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81. 发明授权

KR102253547B1 무색 투명 반도체 기판 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102253547B1
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：KR1020190049829
申请日：2019-04-29
申请人： 울산과학기술원
发明人： 서관용 , 이강민
IPC分类号： H01L31/036 , H01L31/047 , H01L21/02
摘要： 제1면및 상기제1면의반대측의제2면을포함하는반도체기판; 상기반도체기판을관통하는관통홀을포함하고, 상기관통홀은상기제1면및 제2면에대하여경사진경사부를포함하는투명반도체기판및 이의제조방법이제공된다.

82. 发明授权

KR101966409B1 비원형 실리콘 잉곳 제조 시스템 및 비원형 실리콘 잉곳 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101966409B1
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：KR1020170022503
申请日：2017-02-20
申请人： 영남대학교 산학협력단
发明人： 정재학 , 조민제
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/036 , C30B15/00

83. 发明公开

KR1020180069233A 실리콘 양자점 정밀제어 및 활성화에 의한 광활성층 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR1020180069233A
公开(公告)日：2018-06-25
申请号：KR1020160171222
申请日：2016-12-15
申请人： 한국표준과학연구원
发明人： 김경중 , 곽계영 , 이성현 , 김안순
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/036 , H01L33/04 , H01L33/00
CPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/04 , Y02P70/521
摘要： 본발명은실리콘양자점광활성층및 이의제조방법에관한것으로, 상세하게, 본발명에따른실리콘양자점광활성층의제조방법은 a) 실리콘-풍부(silicon-rich)의인트린직실리콘화합물층을형성하는단계; b) 상기인트린직실리콘화합물층에펄스레이저를조사하여실리콘화합물인매질에실리콘양자점이형성된실리콘양자점층을형성하는단계; 및 c) 상기실리콘양자점층에도핑원소를주입하고, 활성화하여광활성층을제조하는단계;를포함한다.

84. 发明授权

KR101868163B1 ｐ 형 확산층 형성 조성물, ｐ 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101868163B1
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：KR1020127028224
申请日：2011-04-22
申请人： 히타치가세이가부시끼가이샤
发明人： 마치이요이치 , 요시다마사토 , 노지리다케시 , 오카니와카오루 , 이와무로미츠노리 , 아다치슈이치로 , 사토데츠야 , 기자와게이코
IPC分类号： C03C8/16 , C03C8/18 , H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/036
CPC分类号： H01L31/1864 , C03C8/16 , C03C8/18 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/022425 , H01L31/032 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본발명의 p 형확산층형성조성물은, 억셉터원소를함유하며라이프타임킬러원소의총량이 1000 ppm 이하인유리분말과, 분산매를함유한다. 이 p 형확산층형성조성물을도포하고열확산처리를실시함으로써, p 형확산층, 및 p 형확산층을갖는태양전지소자가제조된다.

