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1. 发明公开

KR1020110016859A 산화 아연 단결정 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：氧化锌单晶及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110016859A
公开(公告)日：2011-02-18
申请号：KR1020107021643
申请日：2009-03-24
申请人： 가부시키가이샤 후쿠다켓쇼우기쥬츠겡큐쇼 , 도쿄 덴파 가부시키가이샤 , 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 미카와유타카 , 후쿠토미게이지 , 스즈키다카오 , 이토히로히사
IPC分类号： C30B29/16 , C30B7/10 , C01G9/02
CPC分类号： C30B29/16 , C30B7/10
摘要： 리튬 농도가 충분히 낮고, 높은 결정도를 가진 산화 아연 단결정을 간편한 방법으로 제조하는 것. 결정 성장 온도의 변동폭을 5 ℃ 이내로 억제하거나, 또는 300 ∼ 370 ℃ 의 범위 내의 온도에서, 리튬 농도가 1 ppm (중량 기준) 이하인 용액을 사용하여 수열 합성법에 의해 산화 아연 결정을 성장시킨다.

2. 发明授权

KR101842486B1 탄탈산 리튬 단결정의 육성 장치 및 육성 방법 有权
标题翻译：一种用于生长钽酸锂单晶的器件及其生长方法
公开(公告)号：KR101842486B1
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：KR1020167027016
申请日：2015-07-14
申请人： 가부시키가이샤 후쿠다켓쇼우기쥬츠겡큐쇼 , 주식회사 퓨엠
发明人： 후쿠다츠구오
IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/12 , C30B35/00 , C30B15/32
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/12 , C30B29/30
摘要： 저렴하고, 미세한기포, 서브그레인의발생이없고, 더수명이긴 단결정육성장치및 육성방법을제공하는것을목적으로한다. 도가니(4)의원료를저항가열히터(6)에의해가열하여용융된원료융액(5)에종결정(3)을접촉시킨후 종결정(3)을끌어올려단결정을육성시키는탄탈산리튬단결정의육성장치가있고, 도가니(4)는텅스텐, 몰리브덴또는탄탈로이루어진도가니본체(4a)의안쪽표면에로듐함량이 25-45 % (질량% 이하같다)의 Pt-Rh 합금으로이루어진피복층(4b)을가지고있다.
摘要翻译：本发明的一个目的是提供一种廉价的，没有细小气泡和亚晶粒并具有较长寿命的单晶生长装置和生长方法。钽酸锂单晶以诊所坩埚4充电达到确定的上拉电阻加热器接触加热后和熔融由6种（3）生长单晶熔化5 ejong晶体3 生长装置，以及坩埚4是坩埚主体（4a）中的纸币铑含量的侧表面上作出由钨，钼或钽的Pt-Rh合金的（等于或小于重量％）25-45％的涂层（4b）的 Lt。

3. 发明公开

KR1020060033004A 불화물 결정의 제조방법 无效
标题翻译：生产氟化物晶体的方法
公开(公告)号：KR1020060033004A
公开(公告)日：2006-04-18
申请号：KR1020067000407
申请日：2004-07-20
申请人： 스텔라 케미파 코포레이션 , 가부시키가이샤 후쿠다켓쇼우기쥬츠겡큐쇼
发明人： 사토나가도모히코 , 기쿠야마히로히사 , 후쿠다츠구오
IPC分类号： C30B29/12
CPC分类号： C30B29/12 , C30B15/08 , C30B15/10
摘要： A method for producing a crystal of a fluoride wherein a single crystal of a fluoride is produced by pulling down the single crystal from a crucible for holding a melt of a raw material for the crystal having a hole in the bottom portion thereof, characterized in that the plane at the exit portion of the above hole has a desired shape of a plane. A crystal of a fluoride having a shape according to the use of the fluoride can be grown by using carbon, platinum or iridium being a material capable of corresponding to a fluoride and designing the shape of a crucible taking the wettability of the fluoride with each of the materials into consideration. The above method can be employed for producing a crystal of a fluoride having an arbitrary shape.
摘要翻译：一种氟化物晶体的制造方法，其中，通过从用于保持其底部的具有孔的晶体的原料的熔融物的坩埚拉下单晶来制造氟化物的单晶，其特征在于，上述孔的出口部分的平面具有期望的平面形状。可以通过使用碳，铂或铱作为能够对应于氟化物的材料来生长具有根据氟化物使用形状的氟化物的晶体，并且设计将氟化物的润湿性设计成坩埚的形状，材料考虑。上述方法可以用于制造具有任意形状的氟化物的晶体。

