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1. 发明授权

KR101211015B1 단일 양자점 소자 및 이의 제조방법 失效
标题翻译：使用量子点的装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101211015B1
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：KR1020110031358
申请日：2011-04-05
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이홍석
IPC分类号： H01L33/50 , H01L51/42
CPC分类号： H01L29/127 , B82Y10/00
摘要： 단일양자점소자및 이의제조방법이개시된다. 광학적으로투명한유전박막을덮개층상부에형성하고, 열팽창계수의차이에기인하는응력을이용하여단일양자점의에너지밴드를조절한다. 특히, 덮개층보다낮은열팽창계수를가지는유전박막을도입하고, 레이저의조사를통해덮개층에압축응력을인가한다. 이를통해단일양자점은압축응력을받으며, 단일양자점의에너지밴드는인가되는레이저의에너지의증가에따라증가한다.

2. 发明公开

KR1020120113586A 에너지 밴드가 제어된 양자우물 구조 및 이를 형성하는 방법 有权
标题翻译：使用能量带控制的量子阱结构及其形成方法
公开(公告)号：KR1020120113586A
公开(公告)日：2012-10-15
申请号：KR1020110031363
申请日：2011-04-05
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이홍석
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
摘要： PURPOSE: A quantum well structure with a controlled energy band and a forming method thereof are provided to implement different band gaps in a well layer of a single structure. CONSTITUTION: A first barrier(110) is formed on a substrate(100). A well layer(120) is formed on the first barrier layer and includes a first region(121) and a second region(123) with different band gaps. A second barrier layer(130) is formed on the well layer. A dielectric thin film layer(140) is formed on the second barrier layer.
摘要翻译：目的：提供具有受控能带的量子阱结构及其形成方法，以在单一结构的阱层中实现不同的带隙。构成：在衬底（100）上形成第一屏障（110）。阱层（120）形成在第一阻挡层上，并且包括具有不同带隙的第一区域（121）和第二区域（123）。在阱层上形成第二阻挡层（130）。在第二阻挡层上形成电介质薄膜层（140）。

3. 发明授权

KR101211022B1 원자층 증착과 레이저 조사를 이용한 광결정 공동 모드의 공진 파장 제어방법 및 이를 이용한 광소자 有权
标题翻译：通过原子层沉积和激光照射的光子晶体腔模式的共振波长调谐方法和使用其的光学器件
公开(公告)号：KR101211022B1
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：KR1020110018147
申请日：2011-02-28
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이홍석
IPC分类号： H01S3/10
摘要： 원자층증착과레이저조사를이용한광결정공동모드의공진파장제어방법및 이를이용한광소자를제공한다. 상기방법은복수의에어홀을 2차원격자패턴으로포함하는광결정공동이형성된슬랩을준비하는단계및 원자층증착법을이용하여상기슬랩의상부면과하부면및 상기슬랩에형성된에어홀의내주면에유전박막을증착하는단계를포함한다. 또한, 유전박막이증착된슬랩에레이저를조사하여, 상기슬랩과상기유전박막의계면에서상기슬랩의표면을산화시키는단계를더 포함할수 있다. 이에따르면, 광결정공동모드의공진파장을품질계수의저하없이정밀하게제어할수 있다.

4. 发明授权

KR101244298B1 열처리를 이용하는 발광 다이오드의 제조방법 및 이를 이용하여 형성된 발광 다이오드 有权
标题翻译：使用热处理和发光二极管制造发光二极管的方法
公开(公告)号：KR101244298B1
公开(公告)日：2013-03-18
申请号：KR1020110069644
申请日：2011-07-13
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이홍석
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02551 , H01L21/02667 , H01L33/02 , H01L33/14
摘要： 발광 구조체의 상부에 열처리막이 도입되고, 열처리를 통해 내부 광효율이 향상된 발광 다이오드의 제조방법 및 이를 통해 형성된 발광 다이오드가 개시된다. 열에너지가 인가되는 경우, 도입된 열처리막으로 인해 발광 구조체의 최상층에는 압축응력이 인가된다. 압축응력에 의해 발광 구조체의 제2 도전형 반도체층의 열팽창은 억제되고, 인가되는 열에너지에 의해 결정결함은 치유된다. 이를 통해 제2 도전형 반도체층의 결정 결함은 치유되고, 도판트의 활성화 비율은 상승한다.

