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1. 发明授权

KR100603079B1 Ａｇ-Ｂｉ계 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조방법 有权
标题翻译： Ag-Bi-BASE合金溅射靶及其制造方法
公开(公告)号：KR100603079B1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020040034124
申请日：2004-05-14
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 다카기가츠토시 , 나카이주니치 , 다우치유우키 , 사토도시키 , 마츠자키히토시 , 후지이히데오
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C22C5/06 , C23C14/3414
摘要： Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은 Bi가 Ag에 고용(solid solution)되어 있다. 이 스퍼터링 타겟은, 예컨대, X선 회절 결과에 기초하여 하기 수학식 1에 의해 산출되는 석출 Bi 강도가 0.01 원자%
-1 이하이며, Bi의 특성 X선 강도의 면분포를 X선 미량분석법에 의해 산출했을 때, 소정 강도(8 단계 중, 제 3 내지 제 6 단계의 강도)의 합계 면적비가 89% 이상이다.

이러한 스퍼터링 타겟을 사용하여 박막을 형성하면, 박막중 Bi량의 수율의 현저한 저하를 억제할 수 있다.

2. 发明授权

KR100731406B1 Ａｇ계 스퍼터링 타겟 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：银基溅射靶和其生产方法
公开(公告)号：KR100731406B1
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：KR1020067000894
申请日：2004-07-14
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 다카기가츠토시 , 나카이주니치 , 다우치유우키 , 마츠자키히토시 , 후지이히데오
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C22C5/06 , C22F1/14 , C23C14/3414
摘要： Ag계 스퍼터링 타겟(6)은, 스퍼터링 면과 평행한 면으로 절단하여 복수의 스퍼터링 면을 노출시키고, 상기 노출된 스퍼터링 면마다 복수 개소를 선택하고, 모든 선택 개소의 결정 입경에 기초하여 하기의 수학식 2에 의해 값 A1 및 B1을 산출하고, 이러한 값 A1 및 값 B1중 큰 쪽을 결정 입경의 3차원 격차로서 선택할 때, 상기 결정 입경의 3차원 격차가 18% 이하이다:
수학식 2

상기 식에서,
D
max 은 전체 선택 개소의 결정 입경 D의 최대치이고,
D
min 은 전체 선택 개소의 결정 입경 D의 최소치이고,
D
ave 은 전체 선택 개소의 결정 입경 D의 평균치이다.

3. 发明公开

KR1020060026964A Ａｇ계 스퍼터링 타겟 및 그의 제조방법 有权
标题翻译： AG基础喷射目标及其生产方法
公开(公告)号：KR1020060026964A
公开(公告)日：2006-03-24
申请号：KR1020067000894
申请日：2004-07-14
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 다카기가츠토시 , 나카이주니치 , 다우치유우키 , 마츠자키히토시 , 후지이히데오
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C22C5/06 , C22F1/14 , C23C14/3414
摘要： Ag base sputtering target (6) exhibiting a three-dimensional dispersion of crystal grain diameter of 18% or less. The three-dimensional dispersion of crystal grain diameter is as follows. The sputtering target is sliced with a plane parallel to a sputtering face to thereby expose multiple sputtering faces. Multiple spots are selected on each of the exposed sputtering faces. The value A1 and value B1 are calculated according to the following formulae from the crystal grain diameters at all the selected spots. The larger one of these values A1 and B1 is referred to as the three-dimensional dispersion of crystal grain diameter. A1 = (Dmax-Dave)/Davex100 (%) B1 = (Dave-Dmin)/Davex100 (%) Dmax: maximum of the crystal grain diameters (D) at all selected spots D min: minimum of the crystal grain diameters (D) at all selected spots Dave: average of the crystal grain diameters (D) at all selected spots.
摘要翻译：表现出晶粒直径的三维分散度为18％以下的Ag基溅射靶（6）。晶粒直径的三维分散度如下。溅射靶用平行于溅射面的平面切片，从而暴露多个溅射面。在每个暴露的溅射面上选择多个点。根据所选择的点的晶粒直径，根据下式计算值A1和值B1。这些值A1和B1中较大的一个被称为晶粒直径的三维分散。 A1 =（Dmax-Dave）/ Davex100（％）B1 =（Dave-Dmin）/ Davex100（％）Dmax：所有选择点处的晶粒直径（D）的最大值D min：晶粒直径（D ）Dave：所有选定点的晶粒直径（D）的平均值。

