专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101518094B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR101518094B1
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020110059076
申请日：2011-06-17
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 이찌조미쯔히로 , 엔도도시야 , 스즈끼구니히꼬
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136 , H01L21/336
摘要： 본 발명은 양호한 전기 특성을 갖는 반도체 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
채널 영역을 형성하는 산화물 반도체층과 접하는 게이트 절연층으로서 수소 농도가 6×10
20 atoms/cm
3 미만, 또 불소 농도가 1×10
20 atoms/cm
3 이상인 게이트 절연층을 사용함으로써, 게이트 절연층으로부터 방출되는 수소량이 저감되어, 산화물 반도체층 내로 수소가 확산되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 불소에 의해 산화물 반도체층 내에 존재하는 수소를 탈리시켜, 산화물 반도체층 내의 수소 농도를 저감시킬 수 있기 때문에, 양호한 전기 특성을 갖는 반도체 장치를 제공할 수 있다.

2. 发明公开

KR1020140144157A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020140144157A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：KR1020140148549
申请日：2014-10-29
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 이찌조미쯔히로 , 엔도도시야 , 스즈끼구니히꼬 , 다께무라야스히꼬
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78606
摘要： In a transistor including an oxide semiconductor, hydrogen in the oxide semiconductor leads to degradation of electric characteristics of the transistor. Thus, an objective is to provide a semiconductor device having good electrical characteristics. An insulating layer in contact with an oxide semiconductor layer where a channel region is formed is formed by a plasma CVD method using a silicon halide. The insulating layer thus formed has a hydrogen concentration less than 6×10 20 atoms/cm3 atoms/cm3 and a halogen concentration greater than or equal to 1×10 20 atoms/cm3 atoms/cm3; accordingly, hydrogen diffusion into the oxide semiconductor layer can be prevented and hydrogen in the oxide semiconductor layer is inactivated or released from the oxide semiconductor layer by the halogen, whereby a semiconductor device having good electrical characteristics can be provided.
摘要翻译：在包括氧化物半导体的晶体管中，氧化物半导体中的氢导致晶体管的电特性的劣化。因此，目的是提供具有良好电气特性的半导体器件。通过使用卤化硅的等离子体CVD法形成与形成沟道区的氧化物半导体层接触的绝缘层。如此形成的绝缘层的氢浓度小于6×10 20原子/ cm 3原子/ cm 3，卤素浓度大于或等于1×10 20原子/ cm3原子/ cm3; 因此，可以防止氢氧化进入氧化物半导体层，并且氧化物半导体层中的氢被卤素氧化半导体层失活或释放，从而可以提供具有良好电特性的半导体器件。

3. 发明公开

KR1020130082079A 반도체 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130082079A
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：KR1020127030989
申请日：2011-05-11
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 기무라구니오 , 이치조미츠히로 , 엔도도시야
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78606 , G02F1/133345 , G02F1/13394 , G02F1/134309 , G02F1/1368 , G02F2203/64 , H01L21/3003 , H01L21/31629 , H01L27/1225 , H01L27/14616 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/51 , H01L29/66742
摘要： 본 발명의 하나의 목적은 안정된 전기적 특성과 높은 신뢰성을 포함하는 산화물 반도체를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 또한, 다른 목적은 높은 수율로 신뢰성 높은 반도체 장치를 제조하는 것이다. 산화물 반도체막을 포함하는 톱 게이트 구조의 스태거형 트랜지스터에서, 산화물 반도체막과 접하는 제1 게이트 절연막으로서, 플라즈마 CVD법에 의해 불화 실리콘 및 산소를 포함하는 성막 가스를 이용하여 산화 실리콘막을 형성하고, 제1 게이트 절연막 위에 적층된 제2 게이트 절연막으로서, 플라즈마 CVD법에 의해 수소화 실리콘 및 산소를 포함하는 성막 가스를 이용하여 산화 실리콘막을 형성한다.
摘要翻译：一个目的是提供一种具有稳定的电特性和高可靠性的氧化物半导体的半导体装置。另一个目的是以高产量制造高度可靠的半导体器件。在包括氧化物半导体膜的顶栅交错晶体管中，作为与氧化物半导体膜接触的第一栅极绝缘膜，通过使用含有氟化硅和氧的沉积气体的等离子体CVD法形成氧化硅膜; 并且作为层叠在第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜，通过使用含有氢化硅和氧的沉积气体的等离子体CVD法形成氧化硅膜。

