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    • 3. 发明授权
    • 파장 측정 장치가 내장된 외부 공진기형 레이저
    • KR102217730B1
    • 2021-02-22
    • KR1020130089986
    • 2013-07-30
    • 주식회사 포벨
    • 김정수
    • H01S3/0941H01S3/10
    • 본발명은레이저다이오드칩의구동전류에무관하게레이저빛의파장을공진기내에삽입되는파장선택성필터의투과파장대역을기준으로정밀하게측정할 수있는파장측정장치를갖춘외부공진기형레이저에관한것이다. 본발명에따른외부공진기형의레이저장치는레이저빛을발산하는레이저다이오드칩(100)과; 상기레이저다이오드칩(100)에서발산된빛을일부반사하여다시레이저다이오드칩(100)으로궤환시키는광 궤환용부분반사거울(500)과; 상기레이저다이오드칩(100)과광 궤환용부분반사거울(500) 사이의광 경로상에설치되어, 레이저다이오드칩(100)으로부터발산된빛을시준화시키는시준화렌즈(200)와, 패키지바닥면에대해수평으로진행하는레이저빛을패키지바닥면에대해수직으로진행하는레이저빛으로방향을전환하는 45도부분반사거울(300)과, 선택된특정파장의빛을투과시키는파장선택성필터(400)와, 시준화렌즈(200)에서 45도부분반사거울(300)로진행하여 45도부분반사거울(300)을투과하는광 경로상에배치되는광세기감시용포토다이오드(600)와, 파장선택성필터(400)에서 45도부분반사거울(300)로진행하여 45도부분반사거울(300)을투과하는광 경로상에배치되는파장감시용포토다이오드(700);를포함하여이루어지는것을특징으로하며, 파장감시용포토다이오드(700)를흐르는광전류는레이저다이오드칩(100)에서발진하는광 출력세기와파장선택성필터(400)에서의반사율에따라그 크기가달라지고, 광세기감시용포토다이오드(600)를흐르는광전류는레이저다이오드칩(100)에서출력된광출력세기에의해광전류가결정되어지므로파장감시용포토다이오드(700)를흐르는광전류를광세기감시용포토다이오드(600)로흐르는광전류를나눈값은파장선택성필터(400)에서의반사율에만의존하는값을가지게된다. 그러므로파장감시용포토다이오드(700)를흐르는광전류를광세기감시용포토다이오드(600)로흐르는광전류를나눈값은파장선택성필터(400)의투과대역파장을기준으로레이저빛의파장에대한정보를주며, 이를측정함으로써레이저빛의파장을알아낼수있으며레이저빛의파장을매우정밀하게미리정해진파장으로결정되게할 수있다.
    • 4. 发明公开
    • 파장 가변 필터를 이용한 광 수신기의 채널 설정 방법
    • 光波接收器与波长滤波器的通道设置方法
    • KR1020160131306A
    • 2016-11-16
    • KR1020150063346
    • 2015-05-06
    • 주식회사 포벨
    • 김정수
    • H04B10/67H04B10/69
    • H04J14/0227H04B10/67H04B10/675H04B10/69
    • 본발명은 TO형수신파장가변광 수신기에있어서에탈론필터형태의파장가변필터를이용하는수신되는파장채널을설정하는방법에관한것이다. 본발명에따른파장가변형광 수신기의채널설정방법은미리설정된온도범위내에서순환적으로통신채널을수신하되, 파장가변형필터의투과모드중 인접한두 개의투과모드를이용하여통신채널의선택적수신이이루어짐으로써, 미리정해진온도영역내에서전 통신채널을개별적으로선택하여수신할수 있으며, 동시에파장가변필터의특정온도에서의투과파장성질과관계없이모든 FP형에탈론필터를사용할수 있어, 제품제조비용과소모전력을낮출수 있으며, 패키지의열적안정성을강화할수 있게된다.
