专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

81. 发明公开

KR1020110021961A 육방정 우르차이트 단결정 有权
标题翻译：六角形WURTZITE单晶
公开(公告)号：KR1020110021961A
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020107029194
申请日：2009-05-28
申请人： 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 사이토마코토 , 덴바스스티븐피. , 스펙제임스에스. , 나카무라슈지
IPC分类号： C30B29/16 , C30B7/00
CPC分类号： C30B7/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/16 , C30B7/00 , H01L33/0025
摘要： 용매-열 방법 (solvo-thermal method)을 사용하여 고품질 벌크 육방정 단결정 (bulk hexagonal single crystal)을 성장시키는 기술, 및 동시에 고품질 및 빠른 속도를 달성하는 기술이 개시된다. 결정 품질은 성장 평면에 강하게 의존하는데, 여기서 비극성 또는 반극성 시드 표면 (seed surface)은 c-평면 시드 표면과 비교하여 더 고품질의 결정을 가져온다. 또한, 성장 속도는 성장 평면에 강하게 의존하는데, 여기서 반극성 시드 표면은 더 빠른 성장 속도를 가져온다. 적절한 성장 평면을 선택함으로써 동시에 고품질 결정 (high crystal quality) 및 빠른 성장 속도가 달성될 수 있다. 비극성 또는 반극성 시드 표면 RMS 거칠기가 100 nm 보다 작은 경우 고품질 결정이 달성가능하며; 반면, 원자적으로 매끈한 표면으로부터 성장되더라도, Ga-면 또는 N-면으로부터 성장한 결정은 불량한 결정 품질의 결과가 된다.

82. 发明授权

KR100960834B1 육방정계 우르차이트형 단결정, 그 제조 방법, 및 육방정계우르차이트형 단결정 기판 失效
标题翻译：六角形WURTZITE型单晶，其制造方法和六角形WURTZITE型单晶基板
公开(公告)号：KR100960834B1
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020077007445
申请日：2005-09-21
申请人： 도쿄 덴파 가부시키가이샤 , 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 요시오카겐지 , 요네야마히로시 , 마에다가츠미 , 니이쿠라이쿠오 , 사토미츠루 , 이토마스미 , 오리토후미오
IPC分类号： C30B29/16
CPC分类号： C30B29/16 , C30B7/10
摘要： 각종 디바이스용 기판으로서 유용한 고순도이고 균일한 육방정계 우르차이트형 단결정을 제공한다.
주상의 종결정으로부터 적어도 m 면에 대해서 결정 성장시킴으로써 얻어진 AX (A 는 양성 원소, X 는 음성 원소) 로 표시되는 육방정계의 우르차이트형 화합물 단결정으로서, 양성 원소 A 이외이고 또한 농도가 0.1 ∼ 50ppm 인 금속의 농도의 편차가 100％ 이내인 것을 특징으로 한다.

83. 发明公开

KR1020070120117A 산화마그네슘 단결정 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：氧化镁单晶及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070120117A
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：KR1020077022349
申请日：2006-03-24
申请人： 다테호 가가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 토우츠카아츠오 , 가와구치요시후미 , 쿠니시게마사아키
IPC分类号： C30B29/16 , C23C14/08 , C01F5/02
CPC分类号： C30B29/16 , C23C14/081 , C30B11/003 , C30B23/066
摘要： Disclosed are an MgO single crystal which enables to obtain a magnesium oxide (MgO) single crystal vapor-deposited material which is prevented from occurrence of splashing without decreasing the film-forming rate during vapor deposition by a electron beam deposition method or the like; and an MgO single crystal which enables to obtain an MgO single crystal substrate capable of forming, for example, a superconducting thin film having excellent superconducting characteristics. Specifically disclosed is an MgO single crystal having a calcium content of from 150 x 10^-6 to 1000 x 10^-6 kg/kg and a silicon content of 10 x 10^-6 kg/kg or less, wherein the variation of the detected amount of calcium fragment ions is 30 % or less in terms of the CV value when a polished surface of the MgO single crystal is analyzed by the TOF-SIMS. Also specifically disclosed are an MgO single crystal vapor-deposited material and an MgO single crystal substrate for forming a thin film which are obtained from such an MgO single crystal.
摘要翻译：公开了一种MgO单晶，其能够获得通过电子束沉积方法等在气相沉积期间不降低成膜速率而获得不发生飞溅的氧化镁（MgO）单晶气相沉积材料; 以及能够获得能够形成例如具有优异的超导特性的超导薄膜的MgO单晶衬底的MgO单晶。具体公开了钙含量为150×10 -6〜1000×10 -6 kg / kg，硅含量为10×10 -6〜6kg / kg以下的MgO单晶，其中，当通过TOF-SIMS分析MgO单晶的抛光表面时，通过CV值测定的钙碎片离子的检测量为30％以下。还具体公开了一种MgO单晶气相沉积材料和用于形成由这种MgO单晶获得的薄膜的MgO单晶衬底。