4. 发明授权

KR101842487B1 도가니 및 단결정 육성 장치 및 단결정 육성 방법 有权
标题翻译：坩埚和单晶生长装置和单晶生长方法
公开(公告)号：KR101842487B1
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：KR1020160125231
申请日：2016-09-29
申请人： 가부시키가이샤 후쿠다켓쇼우기쥬츠겡큐쇼 , 주식회사 퓨엠
发明人： 후쿠다츠구오
IPC分类号： C30B15/12 , C30B15/16 , C30B29/22 , F27B14/06 , F27B14/10 , F27D1/00 , C23C4/08 , C23C14/16 , C23C16/06
摘要： 그라파이트로이루어진도가니의사용이가능하며, 조립배치가매우간단하고열효율이좋고, 왜곡이적은 8 인치이상의대구경단결정도육성할수 있는단결정육성장비및 육성방법을제공한다. 단결정육성장치및 육성방법에사용되는수명이긴 도가니를제공하는것을목적으로한다. 도가니내의원료융액(300)에종결정(210)을접촉시킨후 종결정(210)을끌어올려단결정(200)을육성시키는단결정육성장치에있어서, 상기도가니는, 텅스텐, 몰리브덴으로이루어진본체의내면이이리듐(Ir), 백금(Pt)으로이루어진층으로덮여져있는원료유지용도가니(18)과원료유지용도가니(18)의외측에간격을두고또는두지않고배치된가열용도가니(19)로이루어진단결정육성장치.
摘要翻译：可以使用由石墨制成的坩埚中，并且可以被装配布置是非常简单的和热效率，失真传递提供了一种单晶生长装置和方法，可以培养团结或大直径更8英寸的发展程度。本发明的目的是提供用于单晶生长装置和生长方法的具有长寿命的坩埚。它是在单晶生长装置，该装置是在与坩埚内的熔体300 ejong晶体210接触拉晶种210生长单晶（200），所述坩埚中，在主体的由钨制成的内表面，钼由铱（Ir）的，铂（Pt）覆盖有一层材料保持目的去18和原料保持目的去18.加热目的打算19布置而不留下或不意外侧它由距离单晶生长装置。

5. 发明公开

KR1020170141572A 도가니 및 단결정 육성 장치 및 단결정 육성 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170141572A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：KR1020160125231
申请日：2016-09-29
申请人： 가부시키가이샤 후쿠다켓쇼우기쥬츠겡큐쇼 , 주식회사 퓨엠
发明人： 후쿠다츠구오
IPC分类号： C30B15/12 , C30B15/16 , C30B29/22 , F27B14/06 , F27B14/10 , F27D1/00 , C23C4/08 , C23C14/16 , C23C16/06
CPC分类号： C30B15/12 , C23C4/08 , C23C14/16 , C23C16/06 , C30B15/16 , C30B15/32 , C30B29/22 , F27B14/061 , F27B14/10 , F27B2014/104 , F27D1/0006
摘要： 그라파이트로이루어진도가니의사용이가능하며, 조립배치가매우간단하고열효율이좋고, 왜곡이적은 8 인치이상의대구경단결정도육성할수 있는단결정육성장비및 육성방법을제공한다. 단결정육성장치및 육성방법에사용되는수명이긴 도가니를제공하는것을목적으로한다. 도가니내의원료융액(300)에종결정(210)을접촉시킨후 종결정(210)을끌어올려단결정(200)을육성시키는단결정육성장치에있어서, 상기도가니는, 텅스텐, 몰리브덴으로이루어진본체의내면이이리듐(Ir), 백금(Pt)으로이루어진층으로덮여져있는원료유지용도가니(18)과원료유지용도가니(18)의외측에간격을두고또는두지않고배치된가열용도가니(19)로이루어진단결정육성장치.

