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1. 发明公开

KR1020020087402A 티탄 산화 피막의 형성 방법 및 티탄 전해 콘덴서 无效
标题翻译：形成氧化钛薄膜和钛电解电容器的方法
公开(公告)号：KR1020020087402A
公开(公告)日：2002-11-22
申请号：KR1020027010761
申请日：2001-12-14
申请人： 도호 티타늄 가부시키가이샤
发明人： 아라이요시유키
IPC分类号： H01G9/04
CPC分类号： H01G9/042 , C23C8/10 , C23C8/80
摘要： 표면에두께 50㎚이상의산화피막을가지는금속티탄기체(基體)를진공중 또는불활성가스분위기중에서소성하여, 산화피막의두께를 50㎚미만으로하고, 그후 산화처리함으로써상기금속티탄기체표면에산화피막을재형성하는금속티탄기본상에의산화피막의형성방법및 이것을이용해서, 재형성된산화피막을가지는금속티탄기체를양극으로서사용하는티탄전해콘덴서가제공된다. 이것에의해유전율이크며안정된산화피막을티탄표면에형성하는방법을통해서소형으로대용량이고또한누설전류가작은티탄전해콘덴서가제공된다.
摘要翻译：通过在钛表面上形成具有较大介电常数的稳定的氧化膜来提供具有最小化的漏电流的紧凑型大容量钛电解电容器，其中具有厚度为50nm以上的氧化钛膜的钛基板经受在真空或惰性气体气氛中煅烧，由此将氧化膜的厚度减小到小于50nm，并且所述金属钛基板的煅烧表面被氧化，从而在所述金属的表面上重新形成氧化膜钛基板。具有通过这种方法获得的重新形成的氧化膜的金属钛基板可以用作钛电解电容器的阳极。

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