84. 发明授权

KR100787272B1 Ｇａ2Ｏ3계 발광 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： GA2O3发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100787272B1
公开(公告)日：2007-12-20
申请号：KR1020057015608
申请日：2004-02-16
申请人： 각코호진 와세다다이가쿠
发明人： 이찌노세노보루 , 시마무라기요시 , 아오끼가즈오 , 가르시아비죠라엔카르나시온안토니아
IPC分类号： C30B29/16 , C30B13/34
CPC分类号： C30B29/16 , C30B23/02 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L33/005 , H01L33/26
摘要： 특히 크래킹이나 쌍정화 경향을 감소시키고, 결정성을 향상시킨 β-Ga
2 O
3 계 단결정 성장 방법, 고품질의 박막 단결정을 형성할 수 있는 박막 단결정의 성장 방법, 적외 영역에서 발광하는 Ga
2 O
3 계 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 적외선 가열 단결정 제조 장치에 의해, 종결정과 다결정 소재를 서로 반대 방향으로 회전시키면서 가열하고, a축 방위, b축 방위 및 c축 방위 중에서 선택하는 하나의 방위에 β-Ga
2 O
3 단결정을 성장시킨다. β-Ga
2 O
3 단결정으로 이루어지는 박막의 성막은 PLD법에 의해 성막한다. 즉, 레이저광을 타겟에 조사하여 타겟을 구성하는 원자를 여기하고, 열적ㆍ광화학적 작용에 의해 타겟으로부터 Ga 원자를 유리시키고, 유리된 Ga 원자를 챔버 중의 분위기의 래디컬과 결합시키고, β-Ga
2 O
3 단결정으로 이루어지는 박막을 β-Ga
2 O
3 단결정으로 이루어지는 기판 상에 성장시킨다. 발광 소자는 β-Ga
2 O
3 단결정에 n형 불순물을 첨가하여 얻게 된 n형 기판과, 이 n형 기판의 상면에 β-Ga
2 O
3 단결정에 p형 불순물을 첨가하여 얻게 된 p형층을 접합하는 것으로 하였으므로, 그 접합부 부근에서 발광한다.
β-Ga2O3 단결정, 래디컬, 불순물, 크래킹, 챔버

85. 发明公开

KR20070099769A SYNTHESIS OF TOURMALINE RED COLORED CUBIC ZIRCONIA SINGLE CRYSTALS 无效
标题翻译：旅游红色彩色CUBIC ZIRCONIA单晶的合成
公开(公告)号：KR20070099769A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：KR20060030949
申请日：2006-04-05
申请人： KOREA INST SCI & TECH
发明人： JOO GI TAE , KANG BONG HOON
IPC分类号： C30B29/00 , C30B29/16
摘要： A manufacturing method of a tourmaline red colored cubic zirconia single crystal is provided to enable mass production and improve quality by adding MnO2 to the material of the crystal as a color developer and performing a heat-treatment in a neutral or reduction atmosphere. A manufacturing method of a tourmaline red colored cubic zirconia single crystal includes the steps of: mixing an oxide material; charging a skull melting apparatus with a compound obtained from the prior step, and growing a zirconia single crystal with a skull melting method; and performing the heat-treatment of the single crystal at the temperature of 950 - 1500 degrees centigrade in a furnace of a neutral or reduction atmosphere. The oxide material includes ZrO2 of 50 - 90 weight%, Y2O3 of 10 - 50 weight%, CeO2, Er2O3, a color former of 0.02 - 9 weight%, and MnO2 of 0.01 - 4 weight% as a color developer. The color developer is added less than half of the color former.
摘要翻译：提供了一种电气石红色立方氧化锆单晶的制造方法，可通过向作为显色剂的晶体材料中添加MnO 2并在中性或还原气氛中进行热处理，从而大量生产并提高质量。电气石红色立方氧化锆单晶的制造方法包括以下步骤：将氧化物材料混合; 用前述步骤获得的化合物装入颅骨熔化装置，并用头骨熔化法生长氧化锆单晶; 在中性或还原气氛的炉中，在950〜1500℃的温度下进行单晶的热处理。氧化物材料包括50-90重量％的ZrO 2，10-50重量％的Y 2 O 3，CeO 2，Er 2 O 3，0.02-9重量％的成色剂，和作为显色剂的MnO 2为0.01-4重量％。彩色显影剂的添加量少于成色剂的一半。

