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1. 发明公开

KR1020020007266A 고체 이미징 장치 失效
标题翻译：固态成像装置
公开(公告)号：KR1020020007266A
公开(公告)日：2002-01-26
申请号：KR1020010075380
申请日：2001-11-30
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 나까무라노부오 , 에가와요시따까 , 오사와신지 , 엔도유끼오 , 마쯔나가요시유끼 , 다나까요리꼬 , 이자와후미오 , 미우라히로끼 , 미야가와료헤이 , 이노우에이꾸꼬 , 아라까와쯔요시 , 도미자와요시유끼 , 호시노모꼬또
IPC分类号： H04N5/376 , H01L27/146
CPC分类号： H04N5/361 , H04N5/23274 , H04N5/2357 , H04N5/3452 , H04N5/3454 , H04N5/353 , H04N5/374
摘要： PURPOSE: A solid-state imaging device is provided to prevent a difference of charge storing times between pixel rows in a same field or frame from being generated according to a difference in charge storing time length, when varying the charge storing time by the field or frame and performing a variable electronic shutter operation. CONSTITUTION: A solid-state imaging device has a variable(continuous) electronic shutter function. In the solid-state imaging device, an imaging area(14) where unit cells(13) with photodiodes acting as pixels are arranged two-dimensionally is provided. Read lines drive read transistors in each pixel row. Vertical selection lines(6) drive vertical selection transistors in each pixel row. A pulse selector(16) selectively drives the vertical selection lines. Vertical signal lines(VLIN) output the signal from each unit cell in the pixel rows driven sequentially. And a row selection circuit controls the vertical driving circuit in such a manner that the pulse selector drives the read transistors in each pixel row with the desired signal storage timing and signal read timing twice in that order and thereby drives the vertical selection transistors in the pixel row in synchronization with the signal read timing.
摘要翻译：目的：提供一种固态成像装置，用于根据电场存储时间长度的不同，当通过场改变电荷存储时间时，防止相同场或帧中的像素行之间的电荷存储时间的差异，或并执行可变电子快门操作。构成：固态成像装置具有可变（连续）电子快门功能。在固态成像装置中，提供了以二维方式布置具有作为像素的光电二极管的单元电池（13）的成像区域（14）。读取行驱动每个像素行中的读取晶体管。垂直选择线（6）驱动每个像素行中的垂直选择晶体管。脉冲选择器（16）选择性地驱动垂直选择线。垂直信号线（VLIN）输出顺序驱动的像素行中每个单位单元的信号。并且行选择电路以这样的方式控制垂直驱动电路，使得脉冲选择器以期望的信号存储定时和信号读取定时以该顺序驱动每个像素行中的读取晶体管，从而驱动像素中的垂直选择晶体管行与信号读取定时同步。

2. 发明授权

KR100361946B1 고체 이미징 장치 失效
公开(公告)号：KR100361946B1
公开(公告)日：2002-11-22
申请号：KR1020020035126
申请日：2002-06-22
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 나까무라노부오 , 에가와요시따까 , 오사와신지 , 엔도유끼오 , 마쯔나가요시유끼 , 다나까요리꼬 , 이자와후미오 , 미우라히로끼 , 미야가와료헤이 , 이노우에이꾸꼬 , 아라까와쯔요시 , 도미자와요시유끼 , 호시노모꼬또
IPC分类号： H04N5/357 , H04N5/232
CPC分类号： H04N5/361 , H04N5/23274 , H04N5/2357 , H04N5/3452 , H04N5/3454 , H04N5/353 , H04N5/374
摘要： 가변(연속) 전자셔터기능을갖는고체이미징장치는화소들로서기능하는포토다이오드들을구비한단위셀들이 2차원적으로배열되어있는이미징영역과, 각각의화소로우(row) 내의판독트랜지스터들을구동하기위한판독라인들과, 각각의화소로우내의수직선택트랜지스터들을구동하기위한수직선택라인들과, 수직선택라인들을선택적으로구동하기위한수직구동회로와, 순차구동된화소로우들내의각각의단위셀로부터의신호를출력하기위한수직신호라인들, 및수직구동회로가원하는신호저장타이밍과신호판독타이밍에서이 순서대로두번각각의화소로우내의판독트랜지스터들을구동하여화소로우내의수직선택트랜지스터들을신호판독타이밍과동기적으로구동하도록수직구동회로를제어하기위한로우선택회로를포함한다.

