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热词
    • 72. 发明公开
    • 적외선 센서
    • 红外传感器
    • KR1020120089595A
    • 2012-08-13
    • KR1020120010640
    • 2012-02-02
    • 탈레스 홀딩스 유케이 피엘씨
    • 팔리스터,스티븐
    • G01J5/16G01J5/02
    • G01J5/041F28D15/0266F28D15/0275G01J5/061G01J5/0806
    • PURPOSE: An infrared sensor is provided to enable to transmit a large amount of heat with a little loss because heat transmission is facilitated. CONSTITUTION: An infrared sensor(1) comprises an infrared lens, an infrared probe, a processing and control circuit, a heat radiation device, a first heat pipe, and a second heat pipe. The processing and control circuit is connected to the infrared probe. The processing and control circuit is arrayed to provide output image signals. The heat radiation device disperses exceeded heat from the infrared sensor. The first heat pipe thermally connects the heat radiation device to the processing and control circuit. The second heat pipe thermally connects the infrared lens to the processing and control circuit.
    • 目的:提供红外传感器,以便能够传输大量的热量,因为有助于传热。 构成:红外线传感器(1)包括红外线透镜,红外探测器,处理和控制电路,散热装置,第一热管和第二热管。 处理和控制电路连接到红外探头。 排列处理和控制电路以提供输出图像信号。 散热装置散发来自红外传感器的热量。 第一热管将热辐射装置热连接到处理和控制电路。 第二热管将红外透镜热连接到处理和控制电路。
    • 77. 发明公开
    • 웨이퍼 온도를 결정하는 방법
    • 测定温度的方法
    • KR1020090035550A
    • 2009-04-09
    • KR1020097001737
    • 2007-06-29
    • 맷슨 테크놀로지, 인크.
    • 티맨스,폴자니스
    • G01K19/00G01K11/20
    • G01K15/00G01J5/0007G01J5/0806G01J5/0831G01J5/0846G01K11/125
    • Methods and apparatus for wafer temperature measurement and calibration of temperature measurement devices may be based on determining the absorption of a layer in a semiconductor wafer. The absorption may be determined by directing light towards the wafer and measuring light reflected from the wafer from below the surface upon which the incident light impinges. Calibration wafers and measurement systems may be arranged and configured so that light reflected at predetermined angles to the wafer surface is measured and other light is not. Measurements may also be based on evaluating the degree of contrast in an image of a pattern in or on the wafer. Other measurements may utilize a determination of an optical path length within the wafer alongside a temperature determination based on reflected or transmitted light.
    • 用于晶片温度测量和温度测量装置的校准的方法和装置可以基于确定半导体晶片中的层的吸收。 可以通过将光引向晶片并且从入射光入射的表面下方测量从晶片反射的光来确定吸收。 校准晶片和测量系统可以被布置和配置,以便测量以预定角度反射到晶片表面的光,而不是其他光。 测量也可以基于评估晶片中或晶片上的图案的图像中的对比度。 其他测量可以利用基于反射或透射光的温度确定旁边的晶片内的光程长度的确定。
    • 79. 发明授权
    • 돔형 열선감지기
    • DOME型红外雷达传感器
    • KR100749725B1
    • 2007-08-17
    • KR1020060122391
    • 2006-12-05
    • 주식회사 세명전자
    • 이화숙
    • G01J1/02G01J5/02
    • G01J5/08G01J1/0271G01J1/04G01J1/0403G01J1/0411G01J5/0025G01J5/0205G01J5/04G01J5/047G01J5/0806G01J5/084G01J5/0843G08B13/191
    • 본 발명은 돔형 열선감지기에 관한 것으로, 특히 심플하면서도 조립이 용이할 뿐만 아니라, 천정에 고정된 베이스부재에 장착되어 수직방향으로 렌즈가 각도조절되는 렌즈유닛을 갖춘 렌즈조립체가 베이스부재의 중심에서 좌우로 360도 회전하도록 장착되어, 돔형 열선감지기를 벽체에 조립한 상태에서 렌즈의 좌우방향을 정확히 조정하기가 용이하여 설치가 편리하도록 된 돔형 열선감지기에 관한 것이다.
      본 발명의 돔형 열선감지기는, 천정에 고정하기 위한 고정홀(1120)이 형성된 베이스부재(1100)와, 상기 베이스부재에 착탈가능하게 결합되어 베이스부재에 조립설치된 렌즈조립체를 보호하도록 된 돔형커버부재(1400)를 포함하되, 상기 렌즈조립체는(1200)는 수직방향의 감지각도를 조절할 수 있도록 된 렌즈유닛(1220)과, 이 렌즈유닛이 수직하게 회전가능하게 조립되는 렌즈유닛수용부재(1210) 및, 이 렌즈유닛수용부재(1210)의 하부에 안착되어 전원과 마이콤 및 구동회로등을 갖춘 메인인쇄회로기판(1230)을 갖추되, 상기 베이스부재(1100)는 상기 고정홀(1120)이 형성될 수 있도록 중앙에 일정한 직경의 관통구멍(1130)이 형성되고, 상기 베이스부재(1100)의 돔형커버부재(1400)가 설치되는 반대쪽 방향에서 상기 관통구멍(1130)으로 일정길이 끼워져 상기 렌즈조립체(1200)의 렌즈유닛수용부재(1210)와 인쇄회로기판(1230)이 일체로 동기회전하도록 결합된 회전지지판(1300)를 더 포함하며, 상기 회전지지판(1300)은 전선 또는 신호공급선이 공급되도록 형성된 전원공급부(1310)와, 이 전원공급부의 주변이면서 상기 관통구멍(1130)에 끼워져 상기 베이스부재(1100)의 축방향으로 이동하지 못하도록 결합되는 렌즈유닛수용부재결합부(1320)가 구비된 것을 특징으로 한다.
      열선감지기, 베이스부재, 위치조절부, 렌즈유닛수용부재, 회전지지판