。

2. 发明公开

KR1020110093259A 불휘발성 메모리 시스템과 이의 동작 방법 有权
标题翻译：非易失性存储器系统和使用该存储器的操作方法
公开(公告)号：KR1020110093259A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100013183
申请日：2010-02-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 장미경 , 이진혁
IPC分类号： G06F13/16 , G06F11/10 , G06F12/00
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F11/1068 , G06F2212/1032 , G06F2212/7207 , H03M13/05
摘要： PURPOSE: A nonvolatile memory system and operation method thereof are provided to effectively manage uncorrectable sector information by storing the uncorrectable sector information with a page stored in the sector data. CONSTITUTION: A nonvolatile memory(40) includes data area and uncorrectable information area. The data area includes a sector area storing sector data. The uncorrectable information area stores uncorrectable sector information about the sector area. A controller(24) includes information generating unit which generates the uncorrectable sector information according to the command of a host. The uncorrectable sector information indicates whether the sector area is appointed to the uncorrectable sector area.
摘要翻译：目的：提供一种非易失性存储器系统及其操作方法，通过存储扇区数据中存储的页面来存储不可校正的扇区信息来有效地管理不可校正的扇区信息。构成：非易失性存储器（40）包括数据区和不可校正的信息区。数据区包括存储扇区数据的扇区。不可校正的信息区域存储关于扇区区域的不可校正扇区信息。控制器（24）包括根据主机的命令产生不可校正扇区信息的信息产生单元。不可校正扇区信息指示扇区是否被指定到不可校正扇区区域。

3. 发明授权

KR101824067B1 반도체 저장 장치의 성능 조절을 위한 반도체 저장장치와 호스트간 인터페이스 방법 및 그 장치 有权
标题翻译：半导体存储装置和用于控制半导体存储装置性能的主机接口方法及其装置
公开(公告)号：KR101824067B1
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：KR1020100080862
申请日：2010-08-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 이동기 , 권혁선
IPC分类号： G11C13/00 , G06F11/10
摘要： 반도체저장장치의성능조절을위한상기반도체저장장치와호스트간의인터페이스방법및 그장치가개시된다. 상기인터페이스방법은상기호스트로부터설정요청명령을수신하는단계; 상기반도체저장장치가상기설정요청명령에응답하여, 요청된성능조절파라미터를특정값으로설정하는단계; 및상기반도체저장장치가상기호스트로상기성능조절파라미터의설정을완료하였음을나타내는설정응답신호를전송하는단계를구비한다.
摘要翻译：公开了一种用于在半导体存储设备与主机之间进行接口以控制半导体存储设备的性能的方法和设备。该接口方法包括：从主机接收配置请求命令; 响应于所述设置请求命令，将所请求的性能控制参数设置为特定值; 并且向主机发送指示半导体存储装置已经完成了性能调整参数的设置的设置响应信号。

4. 发明授权

KR101702392B1 반도체 저장 장치 및 상기 반도체 저장 장치의 성능 조절 방법 有权
标题翻译：用于半导体存储装置的节流性能的半导体存储装置和方法
公开(公告)号：KR101702392B1
公开(公告)日：2017-02-06
申请号：KR1020100080698
申请日：2010-08-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 우영재 , 이동기 , 김광호 , 권혁선
IPC分类号： G06F13/16 , G06F3/06
CPC分类号： G06F3/0616 , G06F3/0613 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F13/1668 , G06F2206/1014
摘要： 반도체저장장치및 상기반도체저장장치의성능조절방법이개시된다. 본발명의반도체저장장치의성능조절방법은, 컨트롤러가호스트로부터쓰기명령및 쓰기데이터를수신하는단계; 및상기쓰기명령에응답하여, 상기컨트롤러가상기비휘발성메모리로상기쓰기데이터를인가하여, 상기쓰기데이터를메모리셀어레이에프로그램하는단계를구비하며, 상기단계들중의적어도하나의단계내에또는상기두 단계사이에설정된성능레벨에따른아이들타임(idle time)이삽입된다.
摘要翻译：提供半导体存储装置及其节流方法。半导体存储装置包括非易失性存储装置，以及控制器，被配置为从主机和程序接收写入命令，并且响应写入命令将从主机接收到的数据写入到非易失性存储器装置。控制器在接收到来自主机的写入数据和/或在将写入数据编程到非易失性存储器件之后插入空闲时间。

