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1. 发明授权

KR102265416B1 실리콘계 수지 제거용 조성물 및 이를 이용한 박막 기판 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102265416B1
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：KR1020200121280
申请日：2020-09-21
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 권기진 , 홍형표 , 이경호
IPC分类号： C11D7/50 , H01L21/306

2. 发明授权

KR102265415B1 경화 고분자 박리액 조성물 有权
公开(公告)号：KR102265415B1
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：KR1020150024214
申请日：2015-02-17
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 권기진 , 김성민
IPC分类号： C11D3/43 , C11D1/38 , C11D3/39

3. 发明授权

KR102091543B1 망상형 고분자 용해용 조성물 有权
公开(公告)号：KR102091543B1
公开(公告)日：2020-03-23
申请号：KR1020130091508
申请日：2013-08-01
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 권기진 , 김나림 , 양진석
IPC分类号： C08K5/17 , C08K5/19 , C07C49/00 , C07C233/00 , C07C69/12 , C07D207/24 , C07C317/00 , C07C255/03 , C07C69/96

4. 发明授权

KR102008884B1 실리콘계 화합물막 식각액 조성물 有权
公开(公告)号：KR102008884B1
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：KR1020140008280
申请日：2014-01-23
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김나림 , 권기진 , 양진석
IPC分类号： C09K11/08 , G03F7/42 , G03F7/09

5. 发明公开

KR1020160096949A 경화 고분자 박리액 조성물 审中-实审
标题翻译：可固化聚合物剥离剂组合物
公开(公告)号：KR1020160096949A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：KR1020150018671
申请日：2015-02-06
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 권기진 , 김성민
IPC分类号： C11D7/08 , H01L21/02
CPC分类号： C11D7/08 , H01L21/02057
摘要： 본발명에따른경화고분자박리액조성물은무기산 50 내지 99중량%, 산화제 0.1 내지 10중량%, 부식방지제 0.01 내지 10중량% 및잔량의물을포함함으로써, 저렴한비용으로빠른박리가가능하다.
摘要翻译：根据本发明，可固化聚合物汽提组合物可以以低成本快速剥离聚合物。更具体地，可固化聚合物汽提组合物包含：50-99重量％的无机酸; 0.1-10重量％的氧化剂; 0.01-10重量％的防腐蚀剂; 其余由水组成。

6. 发明公开

KR1020160090624A 경화 고분자 제거용 조성물 审中-实审
标题翻译：去除固化聚合物的组合物
公开(公告)号：KR1020160090624A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：KR1020150010652
申请日：2015-01-22
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 권기진 , 김나림 , 양진석 , 김상태 , 이경호
IPC分类号： C11D1/62 , C11D3/30 , C11D3/43 , H01L21/306
CPC分类号： C11D1/62 , C11D3/30 , C11D3/43 , H01L21/306
摘要： 본발명은불화알킬암모늄, 5각형고리를포함하는이고리식아민화합물및 유기용매를포함하는경화고분자제거용조성물에관한것으로, 경화고분자를빠르게용해시킬수 있는효과를지니고있다.
摘要翻译：本发明涉及一种除去固化聚合物的组合物。更具体地，组合物包含：氟化铵; 包括五边形循环的双环胺化合物; 和有机溶剂。组合物可以快速溶解固化的聚合物。

7. 发明授权

KR101621091B1 땜납용 플럭스 조성물 有权
标题翻译：用于焊接的FLUXA组合物
公开(公告)号：KR101621091B1
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020090045552
申请日：2009-05-25
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김성훈 , 박순진 , 권기진
IPC分类号： B23K35/363 , C08L93/04 , C08K5/09
摘要： 본발명은 (a)검로진, 불균화로진, 중합로진, 텔펜페놀공중합수지, 수소첨가초담색로진, 말레산변성수지및 아크릴변성수소첨가수지로이루어진군으로부터선택되는하나이상의로진; (b)카르복실산계활성화제: 및 (c)글리콜에테르에스테르계화합물, 글리콜에테르계화합물, 에스테르계화합물, 케톤계화합물및 시클릭에스테르계화합물로이루어진군으로부터선택되는 1종이상으로구성되는제1 유기용매및 상기제1 유기용매와비중및 끓는점이다른제2 유기용매를포함하는용매를포함하는납땜플럭스조성물에관한것이다.