85. 发明公开

KR20180037901A 투과도가 조절된 태양전지 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：具有可控透光率的太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR20180037901A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：KR20170126357
申请日：2017-09-28
申请人： 울산과학기술원
发明人： 서관용 , 엄한돈 , 이강민 , 김남우
IPC分类号： H01L31/036 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명의일 실시예는, 결정질실리콘반도체기판; 상기결정질실리콘반도체기판의제1 면상에위치하고, 상기결정질실리콘반도체기판과 P-N접합을이루는제1 층; 상기제1 층상에위치하고, 상기제1 층과접속된제1 전극부; 상기제1 면과반대면인상기결정질실리콘반도체기판의제2 면상에위치하는제2 층; 및상기제2 층상에위치하고, 상기제2 층과접속된제2 전극부;를포함하고, 상기결정질실리콘반도체기판은, 상기제1 면에서부터상기제2 면까지상기결정질실리콘반도체기판을관통하는복수의홀들을포함하고, 상기복수의홀들은상기제1 층, 상기제2 층, 및상기제2 전극부를관통하도록연장되어, 적어도가시광영역의모든광들을통과시키며, 상기제1 전극부는마이크로그리드패턴으로이루어지고, 상기마이크로그리드패턴은상기복수의홀들을복수의그룹으로구획하며, 상기복수의그룹에각각속하는상기복수의홀들은일정한패턴을형성하고서로일정간격이격된태양전지를개시한다.
摘要翻译：本发明的一个实施例是一种半导体器件，包括：晶体硅半导体衬底; 位于晶体硅半导体衬底的第一侧上并与晶体硅半导体衬底形成P-N结的第一层; 位于第一层上并连接到第一层的第一电极; 设置在晶体硅半导体衬底的与第一表面相对的第二表面上的第二层; 以及第二电极部分，位于所述第二层上并连接至所述第二层，其中所述晶体硅半导体基板具有多个贯穿所述晶体硅半导体基板的从所述第一表面至所述第二表面的通孔，其中所述多个孔延伸穿过所述第一层，所述第二层和所述第二电极部分以在至少可见光区域中通过所有光，并且所述第一电极部分包括微栅格图案微电网图案由，并且被限定的多个孔为多个组，每个公开了在图案形成并隔开预定间隔彼此属于该组的多个所述多个孔的一个太阳能电池。

86. 发明公开

KR20180001513A 결정질 실리콘 태양전지의 텍스쳐 구조의 제조방법 审中-公开
标题翻译：一种制造晶体硅太阳能电池的纹理结构的方法
公开(公告)号：KR20180001513A
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：KR20170081045
申请日：2017-06-27
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L21/306 , H01L31/036 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02363 , B08B3/08 , H01L31/0284 , H01L31/1804 , Y02E10/50
摘要： 본발명은결정질실리콘태양전지의텍스쳐구조의제조방법을개시하였으며다음과같은단계를포함한다: (1) 실리콘웨이퍼표면에다공성층구조를형성하는단계; (2) 다음알칼리성화학용액으로세척하는단계; (3) 세척액으로잔류한금속입자를제거하는단계; (4) 제1 화학에칭액으로표면에칭을진행하여결정질실리콘태양전지의텍스쳐구조를얻는단계를통해결정질실리콘태양전지의텍스쳐구조를얻는다. 본발명은불화수소산과질산의혼합용액의사용수명을연장시키고텍스쳐구조의안정성과균질성을확보하였다.
摘要翻译：一种晶体硅太阳能电池的纹理结构的制造方法，包括以下步骤：（1）在硅晶片的表面形成多孔层结构; （2）然后用第一碱性化学溶液清洁; （3）用清洁溶液除去残留的金属颗粒; （4），然后用第一种化学蚀刻液对表面进行刻蚀，得到晶体硅太阳能电池的纹理结构。该方法大大延长了氢氟酸和硝酸混合溶液的使用寿命，保证了纹理结构的稳定性和均匀性。

87. 发明公开

KR1020170128360A 실리콘 재료의 가공 방법 审中-实审
标题翻译：硅材料的加工方法
公开(公告)号：KR1020170128360A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020177026864
申请日：2016-03-11
申请人： 뉴사우스 이노베이션즈 피티와이 리미티드
发明人： 할람브렛제이슨 , 웬햄스튜어트로스 , 애벗말콤데이비드 , 해머필립조지
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/036
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본발명은도핑된실리콘에서결함의형성을가속화하는방법을제공한다. 도핑된실리콘영역은고강도전자기방사선으로노출되어상당한과잉다수캐리어를제공하고, 높은속도의결함형성을촉진하여효율적인실리콘패시베이션을허용하도록한다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于加速掺杂硅中缺陷形成的方法。掺杂硅区域暴露于高强度电磁辐射以提供显着的过量多数载流子并促进高速缺陷形成以允许有效的硅钝化。

