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1. 发明公开

KR1020160121425A 기상 성장 방법 审中-实审
标题翻译：气象增长法
公开(公告)号：KR1020160121425A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：KR1020160042103
申请日：2016-04-06
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 다카하시히데시 , 사토유우스케
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02293 , H01L21/02263 , H01L21/0228 , H01L21/2018 , H01L21/205 , H01L2924/05032 , H01L2924/10323
摘要： 본발명은 Ga를함유하는가스를공급한것과동일한반응실내에서, Si 상에양질의막을형성가능한기상성장방법을제공한다. 실시형태의기상성장방법은, 반응실에제1 기판을반입하고, 반응실에갈륨(Ga)을함유하는제1 가스를공급하고, 제1 기판에제1 막을형성하고, 제1 기판을반응실로부터반출하고, 반응실에제2 기판을반입하고, 반응실에염소원자를함유하는제2 가스를공급하고, 반응실에수소가스또는불활성가스인제3 가스를공급하고, 제2 기판에질화알루미늄막또는질화실리콘막의제2 막을형성하고, 제2 기판을반응실로부터반출한다.
摘要翻译：本发明提供了一种气相生长方法，其能够在与提供含有Ga的气体相同的反应室中在Si上形成高质量膜。在本实施例的气相生长方法中，将第一衬底放入反应室中，将含镓（Ga）的第一气体供给反应室，在第一衬底上形成第一膜，将含有氯原子的第二基材供应到反应室，将氢气或惰性气体3气体供应到反应室，并且将第二基材氮化形成铝膜或氮化硅膜的第二膜，并将第二衬底从反应室中取出。

2. 发明授权

KR102072704B1 기상 성장 방법 有权
公开(公告)号：KR102072704B1
公开(公告)日：2020-02-03
申请号：KR1020170104071
申请日：2017-08-17
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 다카하시히데시 , 이예치카야스시 , 츠쿠이마사유키
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324

3. 发明公开

KR1020160121424A 기상 성장 방법 审中-实审
标题翻译：蒸气沉积法
公开(公告)号：KR1020160121424A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：KR1020160042101
申请日：2016-04-06
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 다카하시히데시 , 사토유우스케
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02293 , H01L21/0228 , H01L21/2018 , H01L21/205 , H01L2924/05032 , H01L2924/10323
摘要： 본발명은실리콘기판상에질화갈륨을형성할때의크랙발생을억제가능한기상성장방법을제공한다. 실시형태의기상성장방법은, 실리콘기판상에단결정의질화알루미늄막을형성하고, 질화알루미늄상에단결정의질화알루미늄갈륨막을형성하고, 질화알루미늄갈륨막상에단결정의제1 질화갈륨막을형성하고, 제1 질화갈륨막상에, 제1 질화갈륨막의형성보다도높은온도그리고높은성장속도로단결정의제2 질화갈륨막을형성한다.

4. 发明授权

KR102050369B1 기상 성장 방법 有权
公开(公告)号：KR102050369B1
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：KR1020170165025
申请日：2017-12-04
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 다카하시히데시 , 미야노기요타카 , 츠쿠이마사유키 , 나고하지메 , 이예치카야스시
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324

5. 发明公开

KR1020170034406A 기상 성장 장치 및 기상 성장 방법 审中-实审
标题翻译：气象生长仪和气相生长法
公开(公告)号：KR1020170034406A
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020177004624
申请日：2015-11-04
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 다카하시히데시 , 사토유우스케
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/45561 , C23C16/18 , C23C16/303 , C23C16/45557 , C23C16/52 , C30B25/165 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要： 실시형태의기상성장장치는, n(n은 2 이상의정수)개의반응실과, n개의반응실에프로세스가스를공급하는주 가스공급로와, 주가스공급로에설치되며, 프로세스가스의유량을제어하는주 매스플로우컨트롤러와, 주가스공급로를분기하는분기부와, 분기부에서분기되며, n개의반응실로분류된프로세스가스를공급하는 n개의부 가스공급로와, n개의부 가스공급로의분기부와 n개의반응실의사이에설치되며, 분기부까지의거리가, 반응실까지의거리보다도작아지도록배치되고, 프로세스가스의흐름을차단가능한 n개의제1 스톱밸브와, n개의부 가스공급로의 n개의제1 스톱밸브와 n개의반응실의사이에설치되며, n개의부 가스공급로에흐르게할 프로세스가스의유량을제어하는 n개의부 매스플로우컨트롤러를구비한다.
摘要翻译：在气相生长装置的实施例中，n（n是2以上的整数）在反应室的与安装到主气体供给路径和所述主气体供应到反应室的n个供给处理气体，控制处理气体的流量 N个分支气体供给管线，其从分支部分分支并供给分为n个反应室的处理气体; n个气体供给管线，其从分支部分分支;以及n个气体供给管线 N个第一截止阀，其设置在分支部与n个反应室之间，使得到分支部的距离比到反应室的距离小，据的第一隔离阀的n个和n个反应破碎，并且单位质量流量控制器，用于控制处理气体的流率流入到n个部分在气体供给正数之间。

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