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1. 发明授权

KR101896295B1 비료 시비량 절감용 복합비료 및 이를 이용하여 시비하는 방법 有权
公开(公告)号：KR101896295B1
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：KR1020160169174
申请日：2016-12-13
申请人： 경기도 , 주식회사 풍농
发明人： 임갑준 , 송상재 , 이종철 , 주옥정 , 이상덕 , 원태진 , 조광래 , 강창성 , 박인태 , 김순재
IPC分类号： C05G1/00 , C05G3/08
摘要： 본발명은비료시비량절감용복합비료및 이를이용하여시비하는방법에관한것으로서, 비료시비량절감용복합비료및 이를이용하여시비하는방법은질소(N), 인(P) 및칼륨(K)을주성분으로함유하는복합비료와요소분해억제제로구성되며, 상기복합비료와상기요소분해억제제의구성비율은재배작물의온실가스발생량측정을통해결정되고, 상기온실가스는 NO이며, 상기복합비료는 500 중량부, 상기요소분해억제제는 1 중량부인것을특징으로한다. 본발명에따르면온실가스(특히 NO) 발생량측정이라는간이하고효율적인방법을통해복합비료와요소분해억제제의구성비가신속하게결정될수 있다. 또한본 발명에따라결정된구성비율을지닌복합비료를이용하여기존복합비료기준량의절반만을시비하고각종작물을재배한결과, 재배된작물의생육, 수량또는품질이관행대비차이가없는것으로파악되었다. 나아가본 발명인비료시비량절감용복합비료및 이를이용하여시비하는방법에의하면비료사용량을 50% 감소시킬수 있으므로친환경적이며경제성이우수한효과를지닌다.

2. 发明公开

KR1020180067825A 비료 시비량 절감용 복합비료 및 이를 이용하여 시비하는 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180067825A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：KR1020160169174
申请日：2016-12-13
申请人： 경기도 , 주식회사 풍농
发明人： 임갑준 , 송상재 , 이종철 , 주옥정 , 이상덕 , 원태진 , 조광래 , 강창성 , 박인태 , 김순재
IPC分类号： C05G1/00 , C05G3/08
CPC分类号： C05G1/00 , A01G7/06 , C05G3/08
摘要： 본발명은비료시비량절감용복합비료및 이를이용하여시비하는방법에관한것으로서, 비료시비량절감용복합비료및 이를이용하여시비하는방법은질소(N), 인(P) 및칼륨(K)을주성분으로함유하는복합비료와요소분해억제제로구성되며, 상기복합비료와상기요소분해억제제의구성비율은재배작물의온실가스발생량측정을통해결정되고, 상기온실가스는 NO이며, 상기복합비료는 500 중량부, 상기요소분해억제제는 1 중량부인것을특징으로한다. 본발명에따르면온실가스(특히 NO) 발생량측정이라는간이하고효율적인방법을통해복합비료와요소분해억제제의구성비가신속하게결정될수 있다. 또한본 발명에따라결정된구성비율을지닌복합비료를이용하여기존복합비료기준량의절반만을시비하고각종작물을재배한결과, 재배된작물의생육, 수량또는품질이관행대비차이가없는것으로파악되었다. 나아가본 발명인비료시비량절감용복합비료및 이를이용하여시비하는방법에의하면비료사용량을 50% 감소시킬수 있으므로친환경적이며경제성이우수한효과를지닌다.

3. 发明授权

KR100874635B1 반도체 제조 부산 인산액으로부터 비료를 합성하는 방법 有权
标题翻译：从半导体诱导剂合成肥料的方法
公开(公告)号：KR100874635B1
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：KR1020070066048
申请日：2007-07-02
申请人： 주식회사 풍농
发明人： 이종철 , 경석헌
IPC分类号： C05B11/12 , C05C5/00
CPC分类号： C05G1/00 , C05B11/06 , C05C5/00
摘要： A method for synthesizing a fertilizer from a semiconductor etchant is provided to manufacture a scentless raw material by removing completely an acetic acid generating smell using a difference of a neutralization titration point. A method for synthesizing a fertilizer from a semiconductor etchant comprises steps of: (a1) preparing an etchant containing a phosphoric acid, a nitric acid and an acetic acid generated from a manufacturing process of semiconductor or a display substrate; (a2) manufacturing a phosphate acid salt and a nitric acid salt from the phosphoric acid and the nitric acid by adding and reacting a basic material in the etchant; and (a3) separating the phosphate acid salt and the nitric acid salt from the etchant. In the step (a2), the basic material is added and reacted at a range that an acidity of the etchant is over a first neutralization titration point of the phosphoric acid and below a neutralization titration point of the acetic acid.
摘要翻译：提供了从半导体蚀刻剂合成肥料的方法，通过使用中和滴定点的差别完全除去产生乙酸的气味来制造无味原料。从半导体蚀刻剂合成肥料的方法包括以下步骤：（a1）制备含有由半导体或显示基板的制造过程产生的磷酸，硝酸和乙酸的蚀刻剂; （a2）通过在蚀刻剂中添加和反应碱性物质从磷酸和硝酸制造磷酸盐和硝酸盐; 和（a3）从蚀刻剂中分离磷酸盐和硝酸盐。在工序（a2）中，添加碱性物质，使其在蚀刻剂的酸度超过磷酸的中和滴定点以上且低于乙酸的中和滴定点的范围进行反应。

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