专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020080087011A 유기층들의 층 구조물을 갖는 전자 소자 有权
标题翻译：具有层状结构的电子器件
公开(公告)号：KR1020080087011A
公开(公告)日：2008-09-29
申请号：KR1020087018120
申请日：2006-12-22
申请人： 노발레드 게엠베하
发明人： 무라노,스벤 , 번스톡,얀 , 베르너,안스가 , 부르크하르트,마르쿠스
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L51/002 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/0071 , H01L51/0077 , H01L51/0085 , H01L51/5036 , H01L51/5278 , H01L51/5056 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L51/5024 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092
摘要： The invention relates to an electronic device comprising a layer structure of organic layers, wherein said layer structure comprises a p-n-junction between an n-type doped organic layer provided as an organic matrix material doped with an n-type dopant and a p-type doped organic layer provided as a further organic matrix material doped with a p-type dopant, and wherein the n-type dopant and the p-type dopant both are molecular dopants, a reduction potential of the p-type dopant is equal or larger than about 0 V vs. Fc / Fc+, and an oxidation potential of the n-type dopant is equal or smaller than about -1.5 V vs. Fc / Fc+.
摘要翻译：本发明涉及一种包括有机层的层结构的电子器件，其中所述层结构包括在作为掺杂有n型掺杂剂的有机基质材料提供的n型掺杂有机层和p型结构之间的pn结掺杂有机层作为掺杂有p型掺杂剂的另外的有机基质材料，其中n型掺杂剂和p型掺杂剂都是分子掺杂剂，p型掺杂剂的还原电位等于或大于约0V对Fc / Fc +，并且n型掺杂剂的氧化电位等于或小于约-1.5V对Fc / Fc +。

2. 发明授权

KR101362273B1 유기 컴포넌트 有权
标题翻译：有机组件
公开(公告)号：KR101362273B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020087017779
申请日：2006-12-21
申请人： 노발레드 게엠베하
发明人： 무라노,스벤 , 번스톡,얀 , 베르너,안스가 , 베세,마르틴 , 호프만,미하엘
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L51/5088 , H01L51/5092
摘要： 본 발명은 유기 컴포넌트, 특히 전극(1; 2) 및 카운터 전극(2; 1)을 갖는 발광 유기 컴포넌트로서, 발광 유기 컴포넌트는, 전극(1; 2)과 카운터 전극(2; 1) 사이에 배열되고, 전극(1; 2) 및 카운터 전극(2; 1)과 전기적으로 접촉하며, 유기층들의 배열(3)은 전극(1; 2) 및 카운터 전극(2; 1)으로부터 주입된 전하 캐리어들을 유기층들의 배열(3)로 수송하기 위한 전하 캐리어 수송층들(4, 8)을 포함하는 유기층들의 배열(3)을 더 포함하고, 분자 도핑 물질로 만들어진 주입층(5; 9)이 전극(1, 2)과 전하 캐리어 수송층(4, 8) 사이에 유기층들의 배열(3)로 형성되고, 주입층은 전극(1; 2)에 대향되게 배열되는 전하 캐리어 수송층(4; 8)과 접촉되며, 분자 도핑 물질이 적어도 300 g/mol의 분자량으로 제공된다(도 1).

