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1. 发明公开

KR1020000068992A 판 두께 줄임 압연방법과, 판 두께 줄임 압연장치 및 그 방법 失效
标题翻译：减少板厚轧制方法，减小板厚轧制设备及其方法
公开(公告)号：KR1020000068992A
公开(公告)日：2000-11-25
申请号：KR1019997004317
申请日：1998-09-11
申请人： 가부시키가이샤 아이에이치아이 , 제이에프이 엔지니어링 가부시키가이샤
发明人： 나루시마시게키 , 이데켄이치 , 도도야수시 , 사토카즈유키 , 타조에노부히로 , 사토히사시 , 후지야수히로 , 이마이이사오 , 오바타토시히코 , 마수다,사다카주 , 야마시나수이치 , 이케무네쇼죠 , 무라타사토시 , 요코야마타카시 , 세키네히로시 , 모토야시키요이치
IPC分类号： B21B13/18
CPC分类号： B21B39/12 , B21B1/024 , B21B1/42 , B21B13/18 , B21B15/0035 , B21B39/006 , B21B39/04 , B21B39/14 , B21B41/08 , B21B2203/10 , B21B2203/20 , B21J1/04 , B21J7/18
摘要： 피압축물(1)은피압축물(1)의반송선측에서보았을때, 피압축물의상부및 하부로부터반송선쪽으로근접된볼록성형면이구비되어상호동조하는금형에의해압축성형되며, 상기피압축물(1)과접촉되는금형의성형면부분이반송선의상류측으로부터하류측으로반송되는방식으로금형에진자운동을가하게된다.
摘要翻译：压缩材料（1）从信封（1）的输送侧观察时，从压缩材料的上部和下部接近输送线的凸形成形面通过相互啮合的部分压缩成形，摆动运动以这样的方式施加到模具上，使得与模具1接触的模具的模制表面部分从输送管线的上游侧输送到下游侧。

2. 发明授权

KR100548606B1 판 두께 줄임 압연방법과, 판 두께 줄임 압연장치 및 그 방법 失效
标题翻译：减少板厚轧制方法，减小板厚轧制设备及其方法
公开(公告)号：KR100548606B1
公开(公告)日：2006-01-31
申请号：KR1019997004317
申请日：1998-09-11
申请人： 가부시키가이샤 아이에이치아이 , 제이에프이 엔지니어링 가부시키가이샤
发明人： 나루시마시게키 , 이데켄이치 , 도도야수시 , 사토카즈유키 , 타조에노부히로 , 사토히사시 , 후지야수히로 , 이마이이사오 , 오바타토시히코 , 마수다,사다카주 , 야마시나수이치 , 이케무네쇼죠 , 무라타사토시 , 요코야마타카시 , 세키네히로시 , 모토야시키요이치
IPC分类号： B21B13/18
CPC分类号： B21B39/12 , B21B1/024 , B21B1/42 , B21B13/18 , B21B15/0035 , B21B39/006 , B21B39/04 , B21B39/14 , B21B41/08 , B21B2203/10 , B21B2203/20 , B21J1/04 , B21J7/18
摘要： 피압축물(1)은 피압축물(1)의 반송선 측에서 보았을 때, 피압축물의 상부 및 하부로부터 반송선쪽으로 근접된 볼록 성형면이 구비되어 상호 동조하는 금형에 의해 압축성형되며, 상기 피압축물(1)과 접촉되는 금형의 성형면 부분이 반송선의 상류측으로부터 하류측으로 반송되는 방식으로 금형에 진자운동을 가하게 된다.
압연장치, 금형, 샤프트, 스윙장치, 크랭크 장치.
摘要翻译：血压坯1是P，从复合片（1）的bansongseon侧看，设置有凸成形表面特写从物体压缩的顶部和底部bansongseon被压缩成形用模具相互同步时，待压缩的水（1）和模具部分在接触施加的方式在模具中的摆动运动的模制表面以从bansongseon的上游侧输送到下游侧。

