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1. 发明授权

KR100226320B1 탈자화 회로 및 전류 제한 장치 失效
标题翻译：降级电路和电流限制器
公开(公告)号：KR100226320B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019960012093
申请日：1996-04-20
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 이케다유타카 , 다카오카유이치
IPC分类号： H04N9/29
CPC分类号： H02H5/048 , H01H1/504 , H01H61/02 , H04N9/29
摘要： 본 발명은 컬러 텔레비젼 수상기 또는 컬러 모니터 디스플레이 등의 전원 회로에 설치되는 탈자화 회로 및 이의 전류제한 장치에 관한 것으로, 본 발명의 탈자화 회로 및 전류제한 장치는 기존의 부품을 사용하지만, 고온에 도달되는 정온도 특성 써미스터 또는 릴레이 회로를 사용하지 않고 용이하게 탈자화 작동이 수행되게 한다. 탈자화 회로는 평활 커패시터, 및 평활 커패시터에 대한 서지 전류를 억제하는 부온도 특성 써미스터 또는 고정 저항과 병렬로 접속된다. 본 발명은 정온도 특성 써미스터를 통해 탈자화 코일의 한 단측과 직렬로 접속된 열작동 스위치를 포함하며, 열작동 스위치는 부온도 특성 써미스터 또는 고정저항에 의해 발생된 열에 의하여 작동하여 탈자화 전류를 차단한다. 탈자화 회로내의 전류제한 장치는 부온도 특성 써미스터 또는 고정저항, 정온도 특성 써미스터, 및 부온도 특성 써미스터 또는 고정저항과 정온도 특성 써미스터 사이에 위치한 열작동 스위치를 포함한다. 열작동 스위치는 부온도 특성 써미스터 또는 고정저항체에 의해 발생된 열에 의하여 굽혀지는 열작동체, 및 열작동체의 굽힘으로 개방되는 이동접점 및 고정접점을 포함한다.

2. 发明公开

KR1019980081088A 표면실장용범프를구비한서미스터소자 有权
公开(公告)号：KR1019980081088A
公开(公告)日：1998-11-25
申请号：KR1019980011948
申请日：1998-04-04
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 이토요이치로 , 이노우에히데히로 , 다카오카유이치
IPC分类号： H01C7/02
摘要： 서미스터 소자는 서미스터 소체의 하면에서 서로 대향하여 형성된 한 쌍의 전극을 구비하며, 예를 들어, Au, Sn 및 이들의 합금과 같은 금속 재료로 된 범프들이 이들 전극들에 먼저 형성되어, 상기 서미스터 소자는 범프 접합에 의해 인쇄회로기판에 용이하게 표면실장될 수 있다. 제 3 전극은 서미스터 소자의 상면에 형성되어, 한 쌍의 전극들간의 저항치를 감소시킬 수 있다. 절연성 수지층은 상·하면에 설치되어, 내습성 및 온도특성을 향상시키며, 또한 상기 전극쌍간의 단락을 방지할 수 있다.

3. 发明公开

KR1019970055153A 돌입 전류 억제 회로 无效
标题翻译：浪涌电流抑制电路
公开(公告)号：KR1019970055153A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019960062058
申请日：1996-12-05
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 미하라겐지로 , 니이미히데아키 , 다카오카유이치
IPC分类号： H02H9/02
摘要： 본 발명의 돌입 전류 억제 회로는 히터를 통해서 흐르는 돌입 전류의 피크값을 억제시킨다. 돌입 전류 억제 회로는 정(正)특성 써미스터 및 부(負)특성 써미스터에 의해 형성되는 병렬 회로를 포함한다. 부특성 써미스터는 상온에서 정특성 써미스터의 저항보다 높은 저항을 지닌다. 병렬 회로는 히터에 직렬로 접속된다.
대표도:제1도

4. 发明公开

KR1019960039827A 탈자화 회로 失效
标题翻译：去磁电路
公开(公告)号：KR1019960039827A
公开(公告)日：1996-11-25
申请号：KR1019960012092
申请日：1996-04-20
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 이케다유타카 , 다카오카유이치 , 도리이기요후미
IPC分类号： H04N9/29
摘要： 본 발명은 탈자화 회로가 교류 전원과 직렬로 접속하는 양특성 써미스터와 교류 전원을 지니게 하여, 저주파수 전자기장의 발생을 억제할 수 있는 회로를 제공한다. 탈자화 작동의 완료 후에, 상기 탈자화 코일의 양단측은 교류 전원으로부터 전기적으로 차단되어, 교류 전원으로부터 발생한 잔류 탈자화 전류로 인해 탈자화 코일에서 저주파 전자기장이 발생되지 않게 할 수 있다. 탈자화 코일과 교류전원이 완전히 분리될 수 있다. 또한, 바람직하게는, 탈자화 코일의 적어도 한측단을 축전기를 통해서 기준 전위에 유지시켜, 교류 전원 이외의 영향들에 의해 탈자화 코일에 유도될 수 있는 모든 전류를 소멸시킨다.

