会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 2. 发明授权
    • 풍력발전용 링기어의 열처리장치
    • 风力发电齿轮热处理装置
    • KR101654105B1
    • 2016-09-05
    • KR1020160087363
    • 2016-07-11
    • (주) 휘강지에이치티
    • 박근성
    • C21D9/00C21D9/32F03D15/10
    • Y02E10/722C21D9/0062C21D9/32F03D15/10
    • 본발명은풍력발전용링기어의열처리장치에관한것으로서, 더욱상세하게는원판의상면에는받침부(110)를설치하고받침부(110)의상면에는외주면에기어치(141)가형성된링기어(140)가안착되며원판의저면의중심에서하방으로회전축(120)이돌출되어회전축(120)의단부가하부에설치된모터(130)에연결되어회전가능케되는회전테이블(100); 회전테이블(100)을떠받치고하부에장치된지지부(500)에가이드되어상하로승강하며외주면에는수직방향으로래크기어(410)를설치하고래크기어(410)는모터(430)에의해회전하는피니언기어(420)와치합되어승강가능케되는승강부(400); 링기어(140)의외측으로일정간격이격하여링기어(140)의둘레에일정간격으로설치되어가스의분출로화염이발생되어링기어(140)를가열하는화염발생부(200); 화염발생부(200)의아래쪽에설치하고승강부(400)에의해하부로이송된링기어(140)에냉각수를분사하여가열된링기어(140)를냉각시키는냉각수분사부(300); 를포함하여이루어지고, 상기회전테이블(100)은승강부(400)에의해화염발생부(200)와냉각수분사부(300) 사이를강제승강되어링기어(140)를열처리할수 있게구성됨으로써, 회전테이블에안착된링기어를승강부에의해간편하게상하로승강시키고화염발생부와냉각수분사부에의하여열처리함으로써링기어의열처리를효율적으로실행하여적은비용으로품질이높고처리시간을절감할수 있는효과가있다.
    • 本发明涉及一种用于风力发电的齿圈的热处理装置。 用于风力发电的齿圈的热处理装置包括:旋转台(100),其具有形成在所述支撑部(110)的顶表面上的支撑部(110)和齿圈(140),并且连接到 要旋转的马达(130); 由所述支撑部(500)引导以竖直提升的提升部(400),具有与所述齿条(410)接合的齿条(410)和小齿轮(420); 安装成从所述环形齿轮(140)向外分离预定距离以加热所述环形齿轮(140)的火焰产生部件(200); 以及安装在所述火焰产生部(200)下方的冷却水喷射部(300),将冷却水喷射到所述环形齿轮(140)。 因此,本发明简单地提升安装在旋转台上的环形齿轮,并且通过使用火焰产生部和冷却水喷射部来热处理环形齿轮来减少齿圈的热处理时间。
    • 3. 发明公开
    • 포커스 링 제조 방법
    • 制造聚焦环的方法
    • KR1020150123078A
    • 2015-11-03
    • KR1020140049510
    • 2014-04-24
    • (주) 휘강지에이치티
    • 박근성박경필
    • H01L21/3065
    • H01J37/32642
    • 포커스링 제조방법은그래파이트원판을준비하는단계와, 상기그래파이트원판의상하면및 측면을감싸도록 SiC층을형성하는단계와, 상기 SiC층이형성된그래파이트원판을수평방향으로절단하여상기그래파이트원판의일면이노출되는한 쌍의제1 적층구조물을획득하는단계와, 상기제1 적층구조물들에서상기그래파이트원판의측면이노출되도록상기 SiC층을원형으로상하로절단하여상기그래파이트원판과상기 SiC층이적층된한 쌍의제2 적층구조물을획득하는단계와, 상기제2 적층구조물들에서상기그래파이트원판을제거하여한 쌍의원판형 SiC층을획득하는단계및 상기원판형 SiC층각각을원형으로상하절단하여포커스링과더미웨이퍼를동시에획득하는단계를포함한다. 상기포커스링의재질을플라즈마의식각에잘 견디는 SiC 재질로형성할수 있으므로, 상기포커스링의수명을연장시킬수 있다.
    • 制造聚焦环的方法包括以下步骤:制备石墨盘; 形成SiC层以覆盖石墨盘的上,下和侧面; 在水平方向切割其上形成有SiC层的石墨盘,以获得暴露石墨盘的一个面的一对第一层叠结构; 圆形和垂直切割SiC层以暴露第一层压结构中的石墨盘的侧面,以获得其中层压有石墨盘和SiC层的一对第二层压结构; 去除第二层压结构中的石墨盘以获得一对盘型SiC层; 并且圆形和垂直地切割每个盘型SiC层以同时获取聚焦环和虚设晶片。 由于聚焦环的材料可以由耐久等离子体蚀刻的SiC材料形成,所以可延长聚焦环的寿命。