4. 发明公开

KR1020130070641A 반도체 장치 및 그 제작 방법 有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130070641A
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：KR1020137009877
申请日：2011-05-11
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 기무라구니오 , 이치조미츠히로 , 엔도도시야
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78606 , G02F1/133345 , G02F1/13394 , G02F1/134309 , G02F1/1368 , G02F2203/64 , H01L21/3003 , H01L21/31629 , H01L27/1225 , H01L27/14616 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 본 발명의 하나의 목적은 안정된 전기적 특성과 높은 신뢰성을 포함하는 산화물 반도체를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 또한, 다른 목적은 높은 수율로 신뢰성 높은 반도체 장치를 제작하는 것이다. 산화물 반도체막을 포함하는 톱 게이트 구조의 스태거형 트랜지스터에서, 산화물 반도체막과 접하는 제1 게이트 절연막으로서, 플라즈마 CVD법에 의해 불화 실리콘 및 산소를 포함하는 성막 가스를 이용하여 산화 실리콘막을 형성하고, 제1 게이트 절연막 위에 적층된 제2 게이트 절연막으로서, 플라즈마 CVD법에 의해 수소화 실리콘 및 산소를 포함하는 성막 가스를 이용하여 산화 실리콘막을 형성한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种包括具有稳定电特性和高可靠性的氧化物半导体的半导体器件。另一个目的是以高产率制造高可靠性的半导体器件。在该栅极结构包括氧化物半导体膜，形成第一栅极绝缘膜的上交错型晶体管是在与半导体膜，通过使用膜形成含有硅和氧的氟化物气体，通过等离子体CVD法的氧化硅膜，而接触的氧化物 1作为第二栅极绝缘膜的栅极绝缘膜层叠在，通过使用由等离子CVD法含有氢化硅和氧的成膜气体来形成氧化硅膜。

5. 发明授权

KR102153011B1 반도체 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102153011B1
公开(公告)日：2020-09-07
申请号：KR1020190115607
申请日：2019-09-19
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 이찌조미쯔히로 , 엔도도시야 , 스즈끼구니히꼬 , 다께무라야스히꼬
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/02

6. 发明公开

KR1020140057232A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020140057232A
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020140046788
申请日：2014-04-18
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 이찌조미쯔히로 , 엔도도시야 , 스즈끼구니히꼬
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L29/247 , H01L29/42384 , H01L29/47 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78696 , H01L29/78603
摘要： The subject of the present invention is to provide a semiconductor device having good electrical characteristics. A gate insulating layer having a hydrogen concentration less than 6×10^20 atoms/cm^3 and a fluorine concentration greater than or equal to 1×10^20 atoms/cm^3 is used as a gate insulating layer in contact with an oxide semiconductor layer forming a channel region, so that the amount of hydrogen released from the gate insulating layer can be reduced and diffusion of hydrogen into the oxide semiconductor layer can be prevented. Further, hydrogen present in the oxide semiconductor layer can be eliminated with the use of fluorine, thus, the hydrogen concentration in the oxide semiconductor layer can be reduced. Consequently, the semiconductor device having good electrical characteristics can be provided.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种具有良好电特性的半导体器件。使用具有小于6×10 ^ 20原子/ cm 3的氢浓度和大于或等于1×10 ^ 20原子/ cm 3的氟浓度的栅极绝缘层作为与氧化物半导体层形成沟道区，从而可以减少从栅极绝缘层释放的氢的量，并且可以防止氢向氧化物半导体层的扩散。此外，可以通过使用氟来消除存在于氧化物半导体层中的氢，因此可以降低氧化物半导体层中的氢浓度。因此，可以提供具有良好电特性的半导体器件。