3. 发明公开

KR1020050121272A 열전 반도체 재료, 해당 열전 반도체 재료에 의한 열전 반도체 소자, 해당 열전 반도체 소자를 사용한 열전 모듈 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：热电半导体材料，热电子半导体元件，包括热电半导体元件的热电模块及其生产工艺
公开(公告)号：KR1020050121272A
公开(公告)日：2005-12-26
申请号：KR1020057020727
申请日：2004-05-07
申请人： 가부시키가이샤 아이에이치아이
发明人： 오타도시노리 , 요시자와히로키 , 후지타고이치 , 이마이이사오 , 도소츠요시 , 니시이케우지히로
IPC分类号： H01L35/34
CPC分类号： H01L35/34 , B22D11/0611 , H01L35/16
摘要： Thermoelectric semiconductor material (10) of plate form having Te-rich phases finely dispersed in a complex compound semiconductor phase wherein the directions of extension of C- face of most crystal grains are uniformalized is produced by a process comprising preparing a metal mixture composed of (Bi-Sb)2Te 3 composition having excess Te added thereto, melting the metal mixture and solidifying the melt on the surface of cooling roll of 5 m/sec or less peripheral speed so that the plate thickness is 30 mum or more. Further, thermoelectric semiconductor material (17) having crystal orientation characteristics such that not only the directions of extension of C-face of hexagonal structure of crystal grains but also the C-axis directions thereof are nearly uniformalized is produced by laminating thermoelectric semiconductor materials (10) in the direction of plate thickness, effecting solidification molding thereof into molded item (12) and carrying out plastic deformation of the molded item (12) so that shear force is applied in a monoaxial direction approximately parallel to the main lamination direction of thermoelectric semiconductor materials (10). As a result, an enhancement of thermoelectric performance index can be attained through enhancement of crystalline orientation properties.
摘要翻译：通过包括制备金属混合物的方法制备具有精细分散在复合化合物半导体相中的富Te相的热电半导体材料（10），其中大多数晶粒的C-面的延伸方向均匀化， Bi-Sb）2Te 3组合物，其中添加了多余的Te，使金属混合物熔融并使冷却辊表面上的熔体固化为5m / sec以下的圆周速度，使得板厚为30μm以上。此外，具有不仅晶体的六方结构的C面的延伸方向，而且其C轴方向的晶体取向特性几乎均匀化的热电半导体材料（17）通过层叠热电半导体材料（10 ）在板厚方向上进行成型（12）的凝固成型，进行成型品（12）的塑性变形，使得剪切力沿大致平行于热电半导体的主层叠方向的单轴方向施加材料（10）。结果，通过提高结晶取向性能可以获得热电性能指标的提高。

4. 发明授权

KR100749122B1 열전 반도체 재료, 해당 열전 반도체 재료에 의한 열전 반도체 소자, 해당 열전 반도체 소자를 사용한 열전 모듈 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：热电半导体材料，其热电半导体元件，包括热电半导体元件的热电模块及其制造方法
公开(公告)号：KR100749122B1
公开(公告)日：2007-08-13
申请号：KR1020057020727
申请日：2004-05-07
申请人： 가부시키가이샤 아이에이치아이
发明人： 오타도시노리 , 요시자와히로키 , 후지타고이치 , 이마이이사오 , 도소츠요시 , 니시이케우지히로
IPC分类号： H01L35/34
CPC分类号： H01L35/34 , B22D11/0611 , H01L35/16
摘要： (Bi-Sb)
2 (Te-Se)
3 계의 조성에 대해 과잉의 Te를 더한 금속 혼합물을 조제하고, 또 금속 혼합물을 융용시킨 후 주속이 5m/초 이하인 냉각롤러의 표면에서 두께가 30㎛ 이상이 되도록 용융시켜서 복합 화합물 반도체상 중에 Te리치상을 미세하게 분산시키고 또한 대부분의 결정입자의 C면이 연장되는 방향이 정렬된 판형의 열전 반도체 소재(10)를 제조하고, 또한 열전 반도체 소재(10)를 판두께 방향으로 적층하고 고화 성형하여 형성체(12)를 형성한 후, 형성체(12)를 열전 반도체 소재(1)의 주된 적층방향에 거의 평행한 일 축방향으로 전단력이 작용하도록 소성 변형시켜 결정입자의 육방정 구조의 C면이 연장되는 방향과, C 축방향이 함께 거의 정렬된 결정 배향성을 가진 열전 반도체 재료(17)를 제조한다. 그 결과 결정 배향성을 높여 열전 성능 지수를 향상시킨다.
열전 반도체, 판형, 고화, 서냉, 배향성, 성능지수, 용융, 전단력