88. 发明公开

KR1020170124041A 차음형 태양전지모듈 및 그 제조방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170124041A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：KR1020160053600
申请日：2016-04-29
申请人： 한국교통대학교산학협력단 , (주)동영이엔지
发明人： 정유근 , 조정제 , 김병준 , 김규진 , 문민호 , 임현석
IPC分类号： H01L31/042 , H02S30/10 , H01L31/048 , H01L31/049 , H01L31/036
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/042 , H01L31/036 , H01L31/048 , H01L31/049 , H02S30/10
摘要： 본발명에따른차음형태양전지모듈은결정질태양전지모듈및 차음패널이적용가능한이중구조의알루미늄프레임을포함하고, 태양전지모듈적층구조의최하단에단층또는복층판의폴리카보네이트를적용하여차음효과를향상시킬수 있다.

89. 发明公开

KR1020170073902A 미세 결정 실리콘 산화물을 이용한 이종접합 태양전지 审中-实审
标题翻译：采用微晶氧化硅的异质结太阳能电池
公开(公告)号：KR1020170073902A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150182659
申请日：2015-12-21
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 이준신 , 이영석 , 김상호 , 오동현 , 김현성
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/0216 , H01L31/036 , H01L31/0236 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 미세결정실리콘산화물을이용한이종접합태양전지가개시된다. 미세결정실리콘산화물을이용한이종접합태양전지는하부전극; 하부전극상에배치되고미세결정실리콘산화물로이루어진하부도핑층; 상기하부도핑층상에배치된광전변환부; 상기광전변환부상에배치된상부도핑층; 상기상부도핑층상에배치된투명전도막을포함한다.
摘要翻译：公开了一种使用微晶氧化硅的异质结太阳能电池。使用微晶氧化硅的异质结太阳能电池具有下电极; 设置在下电极上并由微晶氧化硅制成的下掺杂层; 设置在下掺杂层上的光电转换单元; 设置在光电转换部分上的上掺杂层; 以及设置在上掺杂层上的透明导电膜。

90. 发明授权

KR101746336B1 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 크기 조절방법 및 이를 이용한 광전자 소자 有权
标题翻译：控制金属卤化物玻璃纳米晶粒大小的方法和光学电子器件
公开(公告)号：KR101746336B1
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020160037534
申请日：2016-03-29
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이태우 , 김영훈
IPC分类号： C09K11/00 , H01L31/036 , H01L51/50 , B82Y20/00 , C09K11/06 , C09K11/08
CPC分类号： C09K11/00 , B82Y20/00 , C09K11/06 , C09K11/08 , H01L31/036 , H01L51/502
摘要： 금속할라이드페로브스카이트나노결정입자크기조절방법및 이를이용한광전자소자를제공한다. 금속할라이드페로브스카이트나노결정입자크기조절방법은제1유기용매에금속할라이드페로브스카이트가녹아있는제1 용액및 제2유기용매에계면활성제가녹아있는제2 용액을준비하는단계및 상기제1 용액을상기제2 용액에섞어금속할라이드페로브스카이트나노결정입자를형성하는단계를포함하고, 상기계면활성제는아민리간드및 카르복실산을포함하고, 상기아민리간드의종류에따라상기형성되는페로브스카이트나노결정입자의크기를조절하는것을특징으로한다. 따라서, 나노결정입자의크기에따라밴드갭과엑시톤바인딩에너지를조절할수 있다.
摘要翻译：提供金属卤化物钙钛矿纳米晶体粒度控制方法和使用其的光电子器件。金属卤化物钙钛矿纳米晶粒尺寸控制方法，包括制备其中的表面活性剂溶于第一溶液和在第一有机溶剂中金属卤化物的钙钛矿第二有机溶剂的第二溶液的步骤中熔化，并且混合金属卤化物的钙钛矿形成纳米晶粒的第二溶液，其中所述表面活性剂是按照胺配体的种类形成第一溶液，和包括胺的配体，和羧酸并且钙钛矿纳米晶颗粒的尺寸受到控制。因此，可以根据纳米晶颗粒的尺寸来控制带隙和激子结合能。

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