    • 本发明涉及一种在TO型接收波长可变光接收机中使用标准具滤波器型波长可变滤波器来设置接收波长信道的方法。 根据本发明的波长可变光接收机的信道设置方法循环地接收在预设温度范围内的通信信道,并且可以通过选择性地接收使用两个信道的通信信道来单独地选择和接收预定温度区域内的所有通信信道 波长可变滤波器的传输模式之间的相邻传输模式,同时,无论波长可变滤波器的特定温度下的透射波长特性如何,都可以使用所有FP型标准器滤波器来降低产品制造成本 和功耗,并加强包装的热稳定性。
    • 6. 发明公开
    • 초고속 통신용 광 모듈
    • 高速通信光模块
    • KR1020150012167A
    • 2015-02-03
    • KR1020130087682
    • 2013-07-24
    • 주식회사 포벨
    • 김정수
    • H04B10/40H04B10/00
    • H01S5/042H01S5/02212H01S5/02256H01S5/02276H01S5/02292H01S5/06226
    • 본 발명은 5Gbps 이상의 초고속 통신용의 레이저 다이오드 칩이 포함되는 TO can형의 초고속 통신용 광 모듈에 관한 것이다.
      본 발명에 따른 초고속 통신용 광 모듈은 고속 통신용 광모듈에 있어서, 레이저 다이오드 칩(100)에 신호를 전송하기 위한 고속 신호 전송용 기판(200)이, 고속 신호 전송용 선로 패턴이 형성된 상부 고속 신호 전송용 기판(210)과, 상부면이 도전성을 갖는 하부 고속 신호 전송용 기판(220)이 결합되어 이루어져, 단일 종단 임피던스 25ohm 또는 차동 종단 임피던스 50ohm을 가져 고속 통신이 가능하고, 고속 통신을 위한 레이저 다이오드 칩이 부착되는 기판의 높이가 0.4mm 정도가 되도록 하여 레이저 다이오드 칩과 렌즈 등의 광 결합을 용이하게 하며, 0.6mm 이하의 기판 폭으로 고속 전송 선로를 구현하여 TO can형의 좁은 실장 면적을 가지는 패키지에 효과적으로 내장되는 고속 신호 전송용 기판을 제공할 수 있다.
    • 本发明涉及一种TO型高速光通信模块,其包括用于高于5Gbps的高速通信的激光二极管芯片。 高速光通信模块包括用于向激光二极管芯片(100)发送信号的高速信号传输基板(200)。 高速信号传输基板包括具有高速信号传输路径图案的上部高速信号传输基板(210)和具有上部导电表面的下部高速信号传输基板(220)。 本发明通过高速信号传输基板实现高速通信,单端阻抗为25欧姆或50欧姆终端阻抗。 安装有用于高速通信的激光二极管芯片的基板的高度为0.4mm,以使激光二极管芯片和透镜之间容易的光耦合。 高速传输路径被实现为具有0.6mm或更小的衬底宽度以有效地安装在具有窄TO罐型封装的封装中。
    • 7. 发明授权
    • 써미스터를 이용한 온도 측정 방법
    • 使用热敏电阻的温度测量方法
    • KR101291715B1
    • 2013-07-31
    • KR1020110047213
    • 2011-05-19
    • 주식회사 포벨
    • 김정수
    • G01K7/22G01K1/08
    • G01K7/22G01K1/14G01K1/16
    • 본 발명은 열전소자를 이용하여 열전소자 상부에 배치되는 부품의 온도를 제어하는 모듈에 있어 열전소자 상부에 배치되는 써미스터를 이용하여 열전소자 상부의 온도를 정밀하게 측정할 수 있도록 하는 써미스터를 이용한 온도 측정 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 써미스터를 이용한 온도 측정 방법은 써미스터 상부면과 전극핀을 전기적으로 연결할 때 열전소자 또는 열전소자에 부착된 징검다리 서브마운트를 경유하여 써미스터와 전극핀을 전기적으로 연결함으로써 써미스터와 전극핀 사이의 직접 적인 열교환을 억제하고, 또한 써미스터를 열전달률이 낮은 에폭시 등의 고분자 재료로 덮어줌으로써 패키지 내부의 기체에 의한 써미스터와 패키지 뚜껑 사이의 열교환을 효과적으로 억제하여 써미스터가 열전소자의 온도를 정밀하게 측정할 수 있도록 한다.
