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1. 发明授权

KR101831378B1 반도체 제조 장치 有权
公开(公告)号：KR101831378B1
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：KR1020110049091
申请日：2011-05-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한일영 , 권재성 , 박상욱 , 김원근
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H05B6/80
摘要： 반도체제조장치가제안될수 있다. 상기반도체제조장치는밑면, 측벽, 및덮개를가지는챔버를포함할수 있다. 상기챔버의내부에조사유닛이배치될수 있다. 상기밑면과조사유닛사이에기판안착유닛이배치될수 있다. 상기조사유닛은하면이개방된디스크모양의중공형조사관, 및조사관의중앙을관통하는중앙홀을포함할수 있다.

2. 发明公开

KR1020150030023A 반도체 패키지 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150030023A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：KR1020130109199
申请日：2013-09-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김원근 , 이인영 , 전창성 , 조태제
IPC分类号： H01L23/34
CPC分类号： H01L25/105 , H01L23/3128 , H01L23/345 , H01L23/36 , H01L23/3677 , H01L24/19 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2225/06517 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 반도체 패키지 및 그 제조방법을 제공한다. 반도체 패키지 제조방법은 기판 상에 칩 영역, 열전달 영역, 및 상기 열전달 영역 상에 배치된 하부 열전달 패턴을 포함하는 제1 반도체칩을 실장하는 것; 상기 제1 반도체칩의 상기 칩 영역 상에 제2 반도체칩을 실장하는 것; 상기 기판 상에 상기 제1 반도체칩 및 상기 제2 반도체칩을 둘러싸는 몰드막을 형성하는 것; 상기 몰드막의 내에 상기 하부 열전달 패턴을 노출시키는 개구부를 형성하는 것; 상기 개구부 내에 열통로 패턴을 형성하는 것; 및 상기 제2 반도체칩 및 상기 몰드막 상에 상기 열통로 패턴과 연결되는 열방출부를 형성하는 것을 포함할 수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种半导体封装及其制造方法。制造半导体封装的方法包括以下步骤：将布置在基板上的传热区域上的芯片区域，传热区域和底部传热图案包括在内的第一半导体芯片安装; 将第二半导体芯片安装在第一半导体芯片的芯片区域上; 形成模制层以围绕所述基板上的所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片; 形成开口部分以暴露模层中的底部传热图案; 在所述开口部中形成热路图案; 以及形成与第二半导体芯片和模具层上的热路图案连接的散热部。

3. 发明授权

KR101493872B1 백그라인딩-언더필 필름, 그 형성방법, 이를 이용한 반도체패키지 및 그 형성방법 有权
标题翻译：背面研磨 - 底部填充膜，其方法，半导体封装以及使用背面研磨 - 底部填充膜形成其的方法
公开(公告)号：KR101493872B1
公开(公告)日：2015-02-17
申请号：KR1020080081369
申请日：2008-08-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김원근 , 정명기 , 강명성
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L25/0657 , H01L2221/68381 , H01L2224/73203 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/01078
摘要： 백그라인딩 필름과 언더필 필름이 라미네이팅된 필름을 사용하여 공정을 단순화할 수 있는 반도체 패키지 형성방법을 제공한다. 본 발명의 반도체 패키지의 형성 방법은 백그라인딩 필름과 언더필 필름이 라미네이트된 백그라인딩-언더필 필름을 상기 언더필 필름 부분이 반도체 웨이퍼의 전면에 점착되도록 상기 반도체 웨이퍼 위에 마운트하는 단계; 상기 백그라인딩-언더필 필름이 마운트된 상기 반도체 웨이퍼의 후면을 백그라인딩하는 단계; 상기 반도체 웨이퍼로부터 상기 백그라인딩-언더필 필름 중 상기 백그라인딩 필름 부분을 제거하는 단계; 및 상기 반도체 웨이퍼로부터 반도체 칩을 분리하도록 상기 백그라인딩 필름 부분이 제거된 상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 단계; 를 포함한다.
백그라인딩, 언더필, 라미네이팅 필름

