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1. 发明授权

KR102034602B1 코발트 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 코발트 함유 박막 有权
公开(公告)号：KR102034602B1
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：KR1020190092418
申请日：2019-07-30
申请人： (주)디엔에프
发明人： 조성우 , 김민성 , 석장현 , 신형수 , 김명운 , 이상익
IPC分类号： H01L21/285 , C01G51/00

2. 发明授权

KR102005940B1 신규한 아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 有权
公开(公告)号：KR102005940B1
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：KR1020150147806
申请日：2015-10-23
申请人： (주)디엔에프
发明人： 장세진 , 이상도 , 조성우 , 김성기 , 양병일 , 석장현 , 이상익 , 김명운
IPC分类号： C07F7/10 , C07F7/08 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/314 , H01L21/316

3. 发明公开

KR1020170116951A 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전이금속함유 박막증착용 조성물 审中-实审
标题翻译：过渡金属化合物，其制备方法以及含有该过渡金属化合物的含过渡金属的薄膜沉积用组合物
公开(公告)号：KR1020170116951A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：KR1020170040141
申请日：2017-03-29
申请人： (주)디엔에프
发明人： 김명운 , 이상익 , 채원묵 , 임상준 , 이강용 , 조아라 , 전상용 , 임행돈
IPC分类号： C07F7/10 , C23C16/18 , C23C16/40
摘要： 본발명은신규한전이금속화합물, 이의제조방법, 이를포함하는전이금속함유박막증착용조성물, 전이금속함유박막증착용조성물을이용한전이금속함유박막및 전이금속함유박막의제조방법에관한것으로, 본발명의전이금속화합물은열적안정성이높고, 휘발성이높으며, 저장안정성이높아이를전구체로이용하여고밀도및 고순도의전이금속함유박막을용이하게제조할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及新型金属有机金属化合物，其制备方法，含过渡金属的薄膜沉积组合物，含有过渡金属的薄膜沉积组合物，含过渡金属的薄膜，本发明的过渡金属化合物具有高热稳定性，高挥发性和高储存稳定性，并且可以用作易于制备具有高密度和高纯度的薄膜的前体。

4. 发明授权

KR101718744B1 실리콘 전구체를 포함하는 박막증착용 조성물 및 이를 이용한 실리콘함유 박막의 제조방법 有权
标题翻译：一种包含硅前体的薄膜沉积组合物以及使用该组合物制造含硅薄膜的方法
公开(公告)号：KR101718744B1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：KR1020140151095
申请日：2014-11-03
申请人： (주)디엔에프
发明人： 김명운 , 이상익 , 정인경 , 권용희 , 변태석 , 김성룡 , 손승
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 본발명은실리콘전구체를포함하는박막증착용조성물및 이를이용한실리콘함유박막의제조방법것으로, 휘발성이높아, 낮은온도에서도우수한응집력및 높은증착율을보이는실리콘전구체를포함하는박막증착용조성물및 이를이용함으로써, 기계적강도및 유전상수가획기적으로개선된실리콘함유박막의제조방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明中，通过薄膜沉积的组合物和制造方法使用相同的，高挥发性，优异的内聚强度，和薄膜沉积的组合物的薄膜和含有硅前体与一高沉积速率它即使在使用低的温度下，包括硅前体的含硅，制造机械强度和介电常数显着提高的含硅薄膜的制造方法。

5. 发明授权

KR101600337B1 신규한 아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 有权
公开(公告)号：KR101600337B1
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020130159399
申请日：2013-12-19
申请人： (주)디엔에프
发明人： 장세진 , 이상도 , 조준희 , 김성기 , 김종현 , 양병일 , 석장현 , 이상익 , 김명운
IPC分类号： C07F7/10
CPC分类号： C07F7/10
摘要： 본발명은신규한아미노실릴아민화합물, 이의제조방법및 이를이용한실리콘함유박막에관한것으로, 본발명의아미노실릴아민화합물은열적으로안정하고휘발성이강한화합물로실온및 취급이가능한압력에서액체형태의화합물로다양한증착방법으로물리적, 전기적특성이우수하면서도고순도인실리콘함유박막을형성할수 있다.