86. 发明公开

KR1020070099591A 기능 소자 및 산화물 재료 형성 방법 有权
标题翻译：功能装置和形成氧化物材料的方法
公开(公告)号：KR1020070099591A
公开(公告)日：2007-10-09
申请号：KR1020077015536
申请日：2006-01-06
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤 , 카나가와 아카데미 오브 사이언스 앤드 테크놀로지
发明人： 히또스기다로오 , 후루바야시유따까 , 하세가와데쯔야 , 히로세야스시 , 가사이쥰뻬이 , 모리야마미끼
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/28 , C30B29/16
CPC分类号： C23C14/08 , C23C30/00 , G02F1/09 , H01L21/28264 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L33/42
摘要： There have been demands on transparent electrode materials and magnetic materials having a wide range of applications. Disclosed are a novel functional device and a method for forming an oxide material for meeting such demands. Specifically disclosed is a functional device comprising an AlxGayInzN base (wherein 0
摘要翻译：对具有广泛应用的透明电极材料和磁性材料有要求。公开了一种用于形成满足这种要求的氧化物材料的新型功能元件和方法。具体公开的是包括Al x Ga y In z N基（其中0≤x≤1,0<= y <= 1,0

87. 发明公开

KR1020070067088A 실리카 다공체 결정의 제조방법 有权
标题翻译：二氧化硅多孔晶体的制备方法
公开(公告)号：KR1020070067088A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：KR1020077005776
申请日：2005-09-12
申请人： 시마네켄
发明人： 노다슈지 , 시오무라다카노부 , 타지마마사히로 , 이마와카나오토 , 오카모토야스아키 , 구보타다케시
IPC分类号： C30B29/06 , C30B29/16
CPC分类号： C01B37/02 , C30B7/00 , C30B7/10 , C30B29/16
摘要： A method for preparing a silica porous crystal, characterized in that it is a method for synthesizing a silica porous crystal through a hydrothermal reaction, which comprises forming a region having a high concentration of silicon in a part of a hydrothermal reaction vessel, and carrying out the hydrothermal reaction while allowing a bulk article comprising a compound containing silicon and oxygen and having been subjected to a surface-smoothing treatment, as a supply source of a part or all of the elements constituting the skeleton of the silica porous crystal, to be so present as for at least a part thereof to be within the above region having a high concentration of silicon. The above method allows the synthesis of a silica porous crystal having a size of 0.5 mm or more with good reproducibility and good efficiency.
摘要翻译：一种制备二氧化硅多孔晶体的方法，其特征在于它是通过水热反应合成二氧化硅多孔结晶的方法，其包括在水热反应容器的一部分中形成具有高浓度硅的区域，并进行水热反应同时允许包含含有硅和氧的化合物并经过表面平滑处理的散装物品作为构成二氧化硅多孔晶体的骨架的部分或全部元素的供应源为如此存在至少其一部分在具有高浓度硅的上述区域内。上述方法允许以良好的再现性和良好的效率合成尺寸为0.5mm以上的二氧化硅多孔结晶体。

