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71. 发明公开

KR1020100018301A 고속 테라헤르츠파 측정 시스템 및 방법 失效
标题翻译： TERAHERTZ波高速度测量系统及方法
公开(公告)号：KR1020100018301A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：KR1020080077011
申请日：2008-08-06
申请人： 한국전기연구원
发明人： 진윤식 , 김근주 , 전석기 , 김정일 , 손채화
IPC分类号： G01R31/00 , G01J3/00
CPC分类号： G01R31/282 , G01J3/28 , G01N21/3586 , G01N29/04
摘要： PURPOSE: A system and a method of high speed measurement of terahertz wave are provided to obtain a spectrum image of each material by analyzing material required for terahertz wave. CONSTITUTION: An optical delay unit(230) comprises a rotary type reflector having a plurality of wings. The laser beam which is divided at a bema splitter into two paths by using optical delay unit has time difference. The laser beams having time difference is respectively is projected to a terahertz wave generator(200) and a terahertz wave detection unit. The voltage signal is sampled and data of the terahertz wave pulse to the sample is collected. The voltage signal corresponds to the current signal generated in the terahertz wave detection unit. The sample is interposed between the terahertz wave generator and the terahertz wave detection unit.
摘要翻译：目的：提供一种太赫兹波高速测量系统和方法，通过分析太赫兹波所需的材料，获得每种材料的光谱图像。构成：光学延迟单元（230）包括具有多个翼的旋转型反射器。通过使用光学延迟单元被分割成两个路径的激光束具有时间差。具有时间差的激光束分别投射到太赫兹波发生器（200）和太赫兹波检测单元。对电压信号进行采样，并收集到样品的太赫兹波脉冲的数据。电压信号对应于在太赫兹波检测单元中产生的电流信号。样本介于太赫兹波发生器和太赫兹波检测单元之间。

72. 发明授权

KR100866980B1 평판형 냉음극 전자총 失效
标题翻译：平型冷阴极电子枪
公开(公告)号：KR100866980B1
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：KR1020060113073
申请日：2006-11-16
申请人： 한국전기연구원
发明人： 전석기 , 진윤식 , 김정일
IPC分类号： H01J29/02 , H01J29/58 , H01J29/51
摘要： 본 발명은 냉음극 전자총 및 이를 통한 전자빔 집속 방법에 관한 것으로, 전자를 방출하는 냉음극(cold cathode)에 의한 전자원(electron source); 상기 전자원에서 방출된 전자빔을 집속 및 가속시키는 그리드; 상기 전자빔을 감속하는 평판형 제1 개구부; 및 상기 제1 개구부를 통과하는 전자빔을 가속하는 평판형 제2 개구부를 포함하며, 여기서 상기 전자빔의 감속 및 가속은 직류전원을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 따른 냉음극 전자총과 전자빔 집속방법을 제공하게 되면, 전자빔의 속도퍼짐과 같은 물리적 특성을 조절한 최적화 된 설계가 용이하여 초소형 전자총으로 구현하기가 용이하다.
또한, 집속렌즈를 통과한 전자빔의 에너지를 집속되기 전과 같거나 더 작게 하는 것이 가능하므로 낮은 전압의 전자빔이 필요한 초소형 진공전자소자 등에 사용하면 회로 파괴 등의 문제가 적어질 뿐만 아니라, 적절한 구조 설계를 통해 전원장치를 여러 전극에 극성만 바꾸어 사용할 수 있으므로 전원장치가 간단해 진다.
냉음극, FEAs, 전자빔 집속, 그리드, 개구부, 초소형 진공 전자소자

