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1. 发明授权

KR102263618B1 혼합 은 분말 및 이를 포함하는 도전성 페이스트 有权
公开(公告)号：KR102263618B1
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：KR1020190037408
申请日：2019-03-29
申请人： 대주전자재료 주식회사
发明人： 윤치호 , 곽진호 , 조원준 , 이영호 , 임종찬 , 임무현
IPC分类号： B22F1/00 , H01B1/02 , H01L31/0224

2. 发明公开

KR1020080097282A 무연 후막 저항 페이스트용 바륨계 도전성분말의 제조방법 有权
标题翻译：用于PB自由薄膜电阻胶的钡型导电粉末的制造方法
公开(公告)号：KR1020080097282A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：KR1020070042302
申请日：2007-05-01
申请人： 대주전자재료 주식회사
发明人： 권태민 , 이영호 , 임중규
IPC分类号： H01B1/08
摘要： A manufacturing method of barium-based conducting powder for Pb free thin film resistance paste is provided to perform mass production and use inexpensive raw materials, compared with the existing dry process using a ruthenium compound and barium compound, and to ensure excellent the rheological property of a paste and excellent electrical characteristic including a resistance temperature coefficient of a resistor, pressure- resistance characteristic and noise by obtaining barium ruthenate having minute particle size and uniform particle size. A manufacturing method of the barium system conductive powder for the free lead thick film resistance paste comprises (A) a step for dissolving a ruthenium metal powder in a strong acid or strong base or alkali- fusing; (B) a step for mixing a barium compound aqueous solution containing a dispersant capable of controlling particles in a ruthenium salt aqueous solution manufactured in the (A) step to obtain hydrate barium ruthenate; (c) carrying out heat-treatment of the hydrate barium ruthenate manufactured in the (B) step at 320deg.C or 1000deg.C to obtain the barium ruthenate (BaRuO3) powder; and (D) a step for using an inorganic acid to remove the impurity of the barium ruthenate powder manufactured in the (C) step.
摘要翻译：与使用钌化合物和钡化合物的现有干法相比，提供了一种用于无铅薄膜电阻浆料的钡基导电粉末的制造方法，以便与原来的钌化合物和钡化合物的干法相比进行批量生产和使用便宜的原料，并且确保优异的流变性通过获得具有微小粒径和均匀粒径的钌酸钌酸盐，具有包括电阻器的电阻温度系数，耐压特性和噪声的糊状物和优异的电气特性。用于游离铅厚膜电阻浆料的钡系导电粉末的制造方法包括：（A）将钌金属粉末溶解在强酸或强碱中或碱熔融的步骤; （B）在（A）工序中制造的钌盐水溶液中混合含有能够控制粒子的分散剂的钡化合物水溶液，得到水合钌酸钡的工序; （c）在320℃或1000℃下对（B）工序中制造的水合钌酸钡进行热处理，得到钌酸钡（BaRuO 3）粉末; 和（D）使用无机酸去除（C）工序中制造的钌酸钡粉末的杂质的工序。

3. 发明授权

KR101953619B1 방사형 중공형 은 입자를 포함하는 은 분말 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101953619B1
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：KR1020180052477
申请日：2018-05-08
申请人： 대주전자재료 주식회사
发明人： 김상우 , 윤치호 , 이영호 , 임종찬 , 임무현
IPC分类号： B22F9/24 , B22F1/00 , H01B1/22 , H01B1/16 , H01B5/14

4. 发明授权

KR100870832B1 무연 후막 저항 페이스트용 바륨계 도전성분말의 제조방법 有权
标题翻译：用于无铅薄膜电阻糊的钡型导电粉末的制造方法
公开(公告)号：KR100870832B1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：KR1020070042302
申请日：2007-05-01
申请人： 대주전자재료 주식회사
发明人： 권태민 , 이영호 , 임중규
IPC分类号： H01B1/08
摘要： 본 발명은 무연 후막 저항 페이스트용 바륨계 도전성분말의 제조방법에 관한 것으로, 칩저항기에 사용되는 후막저항페이스트의 무연화 구현에 있어서의 도전성 분말로 사용되는 바륨루테네이트(BaRuO
3 ) 분말의 제조방법에 관한 것이다.
상기 본 발명의 조성물은 루테늄염과 바륨수용액을 혼합한 것으로서, 기존의 건식방법에 비해 원재료의 값이 저렴하고, 대량생산이 가능하며 미세한 입자크기, 균일한 입도를 갖는 바륨루테네이트를 얻을 수 있어, 페이스트의 레올로지 특성이 우수하고 저항체에서의 저항온도계수, 내압 특성, 노이즈 등의 전기적 특성이 매우 우수하다.
저항페이스트, 바륨루테네이트, 무연 후막

5. 发明授权

KR100840893B1 무연 후막 저항 페이스트용 스트론튬계 도전성분말의제조방법 有权
标题翻译：用于PB自由薄膜电阻胶的锶型导电粉末的制造方法
公开(公告)号：KR100840893B1
公开(公告)日：2008-06-24
申请号：KR1020070042303
申请日：2007-05-01
申请人： 대주전자재료 주식회사
发明人： 권태민 , 이영호 , 임중규
IPC分类号： C01F1/00 , H01C17/00 , H01B1/16 , H01B5/16
CPC分类号： C01G55/00 , C01F1/00 , C01F11/00 , C01P2006/40 , H01B1/16 , H01B5/16 , H01C17/00
摘要： A preparation method of strontium ruthenate conductive powder for lead-free thick film resistance paste is provided to mass-produce strontium ruthenate conductive powder having minute and uniform particle size economically by mixing ruthenium salt and strontium aqueous solution. A preparation method of strontium ruthenate conductive powder for lead-free thick film resistance paste comprises steps of: A) subjecting ruthenium metal powder to alkaline fusion or melting in strong acid or strong base; B) mixing a strontium compound aqueous solution comprising dispersant in order to obtain strontium ruthenate hydrate; and C) subjecting the prepared strontium ruthenate hydrate from step B) to heat treatment at 320-1,000deg.C in order to obtain strontium ruthenate powder. The preparation method optionally comprises step D) of treating the prepared strontium ruthenate powder from step C) in order to remove impurities. The melting temperature of the ruthenium metal powder in alkaline fusion is 20-100deg.C. The dispersant in step B) is selected from ethylene diamine tetraacetic acid, Polyster OM, Polyster OMA, acetylacetone, polyvinyl pyrrolidone and sodium dodecyl sulfate.
摘要翻译：提供了一种用于无铅厚膜电阻膏的钌酸锶导电粉的制备方法，通过混合钌盐和锶水溶液，经济地批量生产具有微小和均匀粒度的钌酸锶导电粉末。一种用于无铅厚膜电阻浆料的钌酸锶导电粉末的制备方法包括以下步骤：A）使钌金属粉末在强酸或强碱中进行碱熔融或熔融; B）混合包含分散剂的锶化合物水溶液，以获得钌酸锶水合物; 和C）将制备的步骤B）的钌酸锶水合物在320-1,000℃下进行热处理，以获得钌酸锶粉末。制备方法任选地包括步骤D）从步骤C）处理制备的钌酸锶粉末以除去杂质。碱熔融中的钌金属粉末的熔融温度为20-100℃。步骤B）中的分散剂选自乙二胺四乙酸，聚酯OM，聚酯OMA，乙酰丙酮，聚乙烯吡咯烷酮和十二烷基硫酸钠。

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