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1. 发明公开

KR1020110053961A 캐리어 이동성이 향상된 금속 산화물 ＴＦＴ无效
标题翻译：具有改进载体移动性的金属氧化物薄膜
公开(公告)号：KR1020110053961A
公开(公告)日：2011-05-24
申请号：KR1020117003529
申请日：2009-07-14
申请人： 씨비라이트 인코퍼레이티드
发明人： 시에찬롱 , 유강
IPC分类号： H01L29/786 , H01L35/24
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78696 , H01L21/02554 , H01L21/02565
摘要： 100nm 미만의 두께의 금속산화 활성층을 갖고 있는 반도체 디바이스의 제조 방법이 사용되고, 이러한 상부 주요면 및 하부 주요면은 언더라이잉 인터페이스와 오버라이잉 인터페이스를 형성하기 위해 인접하여 맞물린 재료를 갖고 있다. 이러한 제조 방법은 산화금속 활성층에 대한 금속산화물을 선택함으로써 그리고 상기 재료에 대한 특정 재료를 인접하여 맞물리는 형태로 선택함으로써 인접한 금속 산화물내의 캐리어 밀도를 조정하기 위해 간섭 상호작용을 제어하는 단계를 포함한다. 이러한 방법은 또한 상기 언더라이잉 인터페이스의 성분을 형성하는 언더라이잉 재료의 표면 처리에 의한 언더라이잉 인터페이스내의 상호작용을 제어하는 단계 및 금속산화층 상의 재료의 증착 이전에 실행된 금속산화막의 표면 처리에 의한 오버라이잉 인터페이스내의 상호작용을 제어하는 단계중 하나 또는 모두를 포함한다.

2. 发明公开

KR1020160012165A 안정한 고 이동성 ＭＯＴＦＴ 및 그것의 저온 제조 방법 审中-实审
标题翻译：稳定的高移动性和低温制造
公开(公告)号：KR1020160012165A
公开(公告)日：2016-02-02
申请号：KR1020157035554
申请日：2014-05-07
申请人： 씨비라이트 인코퍼레이티드
发明人： 시에찬롱 , 유강 , 풍팻 , 무솔프위르겐
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02063 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/76805 , H01L21/76814 , H01L21/76895 , H01L27/1225 , H01L29/247 , H01L29/42384 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66742 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696 , H01L2021/775
摘要： 안정한고 이동성비정질 MOTFT를제조하는방법은기판위에형성된게이트, 및게이트위에놓인게이트유전층을가진기판을제공하는단계를포함한다. 게이트운반구조가게이트유전층위에스퍼터링에의해증착된다. 캐리어운반구조는게이트유전체부근에비정질고 이동성금속산화물층, 및비정질고 이동성금속산화물층 위에증착된비교적비활성인재료의보호층을포함하고, 이두 층은모두산소없이제자리에서증착된다. 비정질금속산화물층은 40㎠/Vs 보다큰 이동성, 및대략 10㎝내지대략 5×10㎝범위의캐리어농도를가진다. 소스/드레인컨택트는보호층상에배치되고, 그것과전기적으로접촉된다.
摘要翻译：制造稳定的高迁移率无定形MOTFT的方法包括提供其上形成有栅极的基板和位于栅极上方的栅介质层的步骤。通过溅射将载流子传输结构沉积在栅极介电层上。载流子传输结构包括邻近栅极电介质的非晶高迁移率金属氧化物层，以及沉积在无氧和原位沉积的无定形高迁移率金属氧化物层上的相对惰性的材料保护层。非晶金属氧化物层的迁移率高于40cm 2 / Vs，载流子浓度在约1018cm-3至约5×1019cm-3的范围内。源极/漏极触点位于保护层上并与其电接触。

