会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 2. 发明公开
    • 도어가드 어셈블리 및 이를 갖는 냉장고
    • 门卫组件和具有相同的冰箱
    • KR1020170065216A
    • 2017-06-13
    • KR1020150171378
    • 2015-12-03
    • 삼성전자주식회사
    • 엄태인박남수함형근이선주이영석장복현사이먼최준혁
    • F25D23/04F25D23/02
    • F25D23/025E05C19/161F25D11/02F25D23/04F25D25/04F25D2323/023F25D2400/06
    • 일체로마련되어도어의개구부에착탈가능하게결합되며높낮이가조절되는도어가드어셈블리및 이를갖는냉장고를제공한다. 냉장고는복수개의도어가드어셈블리가마련되는개구부를갖는도어를포함하며, 도어가드어셈블리는내부에음식물이보관되는도어가드, 상기개구부의양 측벽에착탈가능하게고정되는가이드, 상기도어가드의양 측벽에착탈가능하게결합되어상기가이드에의해상하방향으로이동되도록가이드되며, 상하방향으로복수개의걸림턱을갖는걸림부가마련되는이동유닛, 상기가이드에결합되며, 상기걸림턱에걸림및 걸림해제되어상기이동유닛의위치를조절하는스토퍼및 상기이동유닛이상기가이드의상단까지이동되면, 상기걸림턱으로부터이탈된상기스토퍼가고정되도록하는래치를포함한다.
    • 并且门防护组件可拆卸地连接到门的开口,门防护组件可在高度上调节并且具有门防护组件的冰箱。 冰箱包括具有开口的门,在该开口处设置有多个门防护组件,门防护组件包括用于存储食物的门防护装置,可拆卸地固定到开口的两个侧壁的导向装置, 移动单元,其可拆卸地联接到引导件并且被引导件引导成通过引导件在竖直方向上移动,并且具有多个在竖直方向上具有多个钩的钩, 用于调节移动单元的位置的止动器以及用于在移动单元移动到导向单元导向件的上端时将从止动爪分离的止动件固定的闩锁。
    • 4. 发明授权
    • 탐침 또는 전도성 구조를 이용한 강유전층의 비트 기록 방법
    • 使用探针或导电结构的电磁介质中的位记录方法
    • KR100842890B1
    • 2008-07-03
    • KR1020070008059
    • 2007-01-25
    • 삼성전자주식회사
    • 홍승범김윤석노광수좌성훈사이먼김지윤
    • G11B9/14G11B9/02
    • G11B9/02
    • A bit recording method in ferroelectric media using a probe or conductive structure is provided to apply base bias voltage between switching voltages so as to prevent changes in potential and record a small bit. A bit recording method in ferroelectric media comprises the steps of: contacting a probe with the surface of a recording medium and applying switching voltages to the recording medium and the probe for recording bits; and equalizing the potential of the probe and the potential of the recording medium surface to prevent a potential distortion by applying base bias voltage between the switching voltages, where the base bias voltage is a voltage between the negative switch voltage and the ground voltage when recording '0' bit, and a voltage between the ground voltage and the positive switching voltage when recording '1' bit.
    • 提供使用探针或导电结构的铁电介质中的位记录方法,以在切换电压之间施加基极偏置电压,以便防止电位变化并记录小位。 在铁电介质中的位记录方法包括以下步骤:将探针与记录介质的表面接触并向记录介质和探针施加开关电压以记录位; 并且通过在开关电压之间施加基极偏置电压来平衡探针的电位和记录介质表面的电位以防止电位失真,其中基极偏置电压是记录“负极”时的负开关电压和接地电压之间的电压 0'位,当记录“1”位时,接地电压与正切换电压之间的电压。
    • 6. 发明公开
    • 유도 가열 조리기기
    • 感应加热烹饪机
    • KR1020150060425A
    • 2015-06-03
    • KR1020130144821
    • 2013-11-26
    • 삼성전자주식회사
    • 이지형강준석사이먼이영석
    • H05B6/12A47J27/00
    • H05B6/1218G06F3/14G06T11/00G06T11/20G09G3/002H05B2206/022
    • 유도가열조리기기는조리용기가올려놓이는강화내열유리와, 상기강화내열유리의아래에위치되고자기장을발생시키는유도코일부와, 유도코일부의반경방향외측및 강화내열유리의수직방향아래측에원주방향을따라상호이격되도록마련되는다수의엘이디들과, 다수의엘이디들의전면에각각마련되는다수의볼록렌즈들과, 강화내열유리의저면에마련되는광차단필름과, 다수의엘이디들에서발산된빛이통과하도록광차단필름에형성되는슬릿을포함하여, 엘이디들에서발산되는빛은경사투영되어조리용기의측면하단부에실제와유사한불꽃이미지를형성한다.
    • 一个感应加热烹调器包括一个耐热钢化玻璃,烹饪容器位于该耐火钢化玻璃上; 感应线圈部分,其位于耐热钢化玻璃下方并产生磁场; 多个LED,其在所述耐热钢化玻璃的垂直方向的周向上分别形成在所述感应线圈部的半径方向外侧; 多个凸透镜,形成在LED的前侧; 形成在耐热钢化玻璃的下侧的遮光膜; 以及形成在遮光膜上以透射从LED发射的光的狭缝。 通过倾斜投影从LED发射的光,在烹饪容器的侧面的下侧形成类似于真实火焰的火焰图像。
    • 7. 发明公开
    • 강유전체 기록매체 및 그의 제조 방법과 이를 이용한정보저장장치
    • 电磁介质及其制造方法及其使用的信息存储装置
    • KR1020080082133A
    • 2008-09-11
    • KR1020070022553
    • 2007-03-07
    • 삼성전자주식회사
    • 사이먼홍승범
    • G11B9/02
    • G11B9/02Y10T428/26Y10T428/31504
    • A ferroelectric recording media, a method for manufacturing the same, and an information storage device using the same are provided to prevent breakdown at high voltage by forming an insulator layer between a bottom electrode layer and a ferroelectric layer. A method for manufacturing a ferroelectric recording media comprises the steps of: forming a bottom electrode layer(110) on a substrate(100); forming an insulator layer(120) on the bottom electrode layer; and forming a ferroelectric layer(130) for recording data on the insulator layer. The insulator layer of 0.5 to 50nm is made of any one of insulating materials including ZrO2, TiO2, MgO, SrTiO3, Al2O3, HfO2, NbO, SiO2, and Si3N4.
    • 提供铁电记录介质,其制造方法和使用其的信息存储装置,以通过在底部电极层和铁电体层之间形成绝缘体层来防止高压下的击穿。 制造铁电记录介质的方法包括以下步骤:在基板(100)上形成底电极层(110); 在所述底部电极层上形成绝缘体层(120); 以及形成用于在绝缘体层上记录数据的铁电层(130)。 0.5至50nm的绝缘体层由包括ZrO 2,TiO 2,MgO,SrTiO 3,Al 2 O 3,HfO 2,NbO,SiO 2和Si 3 N 4的绝缘材料中的任一种制成。