8. 发明公开

KR1020160039946A 실리콘계 수지 제거용 조성물 审中-实审
标题翻译：用于去除硅酮聚合物的组合物
公开(公告)号：KR1020160039946A
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020140133288
申请日：2014-10-02
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 최한영 , 권기진 , 홍형표 , 양진석
IPC分类号： C11D7/50 , C11D7/52 , H01L21/306
摘要： 본발명은조성물총 중량에대하여, (a) 화합물내에 1개의질소원자와 20개~100개의탄소원자와 1개의불소원자를포함하는 QAF(Quarternary ammonium Fluoride) 0.1~30 중량%; 및 (b) 하기화학식 1로표시되는화합물로이루어진군으로부터선택되는 1종이상의용매 70~99.9 중량%를포함하는실리콘계수지제거용조성물을제공한다:
摘要翻译：在本发明中提供了一种用于除去硅氧烷类树脂的组合物，其包含相对于组合物的总重量; （a）0.1-30重量％的包含一个氟原子，20至100个碳原子和一个氮原子的季铵氟化物（QAF）; 和（b）70〜99.9重量％的选自由化学式1表示的化合物的溶剂中的至少一种溶剂。本发明提供了一种除去硅酮系树脂的组合物，其具有优异的时间稳定性，以及附着在电子部件等上的硅酮系树脂的劣化的高速度。

9. 发明授权

KR101370704B1 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물 有权
标题翻译：用于去除感光树脂和抗反射涂层的较薄组合物
公开(公告)号：KR101370704B1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020080050262
申请日：2008-05-29
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이경호 , 오영남 , 권기진
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/42
摘要： 본 발명은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 에틸-3-에톡시 프로피오네이트(EEP), 메틸-3-메톡시 프로피오네이트(MMP) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 30 내지 90 중량%; 에틸락테이트(EL) 1 내지 20 중량%; 사이클로헥사논(CHN) 5 내지 50 중량%을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물에 관한 것이다.
감광성 수지, 씬너, 반사방지막, 포토리소그래피, 반도체 소자

10. 发明公开

KR1020130049505A 텅스텐막 식각액 조성물 및 이를 이용한 텅스텐막의 식각방법 无效
标题翻译：用于调谐层的蚀刻溶液组合物和使用该层的蚀刻层的方法
公开(公告)号：KR1020130049505A
公开(公告)日：2013-05-14
申请号：KR1020110114582
申请日：2011-11-04
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 명중재 , 권기진
IPC分类号： C23F1/30 , C23F1/10
CPC分类号： C23F1/26
摘要： PURPOSE: An etching solution composition for a tungsten layer and a method for etching the tungsten layer using the same are provided to maintain etched amount regardless of dip time and to selectively etch metals to manufacture a semiconductor device. CONSTITUTION: An etching solution composition for a tungsten layer is composed of 1-5 wt.% of oxidizing agent, 3-8 wt.% of unsaturated dicarboxylic acid compound, and the rest of deionized water. The oxidizing agent is hydrogen peroxide or persulfate compound. The persulfate compound is composed of one or more selected from ammonium persulfate, sodium persulfate, and potassium persulfate.
摘要翻译：目的：提供用于钨层的蚀刻溶液组合物和使用其的钨层的蚀刻方法，以保持蚀刻量，而不管浸渍时间如何，并且选择性地蚀刻金属以制造半导体器件。构成：用于钨层的蚀刻溶液组合物由1-5重量％的氧化剂，3-8重量％的不饱和二羧酸化合物和其余的去离子水组成。氧化剂是过氧化氢或过硫酸盐化合物。过硫酸盐化合物由选自过硫酸铵，过硫酸钠和过硫酸钾中的一种或多种组成。

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