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1. 外观设计

KR3006425120000S 失效
公开(公告)号：KR3006425120000S
公开(公告)日：2012-05-04
申请号：KR3020120000496
申请日：2012-01-05
申请人： 주식회사 이넥트론
设计人： 박지수

2. 外观设计

KR3006425090000S 失效
公开(公告)号：KR3006425090000S
公开(公告)日：2012-05-04
申请号：KR3020120000501
申请日：2012-01-05
申请人： 주식회사 이넥트론
设计人： 김영택

3. 发明授权

KR101034357B1 ＳＢＤ용 실리콘웨이퍼상의 금속층 형성방법 失效
标题翻译：用于SBD的硅晶片的金属涂覆方法
公开(公告)号：KR101034357B1
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：KR1020080119838
申请日：2008-11-28
申请人： 주식회사 이넥트론
发明人： 김동규 , 황영찬
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/28
摘要： 실리콘웨이퍼에 금속층을 형성(코팅)시키는 방법이 개시된다. 본 발명에 의하면 SBD용 실리콘 웨이퍼상의 금속층 형성방법으로서, n형 반도체에 배리어층으로 금속 Ti를 코팅한 다음 전극금속층으로 Al이 코팅 된 웨이퍼를 탈지 처리하는 단계(S1) ;
상기 탈지 처리 후 에칭하는 단계(S2) ;
상기 에칭처리 후 징케이트 처리하는 단계(S3) ; 그리고 상기 징케이트 처리 후 무전해 NiP 합금도금층을 형성하는 단계(S4)를 포함함을 특징으로 하는 금속층 형성방법을 제공함으로써 그 목적이 달성된다.

4. 发明授权

KR101013737B1 ＡＢＳ 수지상 무전해 도금을 위한 표면 전처리 방법 失效
标题翻译：表面预处理ABS塑料上的无电极电镀方法
公开(公告)号：KR101013737B1
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020080067469
申请日：2008-07-11
申请人： 주식회사 이넥트론
发明人： 김동규 , 최진문 , 강동호 , 황영찬
IPC分类号： C23C18/20 , C23C18/54
摘要： ABS 수지의 전처리 공정을 환경 친화적인 방법으로 하여, ABS 수지를 70%이상 함유하는 수지제품에 환경친화적 무전해 도금을 위한 표면 전처리 방법이 제공된다.
본 발명에 의하면 ABS 수지에 기존의 화학적 처리 대신에 발포제와 환경친화적 수용성 접착제를 처리하여 ABS 수지 표면을 매우 거칠게 하여 물리적인 체결력을 증가시키는 방법을 제공함으로써 그 목적이 달성된다.
ABS 수지, 표면처리, 발포제

5. 外观设计

KR3002636300000S 失效
公开(公告)号：KR3002636300000S
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR3019990013138
申请日：1999-06-14
申请人： 주식회사 이넥트론
设计人： 이동호

6. 外观设计

KR3006425190000S 失效
公开(公告)号：KR3006425190000S
公开(公告)日：2012-05-04
申请号：KR3020120000503
申请日：2012-01-05
申请人： 주식회사 이넥트론
设计人： 조재현

7. 外观设计

KR3005128180000S 失效
公开(公告)号：KR3005128180000S
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：KR3020070049620
申请日：2007-11-29
申请人： 주식회사 이넥트론
设计人： 변대식

8. 发明公开

KR1020080100944A 알터네이터-다이오드 실리콘 웨이퍼상의 전해 코발트층형성방법 및 이에 사용되는 전해액 无效
标题翻译：电解二氧化硅溶液的电解液和方法
公开(公告)号：KR1020080100944A
公开(公告)日：2008-11-21
申请号：KR1020070047016
申请日：2007-05-15
申请人： 주식회사 이넥트론
发明人： 김동규 , 이화윤
IPC分类号： C25D3/00 , C25D7/12
CPC分类号： C25D3/12 , C25D7/12 , C25D21/12
摘要： An electrolyte is provided to form the cobalt layer in order to complete a zener diode after the electrolysis nickel layer is completed on the alternator-diode silicon wafer. A cobalt electrolyte for forming the cobalt layer in the upper part in which the nickel layer is formed on the alternator-diode silicon wafer comprises as follows: an electrolyte consisting of the CoSO4-7H2O is 40g~100g/l KCL per 150g~400g/l, H3BO3 is 10g~50g/l, brightner is 10ml~40ml/l, and semi-brightener 1ml~10ml/l and fit preventing agent is 5ml~20ml/l. A method for forming the cobalt electrolyte on the nickel layer on the silicon wafer is plating in the PH 1.5 ~ PH 4.0, and 50deg.C~80 deg.C to 2.0A~10.0A / dm^2 with 30 second ~2 minute.
摘要翻译：提供电解质以形成钴层，以在电解镍层在交流二极管硅晶片上完成之后完成齐纳二极管。用于在交替二极管硅晶片上形成镍层的上部形成钴层的钴电解质包括如下：由CoSO 4·7H 2 O组成的电解质为40g〜100g / l KCL，每150g〜400g / l，H3BO3为10g〜50g / l，亮剂为10ml〜40ml / l，半亮化剂1ml〜10ml / l，配合预防剂为5ml〜20ml / l。在硅晶片上的镍层上形成钴电解质的方法是在PH1.5〜PH4.0和50℃〜80℃〜2.0A〜10.0A / dm ^ 2下电镀30秒〜2分钟。

9. 外观设计

KR3004518920000S 失效
公开(公告)号：KR3004518920000S
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR3020060043436
申请日：2006-10-31
申请人： 주식회사 이넥트론
设计人： 한수철

10. 发明授权

KR100693902B1 Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ계 영구자석의 2중 니켈 도금방법 失效
标题翻译：具有Nd-Fe-B的永磁体的双镍电镀方法
公开(公告)号：KR100693902B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020050069597
申请日：2005-07-29
申请人： 주식회사 이넥트론
发明人： 김동규 , 황영찬
IPC分类号： C25D3/12 , C25D5/10
摘要： 본 발명은 Nd-Fe-B계 소결자석과 니켈 도금층과의 밀착력 및 내식성 향상과 펄스도금을 이용한 균일 전착성을 향상시킨 2중 니켈 도금에 관한 것으로 또한 본 발명은 질산과 6가크롬 등의 유해성 물질을 배제한 친환경적 에칭제와 후처리제를 사용하여 고내식성 Nd-Fe-B계 영구자석을 제공하는 것을 그 목적으로 하며, 상기 영구자석의 표면세척, 침지탈지, 에칭, 디스머트 및 안정화 공정으로 이루어지는 전처리단계(S1);
상기 전처리 단계(S1)후 1차 반광택 니켈 도금 후 2차 광택 니켈 도금을 행하는 2중 니켈 도금층의 형성단계(S2); 그리고
상기 단계(S2)후 도금된 니켈층의 산화를 방지하고 내식성을 향상시키기 위해 표면층을 형성시키는 후처리단계(S3)를 포함함을 특징으로 하는 Nd-Fe-B계 영구자석의 2중 니켈층 도금방법을 제공함으로서 그 목적이 달성된다.
Nd-Fe-B, 영구자석, 도금, 전기도금, 니켈도금, 에칭제

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