3. 发明公开

KR1020020070183A 고체 이미징 장치 失效
标题翻译：固体成像装置
公开(公告)号：KR1020020070183A
公开(公告)日：2002-09-05
申请号：KR1020020035126
申请日：2002-06-22
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 나까무라노부오 , 에가와요시따까 , 오사와신지 , 엔도유끼오 , 마쯔나가요시유끼 , 다나까요리꼬 , 이자와후미오 , 미우라히로끼 , 미야가와료헤이 , 이노우에이꾸꼬 , 아라까와쯔요시 , 도미자와요시유끼 , 호시노모꼬또
IPC分类号： H04N5/357 , H04N5/232
CPC分类号： H04N5/361 , H04N5/23274 , H04N5/2357 , H04N5/3452 , H04N5/3454 , H04N5/353 , H04N5/374
摘要： PURPOSE: A solid state imaging device is provided to restrict lateral stripe noise, and to improve the quality of image by preventing fluctuation of load to the vertical shift register and the electronic shutter shift register. CONSTITUTION: A solid-state imaging device with variable electronic shutter function comprises an imaging area where unit cells with photodiodes acting as pixels are arranged two-dimensionally, read lines for driving the read transistors in each pixel row, vertical selection lines for driving the vertical selection transistors in each pixel row, a vertical driving circuit(16) for selectively driving vertical selection lines, vertical signal lines for outputting the signal from each unit cell in the pixel rows driven sequentially, and a row selection circuit for controlling the vertical driving circuit to drive the vertical selection transistors in the pixel row in synchronization with the signal read timing. The vertical driving circuit drives the read transistors in each pixel row with the desired signal storage timing and signal read timing twice.
摘要翻译：目的：提供固态成像装置以限制横向条纹噪声，并通过防止垂直移位寄存器和电子快门移位寄存器的负载波动来提高图像质量。构成：具有可变电子快门功能的固态成像装置包括成像区域，其中以像素为单位的光电二极管的单位单元被二维布置，用于驱动每个像素行中的读取晶体管的读取线，用于驱动垂直的垂直选择线每个像素行中的选择晶体管，用于选择性地驱动垂直选择线的垂直驱动电路（16），用于输出顺序驱动的像素行中的每个单位单元的信号的垂直信号线，以及用于控制垂直驱动电路以与信号读取定时同步地驱动像素行中的垂直选择晶体管。垂直驱动电路以期望的信号存储定时和信号读取定时两次驱动每个像素行中的读取晶体管。

4. 发明授权

KR100860198B1 고체 촬상 장치 有权
标题翻译：固态图像拾取器件
公开(公告)号：KR100860198B1
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：KR1020060110826
申请日：2006-11-10
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이노우에이꾸꼬 , 고또히로시게 , 야마시따히로후미 , 이하라히사노리 , 다나까나가따까 , 야마구찌데쯔야
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L27/14609 , H01L27/1463
摘要： 고체 촬상 장치는, P형의 불순물을 포함하는 기판 본체, 및, 상기 기판 본체 상에 형성된 제1 N형 반도체층으로 이루어지는 반도체 기판과, 상기 제1 N형 반도체층의 표면부에 서로 독립하여 형성된 제2 N형 반도체층으로 이루어지는 복수의 광전 변환부를 포함하는 촬상 영역과, 상기 제1 N형 반도체층에 형성된 제1 P형 반도체층으로 이루어지는 제1 주변 회로 영역과, 상기 제1 N형 반도체층에, 상기 기판 본체에 이어지도록 형성된 제2 P형 반도체층으로 이루어지는 제2 주변 회로 영역을 포함한다. 또한, 고체 촬상 장치는, 상기 제1 N형 반도체층에, 상기 기판 본체에 이어지도록 형성된 제2 P형 반도체층으로 이루어지는 제2 주변 회로 영역을 더 포함한다.
기판 본체, N형 반도체층, P형 반도체층, 촬상 영역, 주변 회로 영역, CMOS 이미지 센서, 불순물 농도

5. 发明授权

KR100450363B1 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译： 고체촬상장치및그제조방법
公开(公告)号：KR100450363B1
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：KR1020010014554
申请日：2001-03-21
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 노자끼히데또시 , 이노우에이꾸꼬 , 야마시따히로후미
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14654
摘要： A readout gate electrode (13a) is selectively formed on a silicon substrate. An N-type drain region (14a) is formed at one end of the readout gate electrode (13a), and an N-type signal storage region (15) is formed at the other end thereof. A P + -type surface shield region (21a) is selectively epitaxial-grown on the signal storage region (15), and a silicide block layer (19) is formed on the surface shield region (21a) to cover at least part of the signal storage region (15). A Ti silicide film (33a) is selective epitaxial-grown on the drain region (14a).
摘要翻译：读出栅电极（13a）选择性地形成在硅衬底上。在读出栅极电极（13a）的一端形成N型漏极区域（14a），在其另一端形成N型信号存储区域（15）。在信号存储区（15）上选择性外延生长AP +型表面屏蔽区（21a），并且在表面屏蔽区（21a）上形成硅化物阻挡层（19）以覆盖信号的至少一部分存储区域（15）。 Ti硅化物膜（33a）在漏极区（14a）上选择性外延生长。