5. 发明公开

KR1020120120834A 양자점 제조방법 및 양자점을 포함하는 반도체 구조물 有权
标题翻译：制造量子点和含有量子点的半导体结构的方法
公开(公告)号：KR1020120120834A
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：KR1020110038620
申请日：2011-04-25
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이홍석
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a quantum dot and a semiconductor structure including the quantum dot are provided to selectively grow the quantum dot according to the function of a device by controlling the size, density, and growth location of a dielectric thin film pattern. CONSTITUTION: A compound semiconductor layer including a quantum well structure with a first barrier layer, a well layer, and a second barrier layer is prepared. The compound semiconductor layer is a III-V group compound semiconductor or II-V group compound semiconductor. A dielectric thin film pattern including a first dielectric thin film and a second dielectric thin film is formed on the second barrier layer. The first dielectric thin film includes a width of a nanometer. The compound semiconductor layer with the dielectric thin film pattern is thermally processed.
摘要翻译：目的：提供一种制造量子点的方法和包括量子点的半导体结构，以通过控制电介质薄膜图案的尺寸，密度和生长位置，根据器件的功能选择性地生长量子点。构成：制备包括具有第一阻挡层，阱层和第二阻挡层的量子阱结构的化合物半导体层。化合物半导体层是III-V族化合物半导体或II-V族化合物半导体。在第二阻挡层上形成包括第一电介质薄膜和第二电介质薄膜的电介质薄膜图案。第一介电薄膜包括纳米的宽度。具有电介质薄膜图案的化合物半导体层被热处理。

6. 发明公开

KR1020120113582A 단일 양자점 소자 및 이의 제조방법 失效
标题翻译：使用量子的装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120113582A
公开(公告)日：2012-10-15
申请号：KR1020110031358
申请日：2011-04-05
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이홍석
IPC分类号： H01L33/50 , H01L51/42
CPC分类号： H01L29/127 , B82Y10/00
摘要： PURPOSE: A single quantum device and a manufacturing method thereof are provided to control an energy band of a quantum dot structure by controlling the radiation time and power of laser. CONSTITUTION: A buffer layer is formed on a substrate(S100). A single quantum dot is formed on the buffer layer(S110). A cover layer filling the quantum dot is formed(S120). A dielectric thin film is formed on the upper side of the cover layer(S130). An energy band of the single quantum dot of the device with the dielectric thin film is controlled(S140). [Reference numerals] (S100) Forming a buffer layer; (S110) Forming a single quantum dot; (S120) Forming a cover layer; (S130) Forming a dielectric thin film; (S140) Controlling an energy band of a single quantum dot
摘要翻译：目的：提供单个量子器件及其制造方法，通过控制激光的辐射时间和功率来控制量子点结构的能带。构成：在基板上形成缓冲层（S100）。在缓冲层上形成单个量子点（S110）。形成填充量子点的覆盖层（S120）。在覆盖层的上侧形成电介质薄膜（S130）。控制具有电介质薄膜的器件的单量子点的能带（S140）。（附图标记）（S100）形成缓冲层; （S110）形成单个量子点; （S120）形成覆盖层; （S130）形成介电薄膜; （S140）控制单个量子点的能带

7. 发明公开

KR1020120098288A 원자층 증착과 레이저 조사를 이용한 광결정 공동 모드의 공진 파장 제어방법 및 이를 이용한 광소자 有权
标题翻译：通过原子层沉积和激光照射的光子晶体模式的共振波长调谐方法和使用它的光学器件
公开(公告)号：KR1020120098288A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020110018147
申请日：2011-02-28
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이홍석
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： H01S5/106 , G02B6/1225 , H01S3/169
摘要： PURPOSE: A method of controlling a resonant wavelength in a photonic crystal cavity mode by atomic layer deposition and laser irradiation and an optical device using the same are provided to precisely control the resonant wavelength in the photonic crystal cavity mode by using atomic layer deposition and laser irradiation. CONSTITUTION: A slab having a photonic crystal cavity, in which a plurality of air holes is included at a two-dimensional lattice pattern, is prepared(S10). A dielectric thin film is deposited on the slab using an atomic layer deposition method(S12). A surface of the slab is oxidized in an interface of the dielectric thin film and the slab by irradiating the slab having the dielectric thin film with a laser(S14). An oxide formed on the surface of the slab has a lower refractive index than that of the slab with laser irradiation. [Reference numerals] (S10) Preparing a slab in which a photonic crystal cavity is formed including a plurality of air holes of a two-dimensional lattice pattern; (S12) Deposition of a dielectric thin film on the inner circumferential of the holes which are formed on the upper side and the lower side of the slab using an atomic layer deposition method; (S14) Oxidization of the surface of the slab in an interface of the dielectric thin film and the slab by irradiating the slab having the dielectric thin film with a laser
摘要翻译：目的：提供一种通过原子层沉积和激光照射控制光子晶体腔模式的谐振波长的方法和使用其的光学器件，通过使用原子层沉积和激光来精确控制光子晶体腔模式中的谐振波长照射。构成：准备具有光子晶体腔的平板，其中以二维格子图案包含多个气孔，其中（S10）。使用原子层沉积方法在板上沉积电介质薄膜（S12）。通过用激光照射具有电介质薄膜的板坯，在电介质薄膜和板坯的界面中使板坯的表面氧化（S14）。在板坯表面形成的氧化物的折射率比具有激光照射的板坯的折射率低。（附图标记）（S10）准备形成有包含二维格子图案的多个气孔的光子晶体空腔的平板，（S12）使用原子层沉积法在形成在板坯的上侧和下侧的孔的内周上沉积电介质薄膜; （S14）通过用激光照射具有电介质薄膜的板坯，在电介质薄膜和板坯的界面中对板坯的表面进行氧化