5. 发明授权

KR100318397B1 NTC서미스터 有权
公开(公告)号：KR100318397B1
公开(公告)日：2002-02-19
申请号：KR1019980045060
申请日：1998-10-27
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 미하라겐지로 , 다카오카유이치 , 시카마다카시
IPC分类号： H01C7/04
摘要： 본 발명은 큰 돌입 전류(rush current)를 확실하고도 안전하게 억제할 수가 있는 NTC 서미스터를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 NTC 서미스터는, 내열성 수지로 이루어지는 케이스(2)내에, 양면에 전극(3b, 3c)이 형성되어 있는 서미스터 소자(3)를 수납한다. 이 서미스터 소자(3)는, 케이스(2)내에 있어서, 케이스(2)의 외측으로 인출되는 한 쌍의 금속 단자(5, 6)사이에 탄성적으로 끼워져 지지된다.

6. 发明授权

KR100318252B1 서미스터및서미스터의저항치수정방법과제조방법 失效
标题翻译：如何修改和制造热敏电阻和热敏电阻的电阻值
公开(公告)号：KR100318252B1
公开(公告)日：2002-02-19
申请号：KR1019980044498
申请日：1998-10-23
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 이노우에히데히로 , 후지모토미츠아키 , 다카오카유이치
IPC分类号： H01C7/02
摘要： 본 발명의 칩형 서미스터는 서미스터 블록의 한쪽 주면에 서로 대향하는 한 쌍의 도전성 평면의 빗형상 표면 전극들과, 이들 표면 전극들을 덮는 절연층을 포함한다. 또한, 서미스터 블록의 단면들에는 한 쌍의 외부 전극들이 형성되며, 이들 외부 전극들은 일체의 표면 전극들에 각각 전기적으로 접속된다. 이러한 서미스터의 저항치는 저항치가 설정치의 소정 범위 내에 도달할 때까지 레이저 트리밍(laser trimming), 샌드-블래스팅(sand-blasting) 또는 에칭(etching)에 의해 서미스터의 표면 전극들 중의 적어도 일부분을 제거하여 조정된다. 따라서, 본 발명은 원하는 저항치 범위 내의 서미스터를 고정밀도로 제조할 수 있고, 다양한 저항치의 서미스터를 용이하게 제공할 수 있다.

7. 发明授权

KR100307104B1 정특성 서미스터 소자 및 이를 이용한 가열장치 有权
标题翻译：正温度系数热敏电阻元件和使用其的加热装置
公开(公告)号：KR100307104B1
公开(公告)日：2001-09-26
申请号：KR1019990006654
申请日：1999-02-27
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 이케다유타카 , 시카마다카시 , 다카오카유이치 , 미하라겐지로
IPC分类号： H01C7/02
CPC分类号： H01C7/025 , H01C7/021 , H05B3/14 , H05B2203/02 , Y10T29/49082
摘要： 본발명은발열효율및 열응답성이우수한정특성서미스터소자를제공하기위한것이다. 본발명에의하면, 소자본체를제 1 층과제 2 층의두 층으로구성하는적층구조로하고, 제 1 층(18)의두께를제 2 층(19)의 0.05∼0.43배로설정하고, 아울러제 1 층(18)은, 제 2 층(19)에비해퀴리온도가 20℃이상낮은정특성서미스터재료로구성한다. 이로써, 발열중심이제 1 층(18)측에위치하게되고, 제 1 층(18)상에형성된제 1 전극(15)으로향하는방향에배치된가열대상물(17)이효율적으로가열되고, 또가열대상물(17)과의사이에서의열 전달이양호해진다.

8. 发明授权

KR100258677B1 서미스터 소자 有权
标题翻译：热敏元件
公开(公告)号：KR100258677B1
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980009231
申请日：1998-03-18
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 이노우에히데히로 , 다카오카유이치
IPC分类号： H01C7/02
CPC分类号： H01C7/04 , H01C1/034 , H01C1/1413 , H01C1/142 , H01C17/006
摘要： 서미스터 소자는, 서미스터 소체의 한쪽 표면과 옴접촉하며 서미스터 소체의 한쪽 표면상에서 서로 대향하여 형성된 한 쌍의 전극들을 구비한다. 이들 전극들 각각은 박막의 접촉층; 및 상기 접촉층 위로 직접 또는 간접으로 형성되어 있고, 이들 전극들이 서로 대향하여 형성된 상기 표면에만 형성되며, 예를 들어, Au, Ag, Pd, Pt, Sn 및 이들의 합금과 같은 금속재료로 구성된 외부전극층을 구비한다.

