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1. 发明授权

KR101622714B1 광전 디바이스 구조 및 방법 有权
标题翻译：光伏器件结构及方法
公开(公告)号：KR101622714B1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：KR1020117019668
申请日：2010-02-11
申请人： 뉴사우스 이노베이션즈 피티와이 리미티드 , 선텍 파워 인터내셔널 리미티드
发明人： 웬햄앨리슨마리 , 하메이리지브 , 지징지아 , 메이리 , 시정롱 , 티자조노부디 , 웬햄스튜어트로스
IPC分类号： H01L21/268 , H01L31/00
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/2252 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： 본발명에따른반도체디바이스의표면에있는반도체재료의표면영역은유전체재료표면층으로반도체재료의표면영역을코팅하고도판트소스가있는상태에서용융이수행되는피도핑면적에있는반도체재료의표면을국소적으로가열함으로써제조동안도핑된다. 가열은피도핑면적에있는반도체재료의표면영역이 1 마이크로초보다큰 시간주기동안재동결하지않고용융된상태로유지되고도판트소스로부터의도판트가용융된반도체에흡수되도록제어된방식으로수행된다. 반도체디바이스는정션이형성되고다층반사방지코팅을포함할수 있는반도체재료구조를포함한다. 반사방지코팅은열팽창계수불일치수정을제공하도록반도체재료구조의수광면에위치되어있고열팽창계수가반도체재료의열팽창계수이하인열팽창불일치수정재료로된 얇은층을포함한다. 태양전지에전반적인양호한반사방지특성을제공하기위해반도체재료구조와일치하도록선택된굴절률과두께를갖는반사방지층이제공된다.

2. 发明公开

KR1020120016187A 광전 디바이스 구조 및 방법 有权
标题翻译：光电器件结构与方法
公开(公告)号：KR1020120016187A
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：KR1020117019668
申请日：2010-02-11
申请人： 뉴사우스 이노베이션즈 피티와이 리미티드 , 선텍 파워 인터내셔널 리미티드
发明人： 웬햄앨리슨마리 , 하메이리지브 , 지징지아 , 메이리 , 시정롱 , 티자조노부디 , 웬햄스튜어트로스
IPC分类号： H01L21/268 , H01L31/00
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/2252 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 표면에 있는 반도체 재료의 표면영역은 유전체 재료 표면층으로 반도체 재료의 표면영역을 코팅하고 도판트 소스가 있는 상태에서 용융이 수행되는 피도핑 면적에 있는 반도체 재료의 표면을 국소적으로 가열함으로써 제조동안 도핑된다. 가열은 피도핑 면적에 있는 반도체 재료의 표면 영역이 1 마이크로초보다 큰 시간 주기동안 재동결하지 않고 용융된 상태로 유지되고 도판트 소스로부터의 도판트가 용융된 반도체에 흡수되도록 제어된 방식으로 수행된다. 반도체 디바이스는 정션이 형성되고 다층 반사방지 코팅을 포함할 수 있는 반도체 재료 구조를 포함한다. 반사방지 코팅은 열팽창 계수 불일치 수정을 제공하도록 반도체 재료 구조의 광수신면에 위치되어 있고 열팽창계수가 반도체 재료의 열팽창계수 이하인 열팽창 불일치 수정 재료로 된 얇은 층을 포함한다. 태양전지에 전반적인 양호한 반사방지 특성을 제공하기 위해 반도체 재료 구조와 일치하도록 선택된 굴절률과 두께를 갖는 반사방지층이 제공된다.

3. 发明公开

KR1020080091104A 저면적의 스크린 프린트 금속 접촉구조물 및 방법 无效
标题翻译：低面积印刷金属接触结构和方法
公开(公告)号：KR1020080091104A
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：KR1020087015325
申请日：2006-10-26
申请人： 뉴사우스 이노베이션즈 피티와이 리미티드 , 선테크 파워 컴퍼니 리미티드
发明人： 웬햄스튜어트로스 , 쉬젱롱 , 메이리 , 지징지아
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/022433 , Y02E10/542
摘要： A solar cell comprises adjacent regions of oppositely doped semiconductor material forming a pn junction substantially parallel to front and rear surfaces of the solar cell. A surface of the semiconductor material has a plurality of depressions, with semiconductor material regions forming internal wall surface regions of the depressions being doped to the polarity of one of the semiconductor regions, with which they are in electrical communication. The wall surface regions of the depressions are isolated from the other oppositely doped semiconductor region and form contact points for a contact structure contacting the surface in which the depressions are formed. A dielectric layer is formed over the surface, the dielectric layer being thinner or non-existent in at least a portion of each depression, such that a screen printed metal contact structure formed over the dielectric layer and extending into the depressions makes contact with the semiconductor material in the depressions after sintering.
摘要翻译：太阳能电池包括相反掺杂的半导体材料的相邻区域，其形成基本上平行于太阳能电池的前表面和后表面的pn结。半导体材料的表面具有多个凹陷，半导体材料区域形成凹陷的内壁表面区域被掺杂到半导体区域之一的极性，并与它们电连通。凹陷的壁表面区域与另一个相反掺杂的半导体区域隔离，并形成接触构件的接触点，接触构件与形成凹部的表面接触。在表面上形成介电层，电介质层在每个凹陷的至少一部分中更薄或不存在，使得形成在电介质层上并延伸到凹陷中的丝网印刷金属接触结构与半导体材料在烧结后的凹陷中。

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