7. 发明授权

KR101364338B1 반도체 장치 및 그 제작 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101364338B1
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020137009877
申请日：2011-05-11
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 기무라구니오 , 이치조미츠히로 , 엔도도시야
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78606 , G02F1/133345 , G02F1/13394 , G02F1/134309 , G02F1/1368 , G02F2203/64 , H01L21/3003 , H01L21/31629 , H01L27/1225 , H01L27/14616 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 본 발명의 하나의 목적은 안정된 전기적 특성과 높은 신뢰성을 포함하는 산화물 반도체를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 또한, 다른 목적은 높은 수율로 신뢰성 높은 반도체 장치를 제작하는 것이다. 산화물 반도체막을 포함하는 톱 게이트 구조의 스태거형 트랜지스터에서, 산화물 반도체막과 접하는 제1 게이트 절연막으로서, 플라즈마 CVD법에 의해 불화 실리콘 및 산소를 포함하는 성막 가스를 이용하여 산화 실리콘막을 형성하고, 제1 게이트 절연막 위에 적층된 제2 게이트 절연막으로서, 플라즈마 CVD법에 의해 수소화 실리콘 및 산소를 포함하는 성막 가스를 이용하여 산화 실리콘막을 형성한다.
摘要翻译：一个目的是提供一种具有稳定的电特性和高可靠性的氧化物半导体的半导体装置。另一个目的是以高产量制造高度可靠的半导体器件。在包括氧化物半导体膜的顶栅交错晶体管中，作为与氧化物半导体膜接触的第一栅极绝缘膜，通过使用含有氟化硅和氧的沉积气体的等离子体CVD法形成氧化硅膜; 并且作为层叠在第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜，通过使用含有氢化硅和氧的沉积气体的等离子体CVD法形成氧化硅膜。

8. 发明公开

KR1020110138192A 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020110138192A
公开(公告)日：2011-12-26
申请号：KR1020110059076
申请日：2011-06-17
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 이찌조미쯔히로 , 엔도도시야 , 스즈끼구니히꼬
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L29/247 , H01L29/42384 , H01L29/47 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78696 , H01L29/51 , H01L29/66742
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to form a gate insulating layer with hydrogen and fluorine concentration which contacts an oxide semiconductor layer, thereby providing a transistor with good electrical features. CONSTITUTION: A gate electrode layer(106) is formed on a lower insulating layer(104). A gate insulating layer(108) covers the gate electrode layer. An oxide semiconductor layer(110) forming a channel region is formed on the gate insulating layer. A source electrode layer(112a) and a drain electrode layer(112b) are formed on the gate insulating layer and the oxide semiconductor layer. An insulating layer(114) covers the source electrode layer, the drain electrode layer, and the oxide semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供半导体器件以形成与氧和氟浓度接触的栅极绝缘层，其接触氧化物半导体层，从而提供具有良好电气特征的晶体管。构成：在下绝缘层（104）上形成栅电极层（106）。栅极绝缘层（108）覆盖栅电极层。在栅极绝缘层上形成形成沟道区的氧化物半导体层（110）。源极电极层（112a）和漏电极层（112b）形成在栅极绝缘层和氧化物半导体层上。绝缘层（114）覆盖源极电极层，漏极电极层和氧化物半导体层。

9. 发明授权

KR102005662B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102005662B1
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：KR1020177037025
申请日：2011-05-11
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 기무라구니오 , 이치조미츠히로 , 엔도도시야
IPC分类号： H01L29/49 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/51

10. 发明授权

KR101813559B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101813559B1
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：KR1020127030989
申请日：2011-05-11
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 기무라구니오 , 이치조미츠히로 , 엔도도시야
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78606 , G02F1/133345 , G02F1/13394 , G02F1/134309 , G02F1/1368 , G02F2203/64 , H01L21/3003 , H01L21/31629 , H01L27/1225 , H01L27/14616 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 본발명의하나의목적은안정된전기적특성과높은신뢰성을포함하는산화물반도체를포함하는반도체장치를제공하는것이다. 또한, 다른목적은높은수율로신뢰성높은반도체장치를제조하는것이다. 산화물반도체막을포함하는톱 게이트구조의스태거형트랜지스터에서, 산화물반도체막과접하는제1 게이트절연막으로서, 플라즈마 CVD법에의해불화실리콘및 산소를포함하는성막가스를이용하여산화실리콘막을형성하고, 제1 게이트절연막위에적층된제2 게이트절연막으로서, 플라즈마 CVD법에의해수소화실리콘및 산소를포함하는성막가스를이용하여산화실리콘막을형성한다.
摘要翻译：本发明的一个目的是提供包括氧化物半导体，包括一个稳定的电特性和高可靠性的半导体器件。另一个目的是以高产率制造高可靠性的半导体器件。在该栅极结构包括氧化物半导体膜，形成第一栅极绝缘膜的上交错型晶体管是在与半导体膜，通过使用膜形成含有硅和氧的氟化物气体，通过等离子体CVD法的氧化硅膜，而接触的氧化物 1作为第二栅极绝缘膜的栅极绝缘膜层叠在，通过使用由等离子CVD法含有氢化硅和氧的成膜气体来形成氧化硅膜。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式