6. 发明公开

KR1020150124603A 지르코늄 산화물 박막 형성용 전구체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막의 제조방법 有权
标题翻译：氧化锆薄膜的前驱物，其制造方法和薄膜的制备方法
公开(公告)号：KR1020150124603A
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020140051279
申请日：2014-04-29
申请人： (주)디엔에프
发明人： 김명운 , 이상익 , 채원묵 , 임상준 , 석장현 , 안치영 , 한미정 , 이성덕 , 김종현 , 전상용 , 조성우
IPC分类号： C01G25/02 , C07F7/00
CPC分类号： C23C16/405 , C07F7/00 , C07F17/00 , C23C16/45525
摘要： 본발명은지르코늄산화물박막의제조방법및 본발명의제조방법에따라제조된지르코늄산화물박막을제공하는것으로, 본발명의지르코늄산화물박막을형성하기위한지르코늄함유전구체를이용하여넓은공정온도와높은단차피복성을가지는지르코늄산화물박막을제조할 수있다.
摘要翻译：本发明提供了通过本发明的制造方法制造的氧化锆薄膜的制造方法和氧化锆薄膜。该方法能够通过使用含锆的前体来制造具有宽的工艺温度范围和高阶梯覆盖范围的氧化锆薄膜，用于形成本发明的氧化锆薄膜。

7. 发明公开

KR1020150105747A 유기 금속 전구체 및 이를 이용한 박막 형성 방법 审中-实审
标题翻译：有机质前体及其形成薄层的方法
公开(公告)号：KR1020150105747A
公开(公告)日：2015-09-18
申请号：KR1020140027671
申请日：2014-03-10
申请人： 삼성전자주식회사 , (주)디엔에프
发明人： 조윤정 , 김윤수 , 임상준 , 김명운 , 이상익 , 윤상철
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/448
CPC分类号： H01L21/0228 , C07F7/006 , C23C16/405 , C23C16/45553 , H01L21/02189 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 유기 금속 전구체는 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
X
n (M)(R1)
m (R2)
k
(상기 화학식 1에서, M은 중심 금속이고, X는 M의 리간드로서 6,6-디메틸풀베닐(6,6-dimethylfulvenyl), 인데닐(indenyl), 사이클로펜타디에닐(cyclopentadienyl) 또는 아미노기가 치환된 사이클로펜타디에닐이며, R1 및 R2는 M의 리간드로서 각각 독립적으로 아미노기 또는 에틸렌디아미노기(ethylenediamino group)이고, n, m 및 k는 각각 1 이상의 정수이며, n+m+k는 3 또는 4이다.)
摘要翻译：有机金属前体由以下化学式1表示：Xn（M）（R1）m（R2）k。在上述化学式1中，M是中心金属，X 6,6-二甲基富维甲基，茚基，环戊二烯基或其中胺基被取代为M的配体的环戊二烯基，R 1和R 2是独立的胺基或独立的乙二氨基作为M的配位体，n，m和k为大于或等于1的整数，n + m + k为3或4。

8. 发明公开

KR1020150078776A 코발트 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 코발트 함유 박막 有权
标题翻译：含钴薄膜的制造方法及其制造的含钴薄膜的制造方法
公开(公告)号：KR1020150078776A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130168482
申请日：2013-12-31
申请人： (주)디엔에프
发明人： 김명운 , 이상익 , 신형수 , 이강용 , 김민성 , 석장현 , 김도연
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본발명은코발트함유박막의제조방법및 본발명의제조방법에따라제조된코발트함유박막을제공하는것으로, 본발명의코발트함유박막의제조방법은저비용으로내구성과순도가높은양질의코발트함유박막을제조할수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种由其制造的含钴薄膜及含钴薄膜的制造方法。通过本发明的含钴薄膜的制造方法，可以以低成本制造出具有高耐久性和纯度的优质含钴薄膜。该方法包括：将基板安装在室内以将基板的温度维持在150℃以下的步骤; 通过在载气和反应气体下使用钴前体化合物在基板上沉积含钴薄膜的步骤。