5. 发明授权

KR101648531B1 불휘발성 메모리 시스템과 이의 동작 방법 有权
标题翻译：非易失性存储器系统和操作方法使用相同
公开(公告)号：KR101648531B1
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：KR1020100013183
申请日：2010-02-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 장미경 , 이진혁
IPC分类号： G06F13/16 , G06F11/10 , G06F12/00
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F11/1068 , G06F2212/1032 , G06F2212/7207 , H03M13/05
摘要： 불휘발성메모리시스템이개시된다. 상기불휘발성메모리시스템은섹터데이터를저장하기위한섹터영역을포함하는데이터영역과, 상기섹터영역에대한언커렉터블정보를저장하기위한언커렉터블정보영역을포함하는불휘발성메모리; 및호스트로부터출력된명령에따라상기섹터영역이언커렉터블섹터영역으로지정되었는지의여부를지시하는상기언커렉터블정보를생성하기위한정보생성유닛을포함한다.

6. 发明公开

KR1020120017911A 반도체 저장 장치의 성능 조절을 위한 반도체 저장장치와 호스트간 인터페이스 방법 및 그 장치 审中-实审
标题翻译：用于半导体存储器件的转换性能的主机和半导体存储器件之间的接口的方法及其装置
公开(公告)号：KR1020120017911A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020100080862
申请日：2010-08-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 이동기 , 권혁선
IPC分类号： G11C13/00 , G06F11/10
CPC分类号： G11C13/00 , G06F11/108 , G11C13/004 , G11C13/0069
摘要： PURPOSE: A method and apparatus for interfacing between a semiconductor storage device and a host are provided to control the performance of the semiconductor storage device by setting a performance control parameter to a specific value. CONSTITUTION: A set request command is received from a host(S610). A semiconductor storage device sets the requested performance control parameter to a specific value in response to the set request command. The semiconductor storage device transmits a set response signal(S620).
摘要翻译：目的：提供一种用于在半导体存储设备和主机之间进行接口的方法和设备，以通过将性能控制参数设置为特定值来控制半导体存储设备的性能。构成：从主机接收到设定请求命令（S610）。半导体存储装置响应于设定请求命令将请求的性能控制参数设置为特定值。半导体存储装置发送设定的响应信号（S620）。

7. 发明公开

KR1020100063495A 플래시 메모리를 포함하는 반도체 장치 및 이의 어드레스 사상 방법 有权
标题翻译：包含闪速存储器的半导体器件及其地址映射方法
公开(公告)号：KR1020100063495A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020080122041
申请日：2008-12-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 고영구 , 임정빈 , 용환진 , 이창희
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/34
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/2022 , G11C16/08 , G11C16/10
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and an address mapping method thereof are provided to efficiently allocate storage space between dissimilar log types by changing a log block to one log block according to a log type. CONSTITUTION: A log type decision part(110) selects one among a first log type and a second log type which are dissimilar type according to the request of a processor of a semiconductor device. A first type log part(120) receives and writes a logical address for programming to a flash memory and program data to corresponding block when a control signal is selected to a first log type. A second type log part(130) receives and writes a logical address for programming to a flash memory and program data when a control signal is selected to a second log type. A merge part(140) changes a log block which is included in a log part among a first type log part and a second type log part to the log block of a different log part in response to the conversion request included in a control signal.
摘要翻译：目的：提供半导体器件及其地址映射方法，以通过根据日志类型将日志块改变为一个日志块来有效地分配不同日志类型之间的存储空间。构成：日志类型判定部（110）根据半导体装置的处理器的请求，选择不同种类的第一对数类型和第二对数类型之一。当控制信号被选择为第一对数类型时，第一类型对数部分（120）接收并写入用于编程的逻辑地址到闪速存储器并将其写入对应的块。当控制信号被选择为第二种类型时，第二类型日志部分（130）接收并写入用于编程的逻辑地址到闪速存储器和程序数据。响应于包括在控制信号中的转换请求，合并部件（140）将包括在第一类型日志部分和第二类型日志部分中的日志部分中的日志块更改为不同日志部分的日志块。