6. 发明授权

KR101282566B1 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：固态图像拾取器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101282566B1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020120066203
申请日：2012-06-20
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이노우에이꾸꼬 , 오오따께하지메 , 세끼히로미찌
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14685
摘要： 일 실시 형태에 따르면, 제1 주면과 상기 제1 주면에 대향하는 제2 주면을 갖는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 내에 형성되고, 입사광을 전기 신호로 변환하는 제1, 제2 광전 변환층과, 상기 제1 주면에 형성되고, 상기 제1, 제2 광전 변환층으로부터 출력된 전기 신호를 처리하는 회로와, 상기 제2 주면 위에 상기 제1 광전 변환층에 대응하도록 배치되고, 상기 제2 주면측의 제1 하면과 상기 제1 하면에 대향하는 제1 상면을 갖는 제1 색 필터와, 상기 제2 주면 위에 상기 제2 광전 변환층에 대응하도록 배치되고, 상기 제2 주면측의 제2 하면과 상기 제2 하면에 대향하는 제2 상면을 갖는 제2 색 필터를 구비하고, 상기 제1 색 필터는, 상기 반도체 기판을 통과한 광을 투과하는 분광 필터이며, 상기 제2 주면에 대하여 수직인 단면에 있어서, 상기 제1 하면의 길이� � 상기 제1 상면의 길이보다 길고, 상기 제2 하면의 길이는 상기 제2 상면의 길이보다 짧다.

7. 发明公开

KR1020070050837A 고체 촬상 장치 有权
标题翻译：固体 -
公开(公告)号：KR1020070050837A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：KR1020060110826
申请日：2006-11-10
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이노우에이꾸꼬 , 고또히로시게 , 야마시따히로후미 , 이하라히사노리 , 다나까나가따까 , 야마구찌데쯔야
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L27/14609 , H01L27/1463
摘要： 고체 촬상 장치는, P형의 불순물을 포함하는 기판 본체, 및, 상기 기판 본체 상에 형성된 제1 N형 반도체층으로 이루어지는 반도체 기판과, 상기 제1 N형 반도체층의 표면부에 서로 독립하여 형성된 제2 N형 반도체층으로 이루어지는 복수의 광전 변환부를 포함하는 촬상 영역과, 상기 제1 N형 반도체층에 형성된 제1 P형 반도체층으로 이루어지는 제1 주변 회로 영역과, 상기 제1 N형 반도체층에, 상기 기판 본체에 이어지도록 형성된 제2 P형 반도체층으로 이루어지는 제2 주변 회로 영역을 포함한다. 또한, 고체 촬상 장치는, 상기 제1 N형 반도체층에, 상기 기판 본체에 이어지도록 형성된 제2 P형 반도체층으로 이루어지는 제2 주변 회로 영역을 더 포함한다.
기판 본체, N형 반도체층, P형 반도체층, 촬상 영역, 주변 회로 영역, CMOS 이미지 센서, 불순물 농도
摘要翻译：固态图像传感器包括：基板主体，其包括P型掺杂剂，和权利要求的由形成于基板主体1的N型半导体层，其中，所述1 N型的半导体层的表面部分彼此独立地形成的半导体基板如权利要求2 N型并且包括多个由半导体层的光电转换装置的成像区域，和由形成在所述第一N型半导体层的第一外围电路区中，第一N型半导体层上的第一P型半导体层的第二以及第二外围电路区域，其由形成为延伸至基板主体的第二P型半导体层形成。此外，固态成像装置，其中，包含在所述半导体层中的1 N型，越第二外围电路的第二P型半导体层的形成区域被形成为使得基板主体之后。