3. 发明公开

KR1020140018899A ＭＯＴＦＴ의 안정도를 향상시키는 구동 방법 无效
标题翻译：用于改善电动机稳定性的驱动方法
公开(公告)号：KR1020140018899A
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：KR1020137024015
申请日：2012-01-27
申请人： 씨비라이트 인코퍼레이티드
发明人： 시에찬롱 , 유강
IPC分类号： G09G3/20 , H01L29/10
CPC分类号： G09G3/3225 , G09G2310/063 , G09G2320/0204
摘要： 디스플레이 장치 구동 방법은 각 화소가 스위칭/구동 트랜지스터 회로 및 적어도 하나의 발광 장치를 포함하는, 화소의 행 및 열을 포함하는 화소의 어레이를 제공하는 단계를 포함한다. 화소의 각 행은 스캔 라인을 갖고 있고 화소의 각 열은 데이터 라인을 갖고 있다. 이러한 방법은 또한, 상기 화소의 어레이 내의 각 화소가 주소지정되는 프레임 주기를 정의하고 상기 프레임 주기를 기록 서브프레임, 표시 서브프레임 및 레스트 서브프레임으로 분할하는 단계를 더 포함한다. 스캔 펄스는 각 스캔 라인에 공급되고, 데이터 신호는 각 데이터 라인에 공급되고 상기 발광 장치는 상기 기록 서브프레임 동안 디스에이블링된다. 상기 발광 장치는 상기 표시 서브프레임 동안 이네이블링되고 상기 스위칭/구동 트랜지스터 회로는 디스에이블링된다. 레스트 펄스는 모든 스캔 라인에 공급되고 상기 발광 장치는 상기 레스트 서브프레임 동안 디스에이블링된다.

4. 发明公开

KR1020140052005A 마스크의 수가 감소된 자체 정렬 금속 산화물 ＴＦＴ无效
标题翻译：自对准金属氧化物膜，具有减少数量的掩模
公开(公告)号：KR1020140052005A
公开(公告)日：2014-05-02
申请号：KR1020147005766
申请日：2012-08-02
申请人： 씨비라이트 인코퍼레이티드
发明人： 시에찬롱 , 유강 , 풍팻
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L27/32
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L29/78645
摘要： 게이트 영역을 규정하는 기판의 전면 위에 불투명 게이트 금속을 위치시키는 단계, 상기 게이트 금속 및 주변 영역 위에 있는 기판의 전면 위에 게이트 유전체 재료를 증착하는 단계, 상기 게이트 유전체 재료 위에 금속 산화물 반도체 재료를 증착하는 단계, 상기 반도체 재료 위에 에칭 방지 재료의 층을 증착하는 단계, 상기 에칭 방지 재료 위에 포토레지스트를 위치시키는 단계로서, 상기 에칭 방지 재료 및 상기 포토레지스트는 선택적으로 제거가능하고, 상기 포토레지스트는 상기 반도체 재료의 층에 아이솔레이션 영역을 규정하는 단계, 상기 에칭 방지 재료의 덮히지 않은 부분을 제거하는 단계, 상기 게이트 금속을 마스크로서 사용하여 상기 포토레지스트를 상기 기판의 후면으로부터 노출시키고 상기 포토레지스트의 노출된 부분을 제거하여 � ��기 게이트 금속 위에 있고 상기 게이트 금속과 정렬되어 있는 부분을 제외한 에칭 방지 재료의 층을 덮히지 않은 상태로 하는 단계, 상기 반도체 재료의 덮히지 않은 부분을 에칭하여 상기 TFT를 격리하는 단계, 상기 포토레지스트를 사용하고, 상기 에칭 방지 층을 선택적으로 에칭하여 에칭 부분을 상기 게이트 금속 위에 있고 상기 게이트 금속과 정렬된 상태로 하고 상기 반도체 재료에 채널 영역을 규정하는 단계, 상기 에칭 방지 층 및 상기 반도체 재료 위에 도전성 재료를 증착하고 패턴화하여 상기 채널 영역의 양측에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계에 의해 금속 산화물 TFT를 제조하는 방법이 개시되어 있다.