5. 发明授权

KR1019920005418B1 압연 롤 失效
标题翻译：滚轮
公开(公告)号：KR1019920005418B1
公开(公告)日：1992-07-03
申请号：KR1019880005014
申请日：1988-04-30
申请人： 가부시키가이샤 아이에이치아이
发明人： 모리다까아끼 , 히구찌긴이찌 , 오야우찌쯔까사 , 니딴다마사오 , 호소이고헤이 , 이마이이사오 , 가또에이지 , 이찌까와미쯔히꼬
IPC分类号： B21B31/00 , B21B27/02
CPC分类号： B21B27/05
摘要： 내용 없음.

6. 发明公开

KR1019920002239A 압연기용 로울 失效
公开(公告)号：KR1019920002239A
公开(公告)日：1992-02-28
申请号：KR1019900010532
申请日：1990-07-12
申请人： 가부시키가이샤 아이에이치아이
发明人： 요시다마스지로 , 니딴다마사오 , 가또헤이지 , 이마이이사오 , 오야우찌쯔까사
IPC分类号： B21B27/02
摘要： 내용 없음.

7. 发明授权

KR100057129B1 압연 롤 失效
公开(公告)号：KR100057129B1
公开(公告)日：1992-12-08
申请号：KR1019880005014
申请日：1988-04-30
申请人： 가부시키가이샤 아이에이치아이
发明人： 모리다까아끼 , 히구찌긴이찌 , 오야우찌쯔까사 , 니딴다마사오 , 호소이고헤이 , 이마이이사오 , 가또에이지 , 이찌까와미쯔히꼬
IPC分类号： B21B31/00 , B21B27/02

8. 发明公开

KR1019880013626A 압연 롤 失效
标题翻译：轧辊
公开(公告)号：KR1019880013626A
公开(公告)日：1988-12-21
申请号：KR1019880005014
申请日：1988-04-30
申请人： 가부시키가이샤 아이에이치아이
发明人： 모리다까아끼 , 히구찌긴이찌 , 오야우찌쯔까사 , 니딴다마사오 , 호소이고헤이 , 이마이이사오 , 가또에이지 , 이찌까와미쯔히꼬
IPC分类号： B21B31/00 , B21B27/02
摘要： 내용 없음

9. 发明授权

KR100066333B1 압연기용 로울 失效
标题翻译：轧机轧机
公开(公告)号：KR100066333B1
公开(公告)日：1993-10-11
申请号：KR1019900010532
申请日：1990-07-12
申请人： 가부시키가이샤 아이에이치아이
发明人： 요시다마스지로 , 니딴다마사오 , 가또헤이지 , 이마이이사오 , 오야우찌쯔까사
IPC分类号： B21B27/02

10. 发明授权

KR1019930005718B1 압연기용 로울 失效
标题翻译：滚筒铣刀
公开(公告)号：KR1019930005718B1
公开(公告)日：1993-06-24
申请号：KR1019900010532
申请日：1990-07-12
申请人： 가부시키가이샤 아이에이치아이
发明人： 요시다마스지로 , 니딴다마사오 , 가또헤이지 , 이마이이사오 , 오야우찌쯔까사
IPC分类号： B21B27/02
摘要： 내용 없음.

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