4. 发明公开

KR1020040099146A Ａｇ-Ｂｉ계 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：用于通过溅射形成Ag-Bi基合金薄膜的Ag-Bi基合金溅射靶，用于制造目标的方法，以及使用目标生产Ag-Bi基合金薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020040099146A
公开(公告)日：2004-11-26
申请号：KR1020040034124
申请日：2004-05-14
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 다카기가츠토시 , 나카이주니치 , 다우치유우키 , 사토도시키 , 마츠자키히토시 , 후지이히데오
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C22C5/06 , C23C14/3414
摘要： PURPOSE: To provide an Ag-Bi base alloy sputtering target capable of suppressing substantial deterioration of yield of a Bi amount in thin film(=Bi amount in the thin film/Bi amount in the sputtering target), a method for producing the target, and a method for producing an Ag-Bi base alloy thin film by using the target. CONSTITUTION: The Ag-Bi base alloy sputtering target is characterized in that an average intensity of precipitated Bi represented by the following mathematical expression 1 is 0.01 atom%¬-1 or less when measuring peak intensities of X ray diffraction of Ag(111) plane, peak intensities of X ray diffraction of Ag(200) plane, peak intensities of X ray diffraction of Ag(220) plane, peak intensities of X ray diffraction of Ag(311) plane and peak intensities of X ray diffraction of Bi(102) plane according to an X ray diffraction method by selecting a plural spots on a sputtering surface: £Mathematical Expression 1|intensity of precipitated Bi=£IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))|/£Bi|where IBi(102) indicates a peak intensity of X ray diffraction (unit is cps(counts per second)) of Bi(102) plane, IAg(111) indicates a peak intensity of X ray diffraction of Ag(111) plane, IAg(200) indicates a peak intensity of X ray diffraction of Ag(200) plane, IAg(220) indicates a peak intensity of X ray diffraction of Ag(220) plane, IAg(311) indicates a peak intensity of X ray diffraction of Ag(311) plane, and £Bi| indicates Bi content (unit is atom%) of the Ag-Bi base alloy sputtering target.
摘要翻译：目的：提供能够抑制薄膜中Bi量产生显着劣化的Ag-Bi基合金溅射靶（=薄膜中的Bi量/溅射靶中的Bi量），制造靶的方法，以及通过使用该靶来制造Ag-Bi基合金薄膜的方法。构成：Ag-Bi基合金溅射靶的特征在于，当测量Ag（111）面的X射线衍射的峰强度时，由以下数学式1表示的沉淀Bi的平均强度为0.01原子％-1以下，Ag（200）面的X射线衍射的峰强度，Ag（220）面的X射线衍射的峰强度，Ag（311）面的X射线衍射的峰强度和Bi（102）的X射线衍射的峰值强度）平面，根据X射线衍射法，通过选择溅射表面上的多个点：£数学表达式1 |沉淀Bi的强度= IBi（102）/（IAg（111）+ IAg（200）+ IAg（220） + IAg（311））| /£Bi |其中IBi（102）表示Bi（102）面的X射线衍射峰值强度（单位为cps（计数/秒）），IAg（111） Ag（111）面的X射线衍射，IAg（200）表示Ag（200）面的X射线衍射峰强度，IAg（220）表示峰强度 Ag（220）面的X射线衍射的y，IAg（311）表示Ag（311）面的X射线衍射的峰强度，并且£Bi | 表示Ag-Bi基合金溅射靶的Bi含量（单位为原子％）。

5. 发明公开

KR1020140129066A 유도형 토크 모터용 로터 및 유도형 토크 모터 有权
标题翻译：用于感应扭矩电机和感应转矩电动机的转子
公开(公告)号：KR1020140129066A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：KR1020147024143
申请日：2013-02-22
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 후지이히데오 , 이노우에겐이치 , 가사이신고 , 지바마사미치
IPC分类号： H02K1/02 , H02K1/22 , H02K17/16 , H01F1/14
CPC分类号： H02K17/16 , H02K1/02 , H02K17/165 , H01F1/14 , H02K1/22
摘要： 본 발명에 관한 유도형 토크 모터용 로터(1)는 축체(1a)와, 축체(1a)의 축심과 동심으로 축체(1a)에 연결되어, 비저항이 0.4[μΩㆍm] 이하이며 비투자율이 1000 이상 내지 50000 이하인 연자성 재료에 의해 형성된 원통체(1b)를 구비한다. 그리고, 본 발명에 관한 유도형 토크 모터(TM)는 이 유도형 토크 모터용 로터(1)를 구비한다. 이로 인해, 본 발명에 관한 유도형 토크 모터용 로터(1) 및 유도형 토크 모터(TM)는 퍼포먼스를 보다 향상시킬 수 있다.