8. 发明授权

KR101702393B1 반도체 저장 장치 및 상기 반도체 저장 장치의 성능 조절 방법 有权
标题翻译：用于半导体存储装置的节流性能的半导体存储装置和方法
公开(公告)号：KR101702393B1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：KR1020100080699
申请日：2010-08-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 우영재 , 이동기 , 문영국 , 권혁선
IPC分类号： G06F13/16 , G06F3/06
摘要： 반도체저장장치및 상기반도체저장장치의성능조절방법이개시된다. 본발명의비휘발성메모리장치및 상기비휘발성메모리장치를제어하는컨트롤러를포함하는반도체저장장치의성능조절방법은, 상기반도체저장장치를제1 성능레벨에따라동작시키는단계; 새로운성능레벨을산출하는단계; 상기산출된성능레벨을미리정해진기준과비교하는단계; 상기비교결과에따라, 상기산출된성능레벨을제2 성능레벨로결정하는단계; 상기반도체저장장치를상기제2 성능레벨에따라동작시키는단계를구비한다.
摘要翻译：目的：提供一种用于调整半导体存储装置的性能的半导体存储装置和方法，以根据装置的工作量自适应地调整装置的性能。构成：控制器计算新的性能等级（S121）。控制器将计算的新性能水平与预定参考值进行比较。如果新的性能级别低于最低性能级别，则控制器选择最低性能级别并应用所选择的最低性能级别（S123）。如果新的性能级别等于或大于最低性能级别，则控制器选择应用新的性能级别（S124）。

9. 发明公开

KR1020120028581A 비휘발성 메모리 장치, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 장치들 无效
标题翻译：非易失性存储器件，其操作方法和具有相同功能的半导体系统
公开(公告)号：KR1020120028581A
公开(公告)日：2012-03-23
申请号：KR1020100090517
申请日：2010-09-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 김장환 , 임정빈
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7205
摘要： PURPOSE: A non-volatile memory apparatus, an operation method thereof, and apparatuses including the same are provided to effectively manage data stored in a flash memory by preferentially performing a garbage collection process with respect to data blocks which requires a refresh process. CONSTITUTION: A flash memory(60) comprises a plurality of data blocks. A memory controller(50) comprises a garbage collection block determination part(52), a refresh block determination part, and a garbage collection execution part. The garbage collection block determination part determines first data blocks among the plurality of data blocks. The refresh block determination part determines second data blocks among the first data blocks. The garbage collection execution part preferentially performs a garbage collection process with respect to the second data blocks.
摘要翻译：目的：提供一种非易失性存储装置及其操作方法以及包括该非易失性存储装置的装置，通过优先执行对需要刷新处理的数据块的垃圾收集处理来有效地管理存储在闪速存储器中的数据。构成：闪存（60）包括多个数据块。存储器控制器（50）包括垃圾收集块确定部分（52），刷新块确定部分和垃圾收集执行部分。垃圾收集块确定部分确定多个数据块中的第一数据块。刷新块确定部确定第一数据块中的第二数据块。垃圾收集执行部优先对第二数据块执行垃圾收集处理。

10. 发明公开

KR1020120017831A 반도체 저장 장치 및 상기 반도체 저장 장치의 성능 조절 방법 有权
标题翻译：半导体存储器件的半导体存储器件及其转换性能的方法
公开(公告)号：KR1020120017831A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020100080698
申请日：2010-08-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 우영재 , 이동기 , 김광호 , 권혁선
IPC分类号： G06F13/16 , G06F3/06
CPC分类号： G06F3/0616 , G06F3/0613 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F13/1668 , G06F2206/1014
摘要： PURPOSE: A semiconductor storing apparatus and a method for adjusting the performance of the semiconductor storing apparatus are provided to effectively adjust the performance of the apparatus by inserting idle time after the operating process of the apparatus according to the workloads of the apparatus. CONSTITUTION: A controller receives a writing command from a host(S210). Writing data is received from the host(S230). The received writing data is programmed in the memory cell array of a non-volatile memory(S250). When the writing data is programmed, a semiconductor storing apparatus transmits the writing operation complete signal to the host(S270). Idle time is inserted after at least one of processes according to set performance levels.
摘要翻译：目的：提供一种用于调整半导体存储装置的性能的半导体存储装置和方法，用于根据装置的工作负载在装置的操作处理之后插入空闲时间来有效地调整装置的性能。构成：控制器从主机接收写入命令（S210）。从主机接收写入数据（S230）。所接收的写入数据被编程在非易失性存储器的存储单元阵列中（S250）。当写入数据被编程时，半导体存储装置向主机发送写入操作完成信号（S270）。根据设定的性能等级，在至少一个进程之后插入空闲时间。

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