88. 发明公开

KR1020060007366A Ｇａ2Ｏ3계 발광 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： β-GA2O3单晶生长方法，薄膜单晶生长方法，GA2O3发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060007366A
公开(公告)日：2006-01-24
申请号：KR1020057015608
申请日：2004-02-16
申请人： 각코호진 와세다다이가쿠
发明人： 이찌노세노보루 , 시마무라기요시 , 아오끼가즈오 , 가르시아비죠라엔카르나시온안토니아
IPC分类号： C30B29/16 , C30B13/34
CPC分类号： C30B29/16 , C30B23/02 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L33/005 , H01L33/26
摘要： A method for growing a beta-Ga 2O3 single crystal hardly cracking and having a weakened twinning tendency and an improved crystallinity, a method for growing a thin-film single crystal with high quality, a Ga2O3 light-emitting device capable of emitting light in the ultraviolet region, and its manufacturing method are disclosed. In an infrared-heating single crystal manufacturing system, a seed crystal and a polycrystalline material are rotated in mutually opposite directions and heated, and a beta-Ga2O3 single crystal is grown in one direction selected from among the a-axis direction, the b-axis direction, and c-axis direction. A thin film of a beta-Ga2O3 single crystal is formed by PLD. A laser beam is applied to a target to excite atoms constituting the target. Ga atoms are released from the target by a thermal and photochemical action. The free Ga atoms are bonded to radicals in the atmosphere in the chamber. Thus, a thin-film of a beta-Ga2O3 single crystal is grown on a substrate of a beta-Ga2O3 single crystal. A light-emitting device comprises an n-type substrate produced by doping a beta-Ga 2O3 single crystal with an n-type dopant and a p-type layer produced by doping the beta-Ga2O3 single crystal with a p-type dopant and junctioned to the top of the n-type substrate. The light- emitting device emits light from the junction portion.
摘要翻译：用于生长β-Ga 2 O 3单晶的方法几乎不开裂并且具有弱的孪晶倾向和改善的结晶度，用于生长具有高品质的薄膜单晶的方法，能够在紫外线区域及其制造方法。在红外加热单晶体制造系统中，晶种和多晶材料沿相反的方向旋转并加热，并且在从a轴方向，b轴方向上选择的一个方向上生长β-Ga 2 O 3单晶，轴方向和c轴方向。由PLD形成β-Ga2O3单晶的薄膜。将激光束施加到靶上以激发构成靶的原子。 Ga原子通过热和光化学作用从靶释放出来。游离的Ga原子与腔中的大气中的自由基结合。因此，在β-Ga 2 O 3单晶的衬底上生长β-Ga 2 O 3单晶的薄膜。发光器件包括通过掺杂具有n型掺杂剂的β-Ga 2 O 3单晶和通过用p型掺杂剂掺杂β-Ga 2 O 3单晶产生的p型层而制备的n型衬底，并且结合到n型衬底的顶部。发光装置从接合部发射光。

89. 发明授权

KR100538360B1 흑색 큐빅상 지르코니아 단결정의 제조방법 失效
标题翻译：黑色立方氧化锆单晶的制造方法
公开(公告)号：KR100538360B1
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：KR1020030056998
申请日：2003-08-18
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 주기태 , 이재선
IPC分类号： C30B29/16
摘要： 본 발명은 흑색 큐빅상 지르코니아 단결정의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 상 안정화제로 산화칼슘(CaO) 또는 산화이트륨(Y
2 O
3 )
등이 첨가된 무색 또는 유색의 큐빅상 지르코니아 단결정을 탄소 환원분위기에서 진공 고온로에서 열처리하여 인조 보석으로서의 흑색 큐빅상 지르코니아 단결정을 제조하는 방법에 관한 것이다.

90. 发明授权

KR100494376B1 저저항 피형 단결정 산화아연 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100494376B1
公开(公告)日：2005-06-10
申请号：KR1020027001710
申请日：2000-07-04
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 야마모또테츠야 , 요시다히로시 , 야오타까후미
IPC分类号： C30B29/16
CPC分类号： C30B23/02 , C30B29/16
摘要： 저저항 p 형 단결정 산화아연을 얻는다. 산화아연의 단결정을 박막형성법으로 형성할 때에, n 형 도펀트 및 p 형 도펀트를, p 형 도펀트 농도가 n 형 도번트 농도보다 커지도록 도핑한다. 게다가, II 족 원소를 동시도핑하는 것에 의해 산소의 안정화를 할수 있다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式