3. 发明公开

KR1020060110269A 금속 착물의 유기 반도체 매트릭스 물질용 Ｎ-도판트로서의용도, 유기 반도체 물질 및 전자 소자, 및 도판트 및리간드 및 이들의 제조 방법 有权
标题翻译：金属络合物作为有机半导体材料的有机半导体材料的使用，有机半导体材料和电子部件以及作为掺杂剂和配体的方法及其生产方法
公开(公告)号：KR1020060110269A
公开(公告)日：2006-10-24
申请号：KR1020067006767
申请日：2005-03-03
申请人： 노발레드 게엠베하
发明人： 베르너,안스가 , 퀼,올라프 , 게슬러,지몬 , 하라다,켄타로 , 하르트만,호르스트 , 그뤼싱,안드레 , 리머트,미하엘 , 룩스,안드레아
IPC分类号： H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0084 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/1092 , C09K2211/186 , C09K2211/188 , H01L51/002 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0077 , H01L51/008 , H01L51/0081 , H01L51/5092 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to the use of a metal complex as n-dopant for doping an organic semiconducting matrix material for modifying the electrical properties of the same, wherein the compound represents an n-dopant with regard to the matrix material. The aim of the invention is to provide n-doped organic semiconductors for matrix materials that have little reduction potential while achieving high conductivities. According to the invention, a neutral electron-rich metal complex having a central atom as the preferably neutral or charged transition metal atom having a valence electron number of at least 16 is used as the dopant compound. The complex can especially be multinuclear and comprises at least one metal-metal bond. At least one ligand can form a Pi complex with the central atom, or can be a bridging ligand, especially hpp, a borate, carborane or triazacycloalkane or comprise at least one carbanion carbon atom or a bivalent atom selected from the group including C (carbene), Si (silylene), Ge (germylene), Sn, Pb. The invention also relates to novel n-dopants and methods for producing them.
摘要翻译：本发明涉及使用金属络合物作为n掺杂剂来掺杂有机半导体基质材料以改变其电性能，其中该化合物表示相对于基质材料的n-掺杂物。本发明的目的是提供在掺杂有机半导体的基质材料中具有很小的还原电位，同时实现高电导率。根据本发明，使用具有中心原子作为优选中性或带电的过渡金属原子的中性富电子金属络合物，其价电子数至少为16的化合物作为掺杂剂。络合物可以特别是多核并且包含至少一种金属 - 金属键。至少一种配位体可以与中心原子形成一个π配合物，或者可以是桥连配体，特别是hpp，硼酸盐，碳硼烷或三氮杂环烷烃，或包含至少一个碳负离子碳原子或选自C（卡宾），Si（亚甲硅烷基），Ge（亚乙烯基），Sn，Pb。本发明还涉及新型的n-掺杂剂及其制备方法。

4. 发明公开

KR1020160102529A 포스핀 옥사이드 매트릭스 및 금속 도펀트를 포함하는 ｎ-도핑된 반도전성 물질 审中-实审
标题翻译：包含磷氧化物基质和金属掺杂物的N-DOPED SEMICONDUCTING MATERIAL
公开(公告)号：KR1020160102529A
公开(公告)日：2016-08-30
申请号：KR1020167020171
申请日：2014-12-23
申请人： 노발레드 게엠베하
发明人： 죄르너,미케 , 베르너,안스가 , 로제노프,토마스 , 로더,카르스텐 , 비른스토크,얀 , 칸즈너,토비아스 , 덴케르,울리히 , 파델,옴라네 , 브룸,프란시스코 , 카리스,토마스 , 기르게,카이 , 앙거만,옌스
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/00 , C07F9/53 , C07F9/572 , C07F9/64 , C07F9/655 , C07F9/6558
CPC分类号： H01L51/005 , C07F9/5329 , C07F9/5728 , C07F9/587 , C07F9/64 , C07F9/65522 , C07F9/65527 , C07F9/65583 , C08K5/5397 , H01L27/3209 , H01L51/002 , H01L51/0052 , H01L51/5076 , H01L51/56 , H01L2251/301
摘要： 본발명의 n-도펀트로서적어도하나의금속성원소, 및적어도하나의포스핀옥사이드기를포함하는적어도하나의전자수송매트릭스화합물을포함하는전기적으로도핑된반도전성물질, 이의제조방법, 및전기적으로도핑된반도전성물질을포함하는전자디바이스에관한것이다.

5. 发明授权

KR101460117B1 유기층들의 층 구조물을 갖는 전자 소자 有权
标题翻译：具有层状结构的电子器件
公开(公告)号：KR101460117B1
公开(公告)日：2014-11-10
申请号：KR1020087018120
申请日：2006-12-22
申请人： 노발레드 게엠베하
发明人： 무라노,스벤 , 번스톡,얀 , 베르너,안스가 , 부르크하르트,마르쿠스
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L51/002 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/0071 , H01L51/0077 , H01L51/0085 , H01L51/5036 , H01L51/5278
摘要： 본 발명은 유기층들의 층 구조물을 포함하는 전자 소자에 관한 것으로서, 상기 층 구조물은 n-타입 도펀트로 도핑되는 유기 매트릭스 물질로서 제공되는 n-타입 도핑된 유기층, 및 p-타입 도펀트로 도핑되는 추가적인 유기 매트릭스 물질로서 제공되는 p-타입 도핑된 유기층 사이에 pn 접합부를 포함하고, 상기 n-타입 도펀트와 상기 p-타입 도펀트는 모두 분자 도편트들이며, 상기 p-타입 도펀트의 환원 전위는 Fc/Fc
+ 에 대해 약 0V 이상이고, 상기 n-타입 도펀트의 산화 전위는 Fc/Fc
+ 에 대해 약 -1.5V 이하이다.