4. 发明公开

KR1020120130968A 반도체 제조 장치 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的设备
公开(公告)号：KR1020120130968A
公开(公告)日：2012-12-04
申请号：KR1020110049091
申请日：2011-05-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한일영 , 권재성 , 박상욱 , 김원근
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H05B6/80 , H01L21/50 , H01L21/64 , H01L21/67
摘要： PURPOSE: An apparatus for manufacturing a semiconductor is provided to maintain a cleaning period to be long by absorbing microwaves which are reflected from a processing chamber. CONSTITUTION: A chamber comprises a bottom plane, a sidewall, and a cover(20). An irradiation unit(180) is located inside the chamber. A substrate mounting unit(30) is arranged between the bottom plane and the irradiation unit. An irradiation tube is formed into a disk shape with an opening lower side. A center hole passes through the center of the irradiation tube.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体的装置，通过吸收从处理室反射的微波来保持清洁周期较长。构成：室包括底平面，侧壁和盖（20）。照射单元（180）位于室内。衬底安装单元（30）布置在底平面和照射单元之间。照射管形成为具有开口下侧的盘状。中心孔穿过照射管的中心。

5. 发明公开

KR1020080003994A 레이저 소잉용 다이싱 필름 및 다이싱 테이프 无效
标题翻译：激光切割片和打印带
公开(公告)号：KR1020080003994A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：KR1020060062403
申请日：2006-07-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김원근 , 박태성 , 송현정
IPC分类号： C09J7/00 , C09J123/08
CPC分类号： B32B27/32 , C09J2203/326 , C09J2423/046 , C09J2423/106 , C09J2431/006
摘要： A polyolefin-based dicing film for laser sawing is provided to prevent generation of pick-up errors caused by the heat from laser beams leading to melting of a dicing film or damages on a dicing film. A polyolefin-based dicing film(50) has a transmission of 80-99% and a reflectance of 1-20% to the light having a wavelength of 355 nm. The polyolefin includes polyethylene, polypropylene, polytetrafluoroethylene, polymethylpentene, or polyvinyl acetate. Preferably, the polyolefin includes a polypropylene having a weight average molecular weight of 200,000-1,500,000, or a blend containing a low-density polyethylene having a weight average molecular weight of 100,000-2,000,000 and ethylene vinyl acetate having a weight average molecular weight of 50,000-1,500,000 in a weight ratio of 30:70-65:35.
摘要翻译：提供了一种用于激光锯切的聚烯烃切割膜，用于防止由导致切割膜熔化的激光束的热量引起的拾取误差的产生或切割膜上的损坏。聚烯烃类切割膜（50）对波长355nm的光具有80-99％的透射率和1-20％的反射率。聚烯烃包括聚乙烯，聚丙烯，聚四氟乙烯，聚甲基戊烯或聚乙酸乙烯酯。优选地，聚烯烃包括重均分子量为200,000-1,500,000的聚丙烯，或包含重均分子量为100,000-2,000,000的低密度聚乙烯和重均分子量为50,000〜重量比为30：70-65：35的1,500,000。

6. 发明授权

KR100121997B1 플리커(flicker) 보상형 액정 표시 장치 및 그 구동 방법 失效
标题翻译：液晶显示及其驱动方法
公开(公告)号：KR100121997B1
公开(公告)日：1997-11-18
申请号：KR1019930026570
申请日：1993-12-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손정하 , 김원근 , 배병성
IPC分类号： G02F1/136
摘要： Disclosed is a flicker compensation liquid crystal display including an entire plane cover and a light sensing device. An active matrix liquid crystal display uses a TFT as a switching device. The entire plane cover fixes the display panel. The light sensing device is connected between the entire plane cover and the display panel. A flicker signal is converted an electrical signal by using the light sensing device. A voltage(Vcom) is automatically adjusted through a feedback control portion so that the flicker of the electrical signal can be minimize. Thus, the liquid crystal display can have high reliability.
摘要翻译：公开了一种包括整个平面盖和光感测装置的闪烁补偿液晶显示器。有源矩阵液晶显示器使用TFT作为开关器件。整个飞机盖固定显示面板。光感测装置连接在整个平面盖和显示面板之间。通过使用光感测装置将闪烁信号转换成电信号。通过反馈控制部分自动调节电压（Vcom），使得电信号的闪烁可以最小化。因此，液晶显示器可以具有高的可靠性。