8. 发明授权

KR101238672B1 에너지 밴드가 제어된 양자우물 구조 및 이를 형성하는 방법 有权
标题翻译：使用能量带控制的量子阱结构及其形成方法
公开(公告)号：KR101238672B1
公开(公告)日：2013-03-04
申请号：KR1020110031363
申请日：2011-04-05
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이홍석
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/06
摘要： 밴드 갭이 조절된 양자우물 구조 및 이의 형성방법이 개시된다. 상층부의 장벽층보다 작은 열팽창 계수를 가지는 물질을 도입하고, 열 에너지를 인가하여 장벽층에 압축 응력을 인가한다. 압축 응력에 의해 장벽층과 우물층 사이에는 원자의 이동이 발생되는 인터믹싱 현상이 일어난다. 인터믹싱에 의해 우물층의 밴드갭은 증가한다. 특히, 장벽층에 압축 응력을 작용하는 유전박막층의 두께가 증가할수록 압축 응력은 커지는 경향을 가진다. 이를 통해 우물층은 하나의 층에서 다양한 파장의 광을 형성할 수 있다.

9. 发明公开

KR1020130008942A 열처리를 이용하는 발광 다이오드의 제조방법 및 이를 이용하여 형성된 발광 다이오드 有权
标题翻译：使用热处理和发光二极管制造发光二极管的方法
公开(公告)号：KR1020130008942A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：KR1020110069644
申请日：2011-07-13
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이홍석
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02551 , H01L21/02667 , H01L33/02 , H01L33/14
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a light emitting diode using heat treatment and a light emitting diode formed by using the same are provided to cure crystal defects by applying compression stress in the most upper layer of a light emitting structure. CONSTITUTION: A light emitting structure is formed on a substrate(S100). The light emitting structure includes a first conductivity type semiconductor layer, a light emitting layer and a second conductive semiconductor layer. The heat treatment film is formed on the second conductivity type semiconductor layer(S200). The heat treatment film and light emitting structure are heat-treated. Compression stress is applied on the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting structure. The heat treatment film is removed(S300). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S100) Forming a light emitting diode; (S200) Forming a heat treatment layer; (S300) Eliminating heat treatment and a heat treatment layer
摘要翻译：目的：提供一种使用热处理制造发光二极管的方法和通过使用该方法形成的发光二极管，以通过在发光结构的最上层施加压缩应力来固化晶体缺陷。构成：在基板上形成发光结构（S100）。发光结构包括第一导电型半导体层，发光层和第二导电半导体层。在第二导电型半导体层上形成热处理膜（S200）。对热处理膜和发光结构进行热处理。对发光结构的第二导电型半导体层施加压应力。除去热处理膜（S300）。（附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S100）形成发光二极管; （S200）形成热处理层; （S300）消除热处理和热处理层

10. 发明授权

KR101209151B1 양자점 제조방법 및 양자점을 포함하는 반도체 구조물 有权
标题翻译：制造量子点和含有量子点的半导体结构的方法
公开(公告)号：KR101209151B1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：KR1020110038620
申请日：2011-04-25
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이홍석
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 양자점제조방법및 양자점을포함하는반도체구조물을제공한다. 양자점제조방법은 (a) 제1 장벽층, 우물층및 제2 장벽층이순차적층된양자우물구조를포함하는화합물반도체층을준비하는단계; (b) 상기제2 장벽층상에, 상기제2 장벽층보다열팽창계수가큰 제1 유전박막및 상기제2 장벽층보다열팽창계수가작은제2 유전박막을포함하는유전박막패턴을형성하되, 상기제1 유전박막은나노미터크기의폭을갖도록형성하는단계; 및 (c) 상기유전박막패턴이형성된화합물반도체층을열처리하여, 상기제2 유전박막의하부에해당하는화합물반도체층의영역에서상기우물층의원소와상기장벽층들의원소사이의인터믹싱을유발하는단계를포함한다. 이에따르면, 양자점의제조공정중 발생하는결함을최소화할수 있으며, 양자점의크기, 밀도및 성장위치를선택적으로제어할수 있다.

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