6. 发明授权

KR100867028B1 금속 착물의 유기 반도체 매트릭스 물질용 Ｎ-도판트로서의용도, 유기 반도체 물질 및 전자 소자, 및 도판트 및리간드 및 이들의 제조 방법 有权
标题翻译：金属络合物作为有机半导体材料的有机半导体材料的使用，有机半导体材料和电子部件以及作为掺杂剂和配体的方法及其生产方法
公开(公告)号：KR100867028B1
公开(公告)日：2008-11-04
申请号：KR1020067006767
申请日：2005-03-03
申请人： 노발레드 게엠베하
发明人： 베르너,안스가 , 퀼,올라프 , 게슬러,지몬 , 하라다,켄타로 , 하르트만,호르스트 , 그뤼싱,안드레 , 리머트,미하엘 , 룩스,안드레아
IPC分类号： H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0084 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/1092 , C09K2211/186 , C09K2211/188 , H01L51/002 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0077 , H01L51/008 , H01L51/0081 , H01L51/5092 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 금속 착물의, 유기 반도체 매트릭스 물질의 전기적 성질을 변형시키기 위한 이의 도핑용 n-도판트로서의 용도에 관한 것이며, 여기서 상기 화합물은 매트릭스 물질에 관한 n-도판트를 나타낸다. 본 발명의 목적은 높은 도전성을 달성하면서 낮은 환원 전위를 갖는 매트릭스 물질용 n-도핑된 유기 반도체를 제공하는 것이다. 본 발명에 따르면, 바람직하게는 1 이상의 원자가 전자수를 갖는 중성 또는 하전된 전이 금속 원자로서 중심 원자를 갖는 중성 전자 풍부 금속 착물을 도판트 화합물로서 사용한다. 특히, 착물은 다핵성일 수 있고, 하나 이상의 금속-금속 결합을 포함한다. 하나 이상의 리간드는 중심 원자와 Pi 착물을 형성할 수 있거나, 가교 리간드, 특히 hpp, 보레이트, 카르보란 또는 트리아자시클로알칸일 수 있거나 하나 이상의 카르보음이온 탄소 원자, 또는 카르벤(C(II)), 실릴렌(Si(II)), 게르밀렌(Ge(II)), Sn, Pb를 비롯한 군으로부터 선택된 2가 원자를 포함한다. 또한, 본 발명은 신규한 n-도판트 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
유기 반도체 매트릭스 물질, n-도판트, 유기 반도체 물질, 금속 착물.

7. 发明公开

KR1020080087006A 유기 컴포넌트 有权
标题翻译：有机组件
公开(公告)号：KR1020080087006A
公开(公告)日：2008-09-29
申请号：KR1020087017779
申请日：2006-12-21
申请人： 노발레드 게엠베하
发明人： 무라노,스벤 , 번스톡,얀 , 베르너,안스가 , 베세,마르틴 , 호프만,미하엘
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5048 , H01L2251/558
摘要： The invention relates to an organic component, in particular a light-emitting organic component, comprising an electrode (1; 2) and a counterelectrode (2; 1) and also an arrangement of organic layers (3) which is arranged between the electrode (1; 2) and the counterelectrode (2; 1) and which is in electrical contact with the electrode (1; 2) and counterelectrode (2; 1), wherein the arrangement of organic layers (3) comprises charge carrier transport layers (4, 8) for transporting charge carriers injected into the arrangement of organic layers (3) from the electrode (1; 2) and from the counterelectrode (2; 1), and wherein an injection layer (5; 9) composed of a molecular doping material is formed in the arrangement of organic layers (3) between the electrode (1; 2) and a charge carrier transport layer (4; 8) arranged opposite the electrode (1; 2), said injection layer being in contact with the charge carrier transport layer (4; 8) arranged opposite the electrode (1; 2), wherein the molecular doping material has a molecular weight of at least 300 g/mol.
摘要翻译：本发明涉及一种有机组分，特别是发光有机组分，其包括电极（1; 2）和反电极（2; 1），以及有机层（3）的布置在电极与电极（1; 2）和反电极（2; 1）电接触，其中有机层（3）的布置包括电荷载流子传输层（4; 1; 2）和反电极（2; 1），8），用于从电极（1; 2）和反电极（2; 1）输送注入到有机层（3）的排列中的电荷载流子，并且其中由分子掺杂组成的注入层（5; 9）在电极（1; 2）和与电极（1; 2）相对布置的电荷载流子传输层（4; 8）之间的有机层（3）的排列中形成材料，所述注入层与电荷与所述电极（1; 2）相对布置的载流子传输层（4; 8），其中所述痣环状掺杂材料的分子量至少为300g / mol。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式