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    • 3. 发明授权
    • 자기전기 변환기 소자를 포함한 패스 센서
    • 具有磁电变压器元件的路径传感器
    • KR100954071B1
    • 2010-04-23
    • KR1020047011312
    • 2003-01-17
    • 로베르트 보쉬 게엠베하
    • 브라운,알렉산더벨쉬,볼프강
    • G01D5/14G01D5/16G01B7/30G01B7/02
    • G01D5/145
    • 본 발명은 적어도 하나의 자기전기 변환기 소자(5), 및 적어도 하나의 자속 전도체(3,4;9,10;14,15,20,21)와 적어도 하나의 자석(2;11,30)으로 이루어진 자기 회로를 포함하고, 구조 크기가 작을 경우 변환기 소자(5)에 의해 측정될 수 있는 자속의 영향이 적어도 하나의 자석의 이동에 의해 야기되는 패스 센서(1a;1b;1c)에 관한 것이다. 상기 자속 전도체(3,4; 9,10;14,15,20,21) 및 변화 소자(5)는 변위 측정 동안 서로 불변의 위치에 놓이고, 상기 자속 전도체(3,4,5; 9,10;14,15,20,21)와 적어도 하나의 자석(2;11,30)은 서로 상대 이동될 수 있다. 변환기 소자(5)에 의해 평가될 수 있는 자계의 변화는 자석(2;11,30)의 이동 동안 자기 회로내의 에어갭(d)의 변화에 의해 야기된다. 상기 자기 회로의 자속 전도체(3,4;9,10;14,15,20,21)는 패스 코스(6;12)에서 에어갭의 폭(d)의 변화로 인해 변환기 소자(5)에서 미리 주어진 신호 파형이 발생되는 자석(2;11,30)의 패스를 포함하는 윤곽을 가진다.
      패스 센서, 자기전기 변환기 소자, 자석, 자속 전도체, 자기회로.