6. 发明公开

KR1020160128381A 탄탈산 리튬 단결정의 육성 장치 및 육성 방법 审中-实审
标题翻译：钛酸锂单晶生长装置和生长方法
公开(公告)号：KR1020160128381A
公开(公告)日：2016-11-07
申请号：KR1020167027016
申请日：2015-07-14
申请人： 가부시키가이샤 후쿠다켓쇼우기쥬츠겡큐쇼 , 주식회사 퓨엠
发明人： 후쿠다츠구오
IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/12 , C30B35/00 , C30B15/32
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/12 , C30B29/30
摘要： 저렴하고, 미세한기포, 서브그레인의발생이없고, 더수명이긴 단결정육성장치및 육성방법을제공하는것을목적으로한다. 도가니(4)의원료를저항가열히터(6)에의해가열하여용융된원료융액(5)에종결정(3)을접촉시킨후 종결정(3)을끌어올려단결정을육성시키는탄탈산리튬단결정의육성장치가있고, 도가니(4)는텅스텐, 몰리브덴또는탄탈로이루어진도가니본체(4a)의안쪽표면에로듐함량이 25-45 % (질량% 이하같다)의 Pt-Rh 합금으로이루어진피복층(4b)을가지고있다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种便宜且无微细气泡和亚晶粒发生并且具有更长使用寿命的单晶生长装置和方法。一种钽酸锂单晶生长装置，用于通过使用电阻加热器6加热坩埚4中的原料，使晶种3与熔融原料熔体5接触，然后取出晶种3并生长单晶，坩埚4具有包含在包含钨，钼或钼的坩埚主体4a的内表面上的铑含量为25-45％（质量％;下同）的Pt-Rh合金的涂层4b; 钽。

7. 发明公开

KR1020060015524A 불화물 결정의 제조 장치 无效
标题翻译：用于生产氟化物晶体的装置
公开(公告)号：KR1020060015524A
公开(公告)日：2006-02-17
申请号：KR1020057020051
申请日：2004-04-23
申请人： 스텔라 케미파 코포레이션 , 가부시키가이샤 후쿠다켓쇼우기쥬츠겡큐쇼
发明人： 후쿠다츠구오 , 기쿠야마히로히사 , 사토나가도모히코
IPC分类号： C30B29/12 , C30B15/08
CPC分类号： C30B15/08 , C01B9/08 , C30B29/12 , Y10T117/10
摘要： An apparatus for producing a fluoride crystal, which has a chamber, a window material and the like capable of dealing with the fluoride, is equipped with facilities necessary for high vacuum evacuation, and uses a crucible in which the capillary portion of the hole formed in the bottom thereof is so controlled for a seed crystal and a molten material to be easily contacted to each other; and a method for producing a fluoride crystal comprising using the apparatus. The apparatus allows the production of a single crystal of a fluoride having high quality in a extremely short time with stability.
摘要翻译：具有能够处理氟化物的室，窗材料等的氟化物晶体的制造装置具有高真空排气所需的设备，并且使用坩埚，其中形成有孔的毛细管部分其底部被如此控制以使晶种和熔融材料彼此容易接触; 以及使用该装置的氟化物晶体的制造方法。该装置允许在极短的时间内稳定地生产具有高质量的氟化物的单晶。

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