9. 发明公开

KR1020150019623A 산화아연계 박막 증착방법 无效
标题翻译：沉积氧化锌薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020150019623A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020130096703
申请日：2013-08-14
申请人： 코닝정밀소재 주식회사 , (주)디엔에프
发明人： 박수호 , 이주영 , 한지연 , 김명운 , 김민성 , 신형수 , 이상익 , 장홍석
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/40 , C23C16/448
摘要： Provided is a method for depositing a zinc oxide-based thin film including: a step of mixing at least two first organic solvents with a zinc oxide precursor; a step of evaporating the mixed solution of the first organic solvents and the zinc oxide precursor; and a step of depositing a zinc oxide-based thin film on the substrate by supplying an oxidizing agent and air obtained by evaporating the mixed solution of the first organic solvents and the zinc oxide precursor to a deposition chamber in which a substrate is installed. Preferably, the method for depositing the zinc oxide-based thin film, wherein the zinc oxide-based thin film is coated with gallium, includes: a step of mixing at least two second organic solvents with a gallium precursor; a step of evaporating the mixed solution of the second organic solvents and the gallium precursor; and a step of depositing a zinc oxide-based thin film coated with gallium on the substrate by supplying the air obtained by evaporating the mixed solution of the second organic solvents of the gallium precursor to the deposition chamber.
摘要翻译：提供一种沉积氧化锌基薄膜的方法，包括：将至少两种第一有机溶剂与氧化锌前体混合的步骤; 蒸发第一有机溶剂和氧化锌前体的混合溶液的步骤; 以及通过将氧化剂和将第一有机溶剂和氧化锌前体的混合溶液蒸发得到的空气供给到其中安装了基板的沉积室，在基板上沉积氧化锌类薄膜的步骤。优选地，其中所述氧化锌基薄膜涂覆有镓的所述氧化锌基薄膜的沉积方法包括：将至少两种第二有机溶剂与镓前体混合的步骤; 蒸发第二有机溶剂和镓前体的混合溶液的步骤; 以及通过将通过将镓前体的第二有机溶剂的混合溶液蒸发到沉积室获得的空气，将沉积涂有镓的氧化锌基薄膜沉积在基板上的步骤。

10. 发明公开

KR1020140136146A 규소함유 유기 금속 전구체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 금속-규소 산화물 박막의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：含硅有机金属前体化合物，其制备方法及其制造方法制备硅金属氧化物薄膜
公开(公告)号：KR1020140136146A
公开(公告)日：2014-11-28
申请号：KR1020130056256
申请日：2013-05-20
申请人： (주)디엔에프
发明人： 김명운 , 이상익 , 채원묵 , 석장현 , 조준희 , 안치영 , 임상준
IPC分类号： C07F7/10 , C07F7/30 , C23C16/18
CPC分类号： C07F7/10 , C07F7/28 , C07F7/30 , C23C16/401 , C23C16/405
摘要： 본 발명은 규소함유 유기 금속 전구체 화합물을 이용하여 유기 금속 화학 증착법(MOCVD) 및 원자층 증착법(ALD)을 통해 고순도 금속 -규소 산화물 박막을 적층으로 형성하는 박막 증착 방법을 제공한다. 또한 상기한 유기금속 화학 증착법(MOCVD) 및 원자층 증착법(ALD)에 의하여 우수한 박막 특성, 단차피복성을 확보할 수 있으며, 열적으로 안정한 규소함유 유기 금속 전구체 화합물을 제공한다.
摘要翻译：在本发明中，提供了一种薄膜的气相沉积方法，其中通过使用含硅的金属有机化学气相沉积（MOCVD）和原子层沉积（ALD）的方法层叠高纯度金属氧化硅薄膜有机金属前体化合物。此外，提供具有热稳定性的含硅有机金属前体化合物，其具有优异的薄膜性质和通过MOCVD和ALD的方法的步骤覆盖。

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