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1. 发明授权

KR100243832B1 라디오 수신기 失效
标题翻译：无线接收器
公开(公告)号：KR100243832B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019960041209
申请日：1996-09-20
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 고바야시게이지 , 노구찌야스나리
IPC分类号： H04B1/16
CPC分类号： H03J3/32 , H03J1/0033
摘要： 가변 용량 소자의 변동에 기인하는 트래킹 에러를 방지함과 동시에 RF 동조 회로의 제어 시간을 단축한다.
바렉터 다이오드(varactor diode; 1a)의 제어 데이타를 기옥하는 기억 회로(17)과, 국부 발진 회로(4)의 국부 발진 주파수를 설정하는 분주 데이타를 발생하는 분주 데이타 발생 회로(12)와, 상기 분주 데이타에서 수신 주파수를 산출하고, 상기 수신 주파수가 소정 주파수 범위에 있는지 여부를 판별하는 판별부(15)와, 상기 수신 주파수를 나타내는 데이타와 기억 회로(17)내의 제어 데이타에 따라 연산하는 연산부(14)를 구비하고, 연산부(14)의 출력 신호를 변환하여 가변 용량 소자(1a)의 용량을 제어한다.

2. 发明公开

KR1020070109907A 절연 게이트형 반도체 장치 失效
标题翻译：绝缘栅型半导体器件
公开(公告)号：KR1020070109907A
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：KR1020070045384
申请日：2007-05-10
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 이시다히로야스 , 노구찌야스나리
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L27/088 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/42372 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7813
摘要： An insulated gate type semiconductor device is provided to form a MOSFET for securing a high reverse breakdown voltage between a drain and a source without reducing an area of an operational region. A plurality of gate electrodes(13) are formed on a first general conductive type semiconductor substrate(1) and are arranged in a first stripe pattern. A plurality of second general conductive type channel regions(4) are formed on the semiconductor substrate and are arranged in a second stripe pattern. The first and second stripe patterns are oriented in a first direction. A first insulating layer is formed between the channel regions and the gate electrodes. A plurality of first general conductive type source regions(15) are formed in corresponding channel regions and are arranged in a third stripe pattern oriented in the first direction. A second insulating layer is disposed on the gate electrodes. A gate pad electrode(18) is disposed on the second insulating layer in order to cover a part of the channel regions.
摘要翻译：提供绝缘栅型半导体器件以形成用于在漏极和源极之间确保高反向击穿电压而不减小工作区域的面积的MOSFET。在第一通用导电型半导体衬底（1）上形成多个栅电极（13）并且以第一条纹图形排列。多个第二通用导电型沟道区（4）形成在半导体衬底上并且以第二条纹图形排列。第一和第二条纹图案沿第一方向定向。在沟道区和栅电极之间形成第一绝缘层。多个第一通用导电型源极区域（15）形成在相应的沟道区域中，并且以沿第一方向取向的第三条纹图形排列。第二绝缘层设置在栅电极上。栅极电极（18）设置在第二绝缘层上以覆盖沟道区域的一部分。

3. 发明授权

KR100856299B1 절연 게이트형 반도체 장치 失效
标题翻译：绝缘栅型半导体器件
公开(公告)号：KR100856299B1
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：KR1020070045384
申请日：2007-05-10
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 이시다히로야스 , 노구찌야스나리
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L27/088 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/42372 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7813
摘要： 게이트 패드 전극의 하방에 p+형 불순물 영역을 형성하는 경우, p+형 불순물 영역의 끝부가 구면 형상의 곡률을 갖는다. 드레인-소스 간 역방향 내압이 몇백V로 되면, 구면 형상의 끝부에 전계가 집중하여, 충분한 드레인-소스 간 역방향 내압을 얻을 수 없다. 평면 패턴에서 p+형 불순물 영역의 코너부의 곡률을 크게 하면 동작 영역에 배치할 수 있는 트랜지스터셀 수가 희생된다. 게이트 패드 전극의 하방에도 트랜지스터셀과 연속하는 채널 영역 및 게이트 전극을 배치한다. 트랜지스터셀을 스트라이프 형상으로 하고 소스 전극과 컨택트시킴으로써, 게이트 패드 전극의 하방에 위치하는 채널 영역 및 게이트 전극을 소정의 전위로 고정한다. 이에 의해, 게이트 패드 전극 하방 전체면에 p+형 불순물 영역을 형성하지 않아도, 소정의 드레인-소스 간 역방향 내압을 확보할 수 있다.
게이트 패드 전극, 불순물 영역, 역방향 내압, 트랜지스터셀, 스트라이프 형상, 채널 영역, 게이트 전극

4. 发明公开

KR1019970019145A 라디오 수신기 失效
公开(公告)号：KR1019970019145A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019960041209
申请日：1996-09-20
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 고바야시게이지 , 노구찌야스나리
IPC分类号： H04B1/16
摘要： 가변 용량 소자의 변동에 기인하는 트래킹 에러를 방지함과 동시에 RF 동조 회로의 제어 시간을 단축한다.
바렉터 다이오드(varactor diode; la)의 제어 데이터를 기억하는 기억 회로(17)과, 국부 발진 회로(4)의 국부 발진 주파수를 설정하는 분주 데이터를 발생하는 분주 데이터 발생 회로(12)와, 상기 분주 데이터에서 수신 주파수를 산출하고 상기 수신 주파수가 소정 주파수 범위에 있는지 여부를 판별하는 판별부(15)와, 상기 수신 주파수를 나타내는 데이터와 기억 회로(17)내의 제어 데이터에 따라 연산하는 연산부(14)를구비하고, 연산부(14)의 출력 신호를 변환하여 가변 용량 소자(1a)의 용량을 제어한다.

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