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1. 发明公开

KR1020130044150A 반도체 장치 및 그 제작 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130044150A
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：KR1020120113994
申请日：2012-10-15
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 사사키도시나리 , 노다고세이 , 사토유헤이 , 엔도유타
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/42364 , H01L29/66742 , H01L29/78603
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to reduce an impurity level due to hydrogen and a detect level due to oxygen loss, and to improve the reliability of a semiconductor device having a transistor using an oxide semiconductor layer. CONSTITUTION: An oxide semiconductor layer(106) is formed on a lower insulation layer(102). The oxide semiconductor layer has a first area(106a), a second area(106b), and a third area(106c). A gate insulating layer(112) is formed on the oxide semiconductor layer. A gate electrode(104) is formed on the gate insulating layer overlapped with the oxide semiconductor layer. An interlayer insulating layer(118) is formed on the gate electrode. Lines(116a,116b) touch the oxide semiconductor layer through an opening part formed on the interlayer insulating layer and the gate insulating layer.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以减少由于氢引起的杂质水平和由于氧损失引起的检测水平，并提高具有使用氧化物半导体层的晶体管的半导体器件的可靠性。构成：在下绝缘层（102）上形成氧化物半导体层（106）。氧化物半导体层具有第一区域（106a），第二区域（106b）和第三区域（106c）。在氧化物半导体层上形成栅极绝缘层（112）。在与氧化物半导体层重叠的栅极绝缘层上形成栅电极（104）。在栅电极上形成层间绝缘层（118）。线（116a，116b）通过形成在层间绝缘层和栅极绝缘层上的开口部分接触氧化物半导体层。

2. 发明公开

KR1020120114169A 반도체 장치의 제작 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020120114169A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：KR1020120034833
申请日：2012-04-04
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 사토유헤이 , 사토케이지 , 사사키도시나리 , 마루야마테츠노리 , 이소베아츠오 , 무라카와츠토무 , 테즈카사치아키
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/477 , H01L29/66742 , H01L21/324 , H01L29/78606
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent water or hydrogen to be entered in an oxide semiconductor layer by forming an oxide aluminum film on an insulating layer and a gate electrode layer. CONSTITUTION: A gate insulating layer(110) is formed on an oxide semiconductor layer(106). A gate electrode layer(112) is formed on the oxide semiconductor layer. The gate insulating layer is placed between the oxide semiconductor layer and the gate electrode layer. An oxide aluminum film is formed on the gate electrode layer. A thermal process is processed to the oxide semiconductor layer. The thickness of the oxide aluminum film is 50nm to 500nm. An inter-layer insulating film is formed on the oxide aluminum film.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的方法，以通过在绝缘层和栅电极层上形成氧化铝膜来防止水或氢进入氧化物半导体层。构成：在氧化物半导体层（106）上形成栅极绝缘层（110）。在氧化物半导体层上形成栅电极层（112）。栅极绝缘层位于氧化物半导体层和栅电极层之间。在栅电极层上形成氧化铝膜。对氧化物半导体层进行热处理。氧化铝膜的厚度为50nm至500nm。在氧化铝膜上形成层间绝缘膜。

3. 发明公开

KR1020150073096A 반도체 장치의 제작 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020150073096A
公开(公告)日：2015-06-30
申请号：KR1020140182188
申请日：2014-12-17
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 야마데나오토 , 야마모토요시타카 , 스자와,히데오미 , 사카쿠라마사유키 , 사토유헤이 , 야마네야수마사
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/383 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/465 , H01L21/477 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/78606
摘要： 본발명은산화물반도체를사용한반도체장치에서, 전기특성을향상시킨다. 기판위에제공된제 1 게이트전극및 제 1 절연막위에제 1 산화물반도체막을형성하고제 1 산화물반도체막에산소를첨가한후, 제 1 산화물반도체막위에제 2 산화물반도체막을형성하고, 가열처리를수행하여제 1 산화물반도체막에포함되는산소의일부를제 2 산화물반도체막으로이동시킨다. 다음에제 1 절연막, 및산소가첨가된제 1 산화물반도체막및 제 2 산화물반도체막의각각일부를에칭하여, 볼록부를갖는제 1 게이트절연막, 에칭된제 1 산화물반도체막, 및에칭된제 2 산화물반도체막을형성한다. 다음에에칭된제 2 산화물반도체막위에한 쌍의전극을형성하고, 에칭된제 2 산화물반도체막및 한쌍의전극위에제 3 산화물반도체막을형성한다. 다음에제 3 산화물반도체막위에제 2 게이트절연막을형성하고, 제 2 게이트절연막위에제 2 게이트전극을형성하는반도체장치의제작방법이다.
摘要翻译：本发明改善使用氧化物半导体的半导体器件中的电性能。一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一栅电极上方形成第一氧化物半导体膜，在衬底上形成第一绝缘膜，向第一氧化物半导体膜中加入氧，在第一氧化物半导体膜上方形成第二氧化物半导体膜氧化物半导体膜，进行加热处理，将包含在第一氧化物半导体膜中的一部分氧气移动到第二氧化物半导体膜; 分别蚀刻第一绝缘膜的一部分，添加有氧的第一氧化物半导体膜和第二氧化物半导体膜，并且形成具有凸部的第一栅绝缘膜，第一蚀刻氧化物半导体膜和第二蚀刻氧化物半导体膜蚀刻氧化物半导体膜; 在所述第二蚀刻氧化物半导体膜上形成一对电极，在所述第二蚀刻氧化物半导体膜上方形成第三氧化物半导体膜和一对电极; 在所述第三氧化物半导体膜上方形成第二栅极绝缘膜，以及在所述第二栅极绝缘膜的上方形成第二栅电极。