6. 发明授权

KR100793518B1 광정보 기록 매체용 기록막, 광정보 기록 매체, 및스퍼터링 타겟 失效
标题翻译：一种用于光学信息记录介质的记录膜，光学信息记录介质和溅射靶
公开(公告)号：KR100793518B1
公开(公告)日：2008-01-14
申请号：KR1020060011643
申请日：2006-02-07
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 다우치유키 , 나카이준이치 , 후지이히데오 , 이도다테와키
IPC分类号： G11B7/241 , B41M5/26 , G11B7/26
CPC分类号： G11B7/243 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C23/02 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G11B7/24035 , G11B7/257 , G11B7/26 , G11B2007/24304 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312
摘要： 본 발명은, 생산성 및 내구성(기록보존성)이 우수한 광정보 기록 매체용 기록막 및 광정보 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 하며, (1) 0.8 W/Kcm 이하의 열전도율, 0.3㎛ 내지 1.0㎛ 파장의 광에 대해 15% 이상의 광 흡수율 및 300 내지 800℃의 용융 온도를 갖는 광정보 기록 매체용 기록막, (2) 상기 기록막을 포함하는 광정보 기록 매체, 및 (3) 상기 기록막을 형성하기 위한 스퍼터링 타겟을 포함한다.
摘要翻译：本发明中，生产率和耐用性（记录保持性），并且本发明的目的是提供一种优异的光学信息记录介质，记录膜和光信息记录介质，（1）0.8 W / KCM或更小的热导率，0.3㎛到1.0㎛波长记录对于具有的光吸收率在15％以上的熔融温度和300〜800℃为光学膜的光学信息记录介质，（2）的光信息记录介质，包括记录膜，以及（3）以形成膜的记录和一个溅射靶。

7. 发明公开

KR1020060090190A 광정보 기록 매체용 기록막, 광정보 기록 매체, 및스퍼터링 타겟 失效
标题翻译：用于光信息记录介质的记录膜，光信息记录介质和喷射目标
公开(公告)号：KR1020060090190A
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020060011643
申请日：2006-02-07
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 다우치유키 , 나카이준이치 , 후지이히데오 , 이도다테와키
IPC分类号： G11B7/241 , B41M5/26 , G11B7/26
CPC分类号： G11B7/243 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C23/02 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G11B7/24035 , G11B7/257 , G11B7/26 , G11B2007/24304 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312
摘要： 본 발명은, 생산성 및 내구성(기록보존성)이 우수한 광정보 기록 매체용 기록막 및 광정보 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 하며, (1) 0.8 W/Kcm 이하의 열전도율, 0.3㎛ 내지 1.0㎛ 파장의 광에 대해 15% 이상의 광 흡수율 및 300 내지 800℃의 용융 온도를 갖는 광정보 기록 매체용 기록막, (2) 상기 기록막을 포함하는 광정보 기록 매체, 및 (3) 상기 기록막을 형성하기 위한 스퍼터링 타겟을 포함한다.