9. 发明公开

KR1020000035231A ＮＴＣ 써미스터 및 칩형의 ＮＴＣ 써미스터 失效
标题翻译： NTC热敏电阻和芯片型NTC热敏电阻
公开(公告)号：KR1020000035231A
公开(公告)日：2000-06-26
申请号：KR1019990048543
申请日：1999-11-04
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 미하라겐지로 , 다카오카유이치
IPC分类号： G01K7/22
CPC分类号： C04B35/01 , C04B2235/3227 , C04B2235/3275 , H01B3/12 , H01C7/043 , H01C17/12 , Y10S428/929
摘要： PURPOSE: An NTC(negative temperature coefficient) thermistor is provided to make fast responding speed in temperature sensing to lower resistance and to elevate reliability. CONSTITUTION: An alumina substrate is provided as an electricity insulating substrate(1). A thermistor film(2) is formed by sputtering a mold containing over 50wt% of LaCoO3 as an oxide of the rare-earth transit element containing La and Co by employing a high frequency sputtering device. The sputtering process is performed in the atmosphere of Ar, at 500°C of the substrate, 800W of high frequency electricity and 3 micrometer/H of film forming speed. Thermal treatment is performed for a time proper to the temperature selected from the 300-1000°C of temperature range. The crystallization of the thermistor film is improved and the film is stabilized. An electrode is formed on the substrate with the thermistor film. When the substrate is divided into respective device(4), the electrode becomes a pair of surface electrodes(3) facing each other. After obtaining the respective device, outer electrodes(5) are formed on both ends of the device to be electrically contacted to the surface electrodes correspondingly. The outer electrodes are formed continuously over a portion on the upper and the lower faces adjacent to the sides facing each other of the plane substrate. The surfaces of the thermistor film and the surface electrodes are coated with an electricity insulating glass coating agent(6). Thereby an NTC thermistor is obtained.
摘要翻译：目的：提供NTC（负温度系数）热敏电阻，以便在温度检测中快速响应速度，以降低电阻并提高可靠性。构成：提供氧化铝基板作为电绝缘基板（1）。通过使用高频溅射装置，通过溅射含有超过50重量％的LaCoO 3作为含有La和Co的稀土运输元件的氧化物的模具来形成热敏电阻膜（2）。溅射工艺在Ar的气氛中，在基板的500℃，800W的高频电和3微米/ H的成膜速度下进行。进行热处理一段时间，温度范围为300-1000℃。热敏电阻膜的结晶性提高，膜稳定。利用热敏电阻膜在基板上形成电极。当基板被分成相应的装置（4）时，电极成为彼此面对的一对表面电极（3）。在获得相应的器件之后，外部电极（5）形成在器件的两端，以相应地与表面电极电接触。外电极连续地形成在与平面基板的彼此相对的侧面相邻的上表面和下表面上的部分上。热电影膜和表面电极的表面涂有电绝缘玻璃涂层剂（6）。由此得到NTC热敏电阻。

10. 发明授权

KR100245793B1 정특성서 미스터장치 失效
标题翻译：正温度特性热敏电阻器
公开(公告)号：KR100245793B1
公开(公告)日：2000-03-02
申请号：KR1019960032905
申请日：1996-08-07
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 모치다노리히로 , 다카오카유이치 , 도리이기요후미
IPC分类号： H01C7/02
摘要： 본 발명은 가공이 용이한 정특성 서미스터 소자를 이용하여 이 정특성 서미스터 소자가 발열하는 열을 효율성 좋게 방열통에 전달하는 정특성 서미스터 장치를 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로서, 이러한 정특성 서미스터 장치는 실질적으로 U자형상의 개구부 및 오목부를 갖는 케이스와, 평판형상의 정특성 서미스터 소자와, 한 쌍의 급전단자와, 방열통과, 뚜껑체로 구성되며, 방열통이 U자형상 개구부의 내측에 배치되며 한 쌍의 급전단자는 일측이 실질적으로 평판부를 갖는 급전단자와 타측이 탄접부를 갖는 급전단자로 이루어지며, 케이스의 오목부에 제 1급전단자, 정특성 서미스터 소자 및 제 2급전단자가 수용되며 정특성 서미스터 소자의 전극과 한 쌍의 급전단자가 각각 전기적으로 접속됨과 아울러 한 쌍의 급전단자의 인출부가 케이스의 오목부의 측부로부터 인출되며, 뚜껑체에 의하여 케이스의 오목부 개구면이 덮여져 있다.

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