4. 发明公开

KR1020120129795A 반도체 장치의 제작 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020120129795A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020120052391
申请日：2012-05-17
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고에주카주니치 , 사토유헤이 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L29/04 , H01L29/7869
摘要： PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor device is provided to implement stable electrical characteristic by forming an oxide aluminum film on a crystalline oxide semiconductor film to prevent oxygen from being discharged from the crystalline oxide semiconductor layer in a heating process. CONSTITUTION: An amorphous oxide semiconductor film(491) is formed between an insulating layer(407) and an oxide aluminum film. A heating process is performed on the amorphous oxide semiconductor film to form a crystalline oxide semiconductor film(403). The crystalline oxide semiconductor is doped with oxygen to form the amorphous oxide semiconductor film containing excessive oxygen.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的方法以通过在结晶氧化物半导体膜上形成氧化物铝膜来实现稳定的电气特性，以防止氧气在加热过程中从结晶氧化物半导体层排出。构成：在绝缘层（407）和氧化铝膜之间形成无定形氧化物半导体膜（491）。对非晶氧化物半导体膜进行加热处理，以形成结晶氧化物半导体膜（403）。结晶氧化物半导体掺杂有氧以形成含有过量氧的无定形氧化物半导体膜。

5. 发明公开

KR1020120121846A 반도체 장치의 제작 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020120121846A
公开(公告)日：2012-11-06
申请号：KR1020120043275
申请日：2012-04-25
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 코에즈카준이치 , 야마데나오토 , 사토유헤이 , 오카자키유타카 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66742 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/7869
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent a defective product by forming an oxide aluminum film on a crystalline oxide semiconductor film. CONSTITUTION: A first crystalline oxide semiconductor film(403) is formed on an insulating layer. A gate insulating layer is formed on the first crystalline oxide semiconductor film. An amorphous oxide semiconductor film is formed on the gate insulating layer. A gate electrode layer(401) is formed on the gate insulating layer. An oxide aluminum film is formed on the gate electrode layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过在结晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜来防止缺陷产物。构成：在绝缘层上形成第一晶体氧化物半导体膜（403）。在第一结晶氧化物半导体膜上形成栅极绝缘层。在栅绝缘层上形成非晶氧化物半导体膜。在栅极绝缘层上形成栅电极层（401）。在栅电极层上形成氧化铝膜。

6. 发明授权

KR101961847B1 반도체 장치의 제작 방법 有权
公开(公告)号：KR101961847B1
公开(公告)日：2019-03-25
申请号：KR1020120034833
申请日：2012-04-04
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 사토유헤이 , 사토케이지 , 사사키도시나리 , 마루야마테츠노리 , 이소베아츠오 , 무라카와츠토무 , 테즈카사치아키
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336

7. 发明公开

KR1020170113587A 산화물 반도체막 및 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：氧化物半导体薄膜和半导体器件
公开(公告)号：KR1020170113587A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020177023369
申请日：2016-01-29
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 시모무라아키히사 , 고에즈카준이치 , 오카자키겐이치 , 야마네야스마사 , 사토유헤이 , 야마자키슌페이
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/24
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/78648 , H01L29/78696
摘要： 신규산화물반도체막을제공한다. 상기산화물반도체막은 In,, 및 Zn을포함한다.은 Al, Ga, Y, 또는 Sn이다. 상기산화물반도체막의 In의비율이 4인경우, 상기의비율이 1.5 이상 2.5 이하이고상기 Zn의비율이 2 이상 4 이하이다.
摘要翻译：由此提供新型氧化物半导体膜。氧化物半导体膜包含In和Zn，Al是Ga，Y或Sn。氧化物半导体膜4在安吴的比率，是1.5至2.5或更小，以上的下面中的Zn 2 4的比例的比值。