5. 发明公开

KR1020120099009A ＭＯＦＥＴ을 위한 마스크 레벨 감소 无效
标题翻译：屏蔽层减少MOFET
公开(公告)号：KR1020120099009A
公开(公告)日：2012-09-06
申请号：KR1020127009549
申请日：2010-09-09
申请人： 씨비라이트 인코퍼레이티드
发明人： 시에찬롱 , 풍팻 , 유강
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , G02F1/1339 , G02F1/1368 , H01L29/66742
摘要： 마스킹 오퍼레이션이 감소된 액티브 매트릭스용 박막 트랜지스터 제조 방법은 표면에 게이트를 패터닝하는 단계를 포함한다. 게이트 유전층은 이러한 게이트 위에 형성되고 반도체성 금속산화물은 게이트 유전체에 증착된다. 채널 보호층은 게이트 위의 반도체성 금속산화물에 채널 에어리어를 형성하고 나머지 반도체성 금속산화물을 노출시키도록 패터닝된다. 소스/드레인 금속층은 이러한 구조에 증착되고 소스/드레인 금속층을 박막 트랜지스터 소스 및 드레인 단자로 분리하기 위해 상기 게이트 위의 상기 채널 보호층까지 에칭되고 반도체성 금속산화물은 박막 트랜지스터를 이격시키기 위해 주변부에서 관통 에칭된다. 비도전성 스페이서층이 이격된 박막 트랜지스터 및 주변 소스/드레인 금속층의 부분에 패터닝된다.

6. 发明公开

KR1020120062789A 캐스캐이딩된 ＯＬＥＤ 구조를 가진 ＡＭＯＬＥＤ无效
标题翻译：嵌入式OLED结构
公开(公告)号：KR1020120062789A
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020127006964
申请日：2010-07-19
申请人： 씨비라이트 인코퍼레이티드
发明人： 시에찬-롱 , 유강
IPC分类号： H01L51/50 , G09G3/30
CPC分类号： H01L27/3244 , H01L27/3204 , H01L27/3246
摘要： 액티브 매트릭스 디스플레이는 각각의 픽셀이 적어도 하나의 유기 발광 다이오드 회로를 포함하는 복수의 픽셀을 포함한다. 각각의 다이오드 회로는 상기 회로에 인가된 파워 W에 반응하여 미리정해진 양의 광 lm을 산출하고 n의 팩터까지 캐스캐이딩된 다이오드를 지나는 강하된 전압을 증가시키기 위해 n 개의 직렬로 캐스캐이딩된 유기 발광 다이오드를 포함하고, 여기서 n 은 1 이상의 정수이다. n 개의 유기 발광 다이오드의 각각의 다이오드는 1/n까지 다이오드에서 흐르는 전류를 감소시키기 위해 상기 미리정해진 양의 광 lm의 약 1/n을 산출한다. 각각의 픽셀의 유기 발광 다이오드 회로는 소스/드레인 회로에 연결된 캐스캐이딩된 다이오드를 가진 박막 트랜지스터 전류 드라이버를 포함하고, 상기 전류 드라이버는 상기 다이오드에 흐르는 전류를 공급한다.

7. 发明公开

KR1020150095838A MOTFET를 가진 픽셀화된 촬상장치 및 프로세스 审中-实审
标题翻译：像素图像与MOTFET和过程
公开(公告)号：KR1020150095838A
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：KR1020157018672
申请日：2013-12-09
申请人： 씨비라이트 인코퍼레이티드
发明人： 시에찬롱 , 유강
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/12
CPC分类号： H01L31/20 , H01L27/1225 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14663 , H01L27/14687 , H01L27/14692 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , Y02E10/50
摘要： 픽셀화된 촬상장치를 제조하는 방법은 바닥 접촉층 및 상기 바닥 접촉층 상의 감지 소자 블랭킷층을 갖는 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 블랭킷층은 인접한 감지 소자를 절연시키는 트렌치에 의해 감지 소자의 어레이로 분리된다. 감지 소자 전극은 트렌치 위에 놓이고 TFT를 형성하는 각각의 감지 소자에 인접하여 형성된다. 금속 산화물 반도체 재료의 층은 전극 위에 놓인 유전체층과 각각의 TFT에 인접하여 상기 감지 소자를 형성하는 상기 블랭킷층의 노출된 상부 표면 상에 형성된다. 금속층은 각각의 TFT 상에 증착되고 전극의 대향하는 측면들 상의 소스/드레인 전극으로 분리된다. 전극 중 하나를 형성하는 금속은 반도체층의 노출된 표면 위에 놓인 MOS 재료에 접촉하여, 어레이 내의 각각의 감지 소자가 MOS 재료에 의해 인접한 TFT로 전기적으로 연결된다.