8. 发明授权

KR101732291B1 버스 바 및 버스 바 모듈, 및 버스 바의 제조 방법 有权
标题翻译：母线和母线模块以及母线的制造方法
公开(公告)号：KR101732291B1
公开(公告)日：2017-05-02
申请号：KR1020157016799
申请日：2013-12-27
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 이노우에겐이치 , 후지이히데오 , 이치하라지카라 , 오가와데츠야
IPC分类号： H01B5/02
CPC分类号： H01B7/30 , H01B5/04 , H01B7/0241 , H01B7/306 , H01B13/0006 , H01B13/0891 , Y10T29/49174
摘要： 버스바(1)는, 띠형상도체(11, 12)를폭 방향으로인접시켜나선형상으로권회하면서내부의대향하는표면을근접시킨평판형상의제1 도체선(21)과, 제1 도체선(21)과는역방향의나선형상으로띠 형상도체(11, 12)를권회하면서내부의대향하는표면을근접시킨평판형상의제2 도체선(22)을길이방향으로병설하고, 각각의폭 방향의외부의표면이대향하도록겹친적층도체선(20)과, 적층도체선(20)의양단부측에서제1 도체선(21)과제2 도체선(22)에접합시킨단자부(30)를구비한다.
摘要翻译：汇流条（1）具有一个带状导体（11，12）reulpok在方向上相邻的平板的所述第一导体线21，其中特写内科护面表面和伤口螺旋形，并且所述第一导电线（21 其中带状导体11和12在纵向上以与第一导线22相反的螺旋形状缠绕的成形的第二导线22，以及在层叠导线20的两端与第一导线21和第二导线22接合的端子部30。

9. 发明公开

KR1020150089050A 버스 바 및 버스 바 모듈, 및 버스 바의 제조 방법 有权
标题翻译：母线，母线模块和制造母线的方法
公开(公告)号：KR1020150089050A
公开(公告)日：2015-08-04
申请号：KR1020157016799
申请日：2013-12-27
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 이노우에겐이치 , 후지이히데오 , 이치하라지카라 , 오가와데츠야
IPC分类号： H01B5/02
CPC分类号： H01B7/30 , H01B5/04 , H01B7/0241 , H01B7/306 , H01B13/0006 , H01B13/0891 , Y10T29/49174
摘要： 버스바(1)는, 띠형상도체(11, 12)를폭 방향으로인접시켜나선형상으로권회하면서내부의대향하는표면을근접시킨평판형상의제1 도체선(21)과, 제1 도체선(21)과는역방향의나선형상으로띠 형상도체(11, 12)를권회하면서내부의대향하는표면을근접시킨평판형상의제2 도체선(22)을길이방향으로병설하고, 각각의폭 방향의외부의표면이대향하도록겹친적층도체선(20)과, 적층도체선(20)의양단부측에서제1 도체선(21)과제2 도체선(22)에접합시킨단자부(30)를구비한다.
摘要翻译：母线（1）包括：层叠导线（20），其通过在纵向方向上并排布置而形成第一板状导线（21），所述第一板状导线（21）通过螺旋地缠绕相互邻近的条形导体（11,12）而形成同时使相对的内表面彼此更靠近，并且通过沿与第一导线（21）的方向相反的方向螺旋地缠绕条状导体（11,12）而形成的第二板状导线（22）同时使相对的内表面彼此更靠近，并且使这些线（21,22）重叠，使得宽度方向上的外表面彼此面对; 以及在层叠导线（20）的两端接合到第一导线（21）和第二导线（22）的端子（30）。

10. 发明授权

KR100445083B1 광정보 기록매체용 반사층 또는 반투명 반사층, 광정보기록매체 및 광정보 기록매체용 스퍼터링 타겟 有权
标题翻译：关于这些信息，请参阅我们的隐私政策。关于我们隐私政策使用条款隐私政策使用条款
公开(公告)号：KR100445083B1
公开(公告)日：2004-08-21
申请号：KR1020010066187
申请日：2001-10-26
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 나카이주니치 , 오니시다카시 , 후지이히데오 , 다카기가투토시
IPC分类号： G11B7/259
CPC分类号： G11B7/259 , C22C5/08 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G02B5/0808 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/2595 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
摘要： A novel reflective layer or semi-transparent reflective layer for use in optical information recording media with suppressed growth of Ag crystal grains and having a high reflectivity and excellent structural stability comprising an Ag based alloy containing from 0.1 to 3.0% of Nd in total of at least one element selected from the group consisting of Nd, Sn and Ge; and/or containing 0.1% or more of at least one rare earth element.
摘要翻译：一种用于光学信息记录介质的新型反射层或半透明反射层，所述反射层或半透明反射层具有抑制的Ag晶粒生长并且具有高反射率和优异的结构稳定性，所述反射层或半透明反射层包含总共含有0.1-3.0％Nd的Ag基合金选自Nd，Sn和Ge中的至少一种元素; 和/或含有0.1％或更多的至少一种稀土元素。

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