    • 8. 发明授权
    • 파장 가변 필터의 제작 방법
    • 可调谐波长滤波器及其产品的制造方法
    • KR101237284B1
    • 2013-02-27
    • KR1020110043681
    • 2011-05-09
    • 주식회사 포벨
    • 김정수
    • G02B5/20
    • 본 발명은 필터에 입사하는 빛 중에서 투과 또는 일부투과/일부반사하는 빛의 파장을 선택하는 파장 선택성 필터에 관한 것으로, 특히 선택되는 파장을 액정(liquid crystal)을 이용하여 조절할 수 있도로 하는 파장 가변 필터에 관한 것이다.
      본 발명에 따른 파장 가변 필터는 반도체 기판(100) 위에 결정 성장이나 증착을 통해 반사막(115)을 형성하는 단계와; 상기 반사막(115) 위에 스페이서층(130)을 형성하는 단계와; 상기 스페이서층(130)의 일부를 식각하여 유체가 포함될 수 있는 공간을 형성하는 단계와; 상기 반사막(115)과 스페이서층(130)이 형성된 두 개의 반도체 기판(100)을 스페이서층(130)이 맞대지도록 접합하는 단계;를 포함하여 이루어짐으로써, 2차원으로 배열된 여러 개의 파장 가변 필를 일괄 제작할 수 있어 제작 비용이 적게 소요되고 제작이 신속하고 용이하게 이루어질 수 있다.
    • 10. 发明公开
    • 펄스로 구동하는 파장 변환형 반도체 레이저
    • 由脉冲运行的波长转换类型的半导体激光器
    • KR1020120032618A
    • 2012-04-06
    • KR1020100094041
    • 2010-09-29
    • 주식회사 포벨
    • 김정수
    • H01S3/10H01S3/102
    • H01S5/0078H01S3/0092H01S3/09415H01S3/1024H01S3/1611H01S3/1673H01S5/028H01S5/06216H01S5/141
    • PURPOSE: A semiconductor laser of a wavelength conversion type is provided to increase the light efficiency of a wavelength conversion laser through a second harmonic wave method by eliminating wavelength change according to operation temperature change. CONSTITUTION: A semiconductor laser diode chip(210) emits laser light. A first lens part(221) collimates light generated through a cleavage plane of the semiconductor laser diode chip. A filter(230) selectively reflects the laser light emitted from the semiconductor laser diode chip. A second lens part(222) focuses the rest partial light, which transmits to the filter, to a first medium(240). The first medium changes laser light having an 808nm neighboring wavelength from partial light transmitting the filter to the laser light having a1064nm wavelength. A second medium(250) changes the frequency of the laser light having the 1064nm wavelength into 532nm laser light.
    • 目的:提供波长转换型的半导体激光器,通过消除根据工作温度变化的波长变化,通过二次谐波法提高波长转换激光器的光效率。 构成:半导体激光二极管芯片(210)发射激光。 第一透镜部分(221)对通过半导体激光二极管芯片的解理面产生的光进行准直。 滤光器(230)选择性地反射从半导体激光二极管芯片发射的激光。 第二透镜部分(222)将传递到滤光器的其余部分光聚焦到第一介质(240)。 第一介质将具有808nm相邻波长的激光从将滤光器透射到具有106nm波长的激光的部分光改变。 第二介质(250)将具有1064nm波长的激光的频率改变为532nm激光。