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    • 2. 发明公开
    • 빗물유입 방지 환기창
    • KR20180055686A
    • 2018-05-25
    • KR20170114050
    • 2017-09-06
    • (주)플러스미
    • CHA HEUI JANG
    • E06B7/082E06B7/10E06B7/26
    • 본발명은염색폐수처리방법에관한것으로서, 유입되는알칼리성염색폐수에소량의철염을투입하여펜톤환원상태로 1차로전처리한염색폐수를중화시킨후 폭기시켜미생물활성화로유기물을분해하는 2차생물학적처리방법으로제거하고, 다시염색폐수를강알칼리상태로만든후 철염을투입하여 3차펜톤환원처리방법으로난분해성오염물질을제거하고, 또다시염색폐수를강산성상태에서철염을투입하여생물학적처리방법과펜톤환원처리방법으로처리가어려운잔존난분해성오염물질을 4차펜톤산화처리방법으로최종제거한후 pH를 7.5로조정하여방류한다. 한편 2차펜톤환원처리시에난분해성오염물질이철염과반응하여침전되는철염환원침전물에황산을투입하여강산성상태로유지시키면침전물내의철성분이황산에녹아철염용액인상등수와슬러지로분리되며상등수인철염용액은철염투입이필요한각각의공정에재사용하고침전물은생물학적처리방법과펜톤산화처리방법으로처리할때 발생되는침전물과같이탈수시켜탈수케이크로배출하여처리하는것을특징으로한다.
    • 3. 发明授权
    • 플라즈마 발생장치
    • KR102248669B1
    • 2021-05-10
    • KR1020200157131
    • 2020-11-20
    • 차희장(주)플러스미
    • 차희장
    • H05H1/46
    • 본발명은플라즈마발생장치에관한것으로보다상세하게는, 비전도성의스페이서와; 상기스페이서의일측부에위치하는전도성의제1극판과; 상기스페이서의타측부에형성된전도성의제2극판과; 상기제1극판과상기제2극판에고압의전기를공급하는트랜스;를포함하되, 상기제1극판은, 상기스페이서보다작은면적의판형상으로상기스페이서의중앙부에위치하며판의일부가상하로천공되어있으며, 상기제2극판은, 일측말단부에형성된제1지지부와, 타측말단부에형성된제2지지부와, 중앙부에형성된접착부를갖되, 상기접착부와상기제1지지부사이에는 상기접착부에서하향절곡된제1절곡부가형성되며, 상기접착부와상기제2지지부사이에는상기접착부에서하향절곡된제2절곡부가형성되도록하므로써, 대향하는제1극판과제2극판의사이에위치하는스페이서의가장자리가공중에떠 있게하여, 습기나전도성용액이스페이서에침착되어도플라즈마가발생되도록하는효과가있는플라즈마발생장치에관한것이다.
    • 4. 发明公开
    • 플라즈마 발생장치
    • KR20200133322A
    • 2020-11-27
    • KR20200157131
    • 2020-11-20
    • 차희장(주)플러스미
    • CHA HEUI JANG
    • H05H1/46
    • 본발명은플라즈마발생장치에관한것으로보다상세하게는, 비전도성의스페이서와; 상기스페이서의일측부에위치하는전도성의제1극판과; 상기스페이서의타측부에형성된전도성의제2극판과; 상기제1극판과상기제2극판에고압의전기를공급하는트랜스;를포함하되, 상기제1극판은, 상기스페이서보다작은면적의판형상으로상기스페이서의중앙부에위치하며판의일부가상하로천공되어있으며, 상기제2극판은, 일측말단부에형성된제1지지부와, 타측말단부에형성된제2지지부와, 중앙부에형성된접착부를갖되, 상기접착부와상기제1지지부사이에는 상기접착부에서하향절곡된제1절곡부가형성되며, 상기접착부와상기제2지지부사이에는상기접착부에서하향절곡된제2절곡부가형성되도록하므로써, 대향하는제1극판과제2극판의사이에위치하는스페이서의가장자리가공중에떠 있게하여, 습기나전도성용액이스페이서에침착되어도플라즈마가발생되도록하는효과가있는플라즈마발생장치에관한것이다.