8. 发明公开

KR1020140109245A 향상된 디스플레이용 액티브 매트릭스 및 제조 방법 无效
标题翻译：改进用于显示的活动矩阵和制造方法
公开(公告)号：KR1020140109245A
公开(公告)日：2014-09-15
申请号：KR1020137021320
申请日：2012-01-31
申请人： 씨비라이트 인코퍼레이티드
发明人： 시에찬롱 , 유강
IPC分类号： G09G3/20
摘要： 컬러 디스플레이 장치에 통합된 액티브 매트릭스는 각 화소가 적어도 적, 녹 및 청 엘리먼트를 포함하는 x개의 엘리먼트를 갖는 n개의 행 및 m개의 열로 배열된 화소의 어레이를 포함하고 있다. 복수의 m개의 데이터 라인이 제공되고, 상기 복수의 m개의 데이터 라인의 상이한 데이터 라인은 화소의 각 열에 각각 하나씩, 그리고 상기 화소의 열 내의 각 화소의 각 엘리먼트에 결합되어 있다. 복수의 xn개의 스캔 라인이 제공되고, 상기 복수의 xn개의 스캔 라인은 각 x개 스캔 라인의 n개의 그룹으로 분할되어 있다. 상기 복수의 xn개의 스캔 라인의 상이한 그룹이 화소의 n개의 행의 각 행에 결합되어 있고 각 그룹 내의 상이한 x개의 스캔 라인의 각각은 x개의 엘리먼트의 상이한 엘리먼트에 결합되어 있다.

9. 发明公开

KR1020130140002A 안정성이 향상된 금속산화물 ＴＦＴ无效
标题翻译：金属氧化物膜具有改进的稳定性
公开(公告)号：KR1020130140002A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020137012368
申请日：2011-08-15
申请人： 씨비라이트 인코퍼레이티드
发明人： 시에찬롱 , 풍팻 , 유강
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/66742
摘要： 금속산화물의 활성층, 게이트 유전층 및 낮은 트랩 밀도 재료의 층을 포함하는 금속산화물 반도체 장치가 제공된다. 이러한 낮은 트랩 밀도 재료의 층은 상기 금속산화물의 활성층과 상기 게이트 유전층 사이에 샌드위칭되어 있다. 이러한 낮은 트랩 밀도 재료의 층은 상기 금속산화물의 활성층의 주표면과 접촉하고 평핸한 주표면을 갖고 있어서 상기 금속산화물의 활성층과 낮은 트랩 밀도 계면을 형성한다. 옵션으로, 낮은 트랩 밀도 재료의 제2층이 상기 금속산화물의 활성층의 반대방향의 주표면과 접촉되어 배치될 수 있어서 금속산화물의 활성층의 양면과의 낮은 트랩 밀도 계면이 형성된다.

10. 发明公开

KR1020150097642A 온도 안정도가 향상된 금속산화물 ＴＦＴ审中-实审
标题翻译：具有改善温度稳定性的金属氧化物薄膜
公开(公告)号：KR1020150097642A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020157018933
申请日：2013-12-12
申请人： 씨비라이트 인코퍼레이티드
发明人： 시에찬롱 , 풍팻 , 무솔프주에르겐 , 유강
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78696
摘要： 금속산화물 박막 트랜지스터는 금속산화물 반도체가 제1 에너지 레벨의 전도대를 갖고 있는 금속산화물 반도체 채널을 포함하고 있다. 상기 트랜지스터는 상기 금속산화물 반도체 채널의 적어도 일부를 덮는 패시베이션 재료의 층을 더 포함하고 있다. 상기 패시베이션 재료는 상기 제1 에너지 레벨 위로 0.5 eV 이하의 제2 에너지 레벨의 전도대를 갖고 있다.

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