7. 发明授权

KR100095402B1 바텀 게이트를 구비한 FID 폴리 실리콘 TFT 失效
公开(公告)号：KR100095402B1
公开(公告)日：1996-02-07
申请号：KR1019920011366
申请日：1992-06-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한정인 , 김철수 , 김원근
IPC分类号： H01L29/78

8. 发明授权

KR1019950009797B1 바텀 게이트를 구비한 FID 폴리 실리콘 TFT 失效
标题翻译：带底栅的FID多晶硅TFT
公开(公告)号：KR1019950009797B1
公开(公告)日：1995-08-28
申请号：KR1019920011366
申请日：1992-06-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한정인 , 김철수 , 김원근
IPC分类号： H01L29/78
摘要： The field induction drain (FID) TFT includes source and drain electrodes formed on an insulative substrate, a bottom gate which is placed between the source and drain electrodes and surrounded with a first gate insulating layer, a semiconductor layer formed on the source, drain electrodes and first gate insulating layer, a main gate whose length is shorter than that of the bottom gate, which is formed on the semiconductor layer having a second gate insulating layer therebetween, and a sub gate selectively superposed on the source and drain electrodes through a third insulating layer formed on the main gate and semiconductor layer.
摘要翻译：场感应漏极（FID）TFT包括形成在绝缘衬底上的源极和漏极，设置在源极和漏极之间并被第一栅极绝缘层包围的底栅，形成在源极上的半导体层，漏极以及第一栅极绝缘层，其长度比底部栅极短的主栅极，其形成在其间具有第二栅极绝缘层的半导体层上，以及通过第三栅极绝缘层选择性地重叠在源极和漏极上的子栅极绝缘层形成在主栅极和半导体层上。

9. 发明授权

KR1019950004789B1 다결정실리콘의 결정성장법 失效
标题翻译：用于生长聚硅氧烷的方法
公开(公告)号：KR1019950004789B1
公开(公告)日：1995-05-10
申请号：KR1019910024665
申请日：1991-12-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김철수 , 한정인 , 김원근
IPC分类号： C30B29/06
摘要： The crystal growth method for polycrystalline silicon comprises (a) laminating the buffer layer on an insulating glass substrate, (b) forming the intermediate material layer of low melting point metallic or other compounds including fluorine, hydrogen and chlorine etc. on the buffer layer for liquid phase growth, (c) forming amorphous or polycrystalline silicon layer on the mediation material layer by electron beam deposition or sputtering, and (d) annealing the above laminates at 600 deg.C for less than 10 hrs. and cleaning.
摘要翻译：多晶硅的晶体生长方法包括：（a）在绝缘玻璃基板上层叠缓冲层，（b）在缓冲层上形成低熔点金属或其他化合物的中间材料层，包括氟，氢和氯等液相生长，（c）通过电子束沉积或溅射在介质材料层上形成非晶或多晶硅层，以及（d）在600℃下将上述层压板退火少于10小时。和清洁。

10. 发明公开

KR1019940001452A 3차원 채널구조를 갖는 고속 박막 트랜지스터의 제조방법 失效
标题翻译：一种制造具有三维沟道结构的高速薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR1019940001452A
公开(公告)日：1994-01-20
申请号：KR1019920011367
申请日：1992-06-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김원근 , 김철수 , 한정인
IPC分类号： H01L29/78

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