8. 发明公开

KR1020040022169A 고체 촬상 장치 无效
标题翻译：固态成像装置
公开(公告)号：KR1020040022169A
公开(公告)日：2004-03-11
申请号：KR1020030061666
申请日：2003-09-04
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 아야베마사유끼 , 야마시따히로후미 , 이노우에이꾸꼬 , 에기유이찌로
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14623
摘要： PURPOSE: To reduce an incident light intruding into adjacent photo diodes to realize the reduction of the crosstalk phenomenon. CONSTITUTION: The solid state imaging apparatus has: unit cells C arranged in rows and columns on a semiconductor substrate 1, each having a photo diode D for storing a signal charge and a reading circuit 19 for reading the signal charge of the diode D; a wiring layer-containing interlayer film formed on the substrate 1; and a horizontal screen film having openings 13 above the photo diodes D in the unit cells on the interlayer film. The apparatus comprises first vertical screen barriers 15 disposed among the unit cells 2 adjacent along the rows, and second vertical screen barriers 16 disposed among the unit cells C adjacent along the columns. The first and the second vertical screen barriers 15, 16 are buried between the semiconductor substrate 1 surface and the horizontal screen film.
摘要翻译：目的：减少入射到相邻光电二极管的入射光，实现串扰现象的减少。构成：固态成像装置具有：在半导体基板1上排列成行和列的单元电池C，每个具有用于存储信号电荷的光电二极管D和用于读取二极管D的信号电荷的读取电路19; 形成在基板1上的配线层的中间膜; 以及在中间膜上的单元电池中的光电二极管D上方具有开口13的水平屏幕膜。该装置包括布置在沿着行相邻的单元电池2之间的第一垂直屏障15和布置在沿列相邻的单元电池C之间的第二垂直屏障16。第一和第二垂直屏障15,16被埋在半导体衬底1表面和水平屏幕膜之间。

9. 发明公开

KR1020010093670A 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：具有光电元件和MOSFET的固态成像装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010093670A
公开(公告)日：2001-10-29
申请号：KR1020010014554
申请日：2001-03-21
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 노자끼히데또시 , 이노우에이꾸꼬 , 야마시따히로후미
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14654
摘要： PURPOSE: A solid state imaging device having a photodiode and a mosfet and method of manufacturing the same is provided to be capable of improving the performance of elements. CONSTITUTION: A readout gate electrode(13a) is selectively formed on a silicon substrate. An N-type drain region(14a) is formed at one end of the readout gate electrode(13a), and an N-type signal storage region(15) is formed at the other end thereof. A P(+)-type surface shield region(21a) is selectively epitaxial-grown on the signal storage region(15), and a silicide block layer(19) is formed on the surface shield region(21a) to cover at least part of the signal storage region(15). A Ti silicide film(33a) is selective epitaxial-grown on the drain region(14a).
摘要翻译：目的：提供具有光电二极管和mosfet的固态成像装置及其制造方法，以能够提高元件的性能。构成：在硅衬底上选择性地形成读出栅电极（13a）。在读出用栅电极（13a）的一端形成有N型漏极区域（14a），在其另一端形成有N型信号存储区域（15）。在信号存储区域（15）上选择性地外延生长AP（+）型表面屏蔽区域（21a），并且在表面屏蔽区域（21a）上形成硅化物阻挡层（19），以覆盖至少部分信号存储区域（15）。选择性地在漏区（14a）上生长Ti硅化物膜（33a）。

10. 发明公开

KR1020120140221A 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：固态图像拾取器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120140221A
公开(公告)日：2012-12-28
申请号：KR1020120066203
申请日：2012-06-20
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이노우에이꾸꼬 , 오오따께하지메 , 세끼히로미찌
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14685
摘要： PURPOSE: A solid image pickup device and a manufacturing method thereof are provided to obtain an image with high color reproduction by reducing mixed color due to the misalignment of a color filter. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(10) includes a first main surface and a second main surface facing the first main surface. First and second photoelectric conversion layers are formed on the semiconductor substrate and converts incident light into an electric signal. A first color filter corresponds to the photoelectric conversion layer and has a first upper side and a first lower side of a second main surface. A second color filter corresponds to a second photoelectric conversion layer on the second main surface and includes a second upper side and a second lower side of the second main surface. A first color filter is a spectrum filter which passes light via the semiconductor substrate. The first lower side is longer than the first upper side. The second lower side is shorter than the second upper side.
摘要翻译：目的：提供一种固体图像拾取装置及其制造方法，以通过减少由于滤色器的未对准而引起的混色而获得具有高色彩再现的图像。构成：半导体衬底（10）包括第一主表面和面向第一主表面的第二主表面。第一和第二光电转换层形成在半导体衬底上并将入射光转换为电信号。第一滤色器对应于光电转换层，并且具有第二主表面的第一上侧和第一下侧。第二滤色器对应于第二主表面上的第二光电转换层，并且包括第二主表面的第二上侧和第二下侧。第一滤色器是通过半导体衬底传递光的光谱滤波器。第一下侧比第一上侧长。第二下侧比第二上侧短。

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