8. 发明公开

KR1020150072345A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020150072345A
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020140180295
申请日：2014-12-15
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 시모무라아키히사 , 사토유헤이 , 야마네야수마사 , 야마모토요시타카 , 수자와히데오미 , 타나카테츠히로 , 오카자키유타카 , 오쿠노나오키 , 이시야마다카히사
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/78606 , H01L29/78696
摘要： 본발명은도통시의전류값이큰 트랜지스터를제공한다. 과잉산소를포함하는제 1 절연체와, 제 1 절연체위의제 1 산화물반도체와, 제 1 산화물반도체위의제 2 산화물반도체와, 제 2 산화물반도체위에서간격을두고배치된제 1 도전체및 제 2 도전체와, 제 1 산화물반도체의측면, 제 2 산화물반도체의상면및 측면, 제 1 도전체의상면, 및제 2 도전체의상면에접촉하는제 3 산화물반도체와, 제 3 산화물반도체위의제 2 절연체와, 제 2 절연체및 제 3 산화물반도체를개재하여제 2 산화물반도체의상면및 측면과대향하는제 3 도전체를갖고, 제 1 산화물반도체는제 3 산화물반도체보다산소투과성이높은반도체장치이다.
摘要翻译：在本发明中提供了一种在馈电过程中具有高电流的晶体管。半导体器件包括包含过量氢的第一绝缘体; 位于第一绝缘体上的第一氧化物半导体; 位于第一氧化物半导体上的第二氧化物半导体; 在所述第二氧化物半导体上布置成一定距离的第一导体和第二导体; 与第一氧化物半导体的侧面接触的第三氧化物半导体，第二氧化物半导体的上表面和侧面，第一导体的上表面和第二导体的上表面; 位于所述第三氧化物半导体上的第二绝缘体; 以及第三导体，插入所述第二绝缘体和所述第三导体，所述第二绝缘体和所述第三导体插入所述第二绝缘体和所述第三氧化物半导体，并且面向所述第二氧化物半导体的上表面和侧表面，其中所述第一氧化物半导体具有比所述第三氧化物半导体。

9. 发明公开

KR1020120125172A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020120125172A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020120046790
申请日：2012-05-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고에즈카준이치 , 야마데나오토 , 요시오카교코 , 사토유헤이 , 테라시마마리
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02667 , H01L21/04 , H01L29/66742
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to prevent defects generated in the interface by forming an oxide aluminum film on an amorphous oxide semiconductor layer so that oxygen in the amorphous oxide semiconductor layer is not emitted and heat-treating it. CONSTITUTION: An amorphous oxide is formed on a semiconductor layer. A gate insulating layer(406) is formed on an amorphous oxide semiconductor layer(404). Oxygen is injected into the amorphous oxide semiconductor layer so that the amorphous oxide semiconductor layer comprises an area which contains the oxygen exceeding chemical composition ratio. A gate electrode(410) is formed on the gate insulating layer. An insulating layer which includes an aluminum oxide is formed in the gate electrode.
摘要翻译：目的：提供半导体器件以通过在非晶氧化物半导体层上形成氧化物铝膜来防止在界面中产生的缺陷，使得非晶氧化物半导体层中的氧不被发射并对其进行热处理。构成：在半导体层上形成无定形氧化物。在非晶氧化物半导体层（404）上形成栅极绝缘层（406）。将氧气注入到非晶氧化物半导体层中，使得非晶氧化物半导体层包括含氧超过化学组成比的区域。栅电极（410）形成在栅极绝缘层上。在栅电极中形成包含氧化铝的绝缘层。

10. 发明授权

KR102214971B1 반도체 장치 및 그 제작 방법 有权
公开(公告)号：KR102214971B1
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：KR1020120113994
申请日：2012-10-15
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 사사키도시나리 , 노다고세이 , 사토유헤이 , 엔도유타
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 본발명은산화물반도체막의수소농도및 산소결손을저감하고, 또산화물반도체막을사용한트랜지스터를갖는반도체장치의신뢰성을향상시키는것을과제로한다. 하지절연막과하지절연막위에형성된산화물반도체막과, 산화물반도체막위에형성된게이트절연막과, 게이트절연막을개재하여산화물반도체막에중첩되도록형성된게이트전극을갖고, 하지절연막은전자스핀공명으로 g 값이 2.01에서신호를나타내고, 산화물반도체막은전자스핀공명으로 g 값이 1.93에서신호를나타내지않는반도체장치다.

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