73. 发明授权

KR100844585B1 회전형 광지연기 失效
标题翻译：旋转光学延迟线
公开(公告)号：KR100844585B1
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：KR1020060108131
申请日：2006-11-03
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김근주 , 진윤식 , 전석기 , 김정일
IPC分类号： G02B27/00 , G02B5/12
CPC分类号： G02B17/023 , G02B26/06
摘要： 본 발명은 회전형 광지연기에 관한 것으로, 회전축을 중심으로 회전하는 회전체로서, 몸체 및 날개를 포함하며, 상기 회전 날개는 반사면에 의해 광을 수직반사 시키는 역 반사 곡면을 형성하고, 상기 역 반사 곡면은 상기 회전체가 일정한 회전 속도로 회전하는 동안 광을 역 반사시키는 지점이 일정한 속도로 광로 상에서 이동하도록 하는 구조로 이루어진 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 따른 회전형 광 지연 장치를 제공하게 되면, 시간지연의 반복률(repetition rate)을 크게 높일 수 있고, 회전체의 모든 회전각도에 대해서 시간 지연값이 선형적으로 변화하고 최대 시간 지연값에 대한 제한이 없으므로 긴 시간 지연값을 만들어 낼 수 있다.
또한, 간단한 평판형 구조이므로 가공이 간단하고 회전축이 평판형 구조체의 무게중심을 지나도록 설계하기가 용이하여 고속회전 상황에서도 재연성 높은 안정된 운동이 가능하도록 한다.
광 지연기, 광로차, 반복률, 역 반사, 각 속도, 빔 분리기

74. 发明公开

KR1020080040324A 회전형 광지연기 失效
标题翻译：旋转光学延迟线
公开(公告)号：KR1020080040324A
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：KR1020060108131
申请日：2006-11-03
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김근주 , 진윤식 , 전석기 , 김정일
IPC分类号： G02B27/00 , G02B5/12
CPC分类号： G02B17/023 , G02B26/06
摘要： A rotary type optical delay line is provided to make a long time delay value by linearly changing the time delay value for all rotational angles of a rotating body and removing limitation for the maximum time delay value. A rotary type optical delay line is composed of a body(20) and a wing(10) functioning as a rotating body turning around a rotary shaft. The wing forms a retro-reflective curve for vertically reflecting the light on an orthogonal line separated from the center axis at a predetermined gap, by a reflecting surface of a rotary wing. The retro-reflective curve retro-reflects the light at the same separated distance from the center axis during the predetermined rotating time of the rotating body.
摘要翻译：提供旋转型光学延迟线，通过线性地改变旋转体的所有旋转角度的时间延迟值和消除最大时间延迟值的限制来产生长时间延迟值。旋转型光学延迟线由作为绕旋转轴转动的旋转体的主体（20）和翼（10）构成。机翼通过旋转翼的反射表面形成用于将光线垂直反射在以中心轴线隔开预定间隙的正交线上的后向反射曲线。在旋转体的预定旋转时间期间，回射反射曲线使来自中心轴的距离相同的光反射。

75. 发明公开

KR1020150058843A 반도체 공정 기술 기반 미세패턴 ４극 전극 구조체 无效
标题翻译：基于半导体制造技术的四电极结构
公开(公告)号：KR1020150058843A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020130142108
申请日：2013-11-21
申请人： 한국전기연구원
发明人： 전석기 , 김근주 , 김재홍 , 김정일 , 신기영 , 신동원 , 진승오
IPC分类号： H01J1/30
摘要： 본발명은진공전자소자에적용을위한전계인가형미세패턴 4극전극구조에있어서, 제작이용이하면서도가공비용이저렴하며높은가공정밀도를충족시킬뿐만아니라, 안정된실리콘광결정격자를통해전자기파처리에있어서특성제어의안정성을확보할수 있는진공전자소자용 4극전극구조에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于电场负载应用的精细图案的四电极结构，其用于真空电子器件; 容易以较低的成本制造; 满足高工艺精度; 并通过稳定的硅光晶格确保电磁波工艺中的稳定特征控制。

76. 发明公开

KR1020140066347A 가속관과 같은 주파수의 펄스 전자빔을 방출하는 전자총을 포함하는 선형가속기 无效
标题翻译：线性加速器与具有线性加速器频率的脉冲电子枪组合
公开(公告)号：KR1020140066347A
公开(公告)日：2014-06-02
申请号：KR1020120133454
申请日：2012-11-23
申请人： 한국전기연구원
发明人： 전석기 , 김근주 , 김정일 , 김관호 , 김재홍 , 신동원
IPC分类号： H05H9/00 , H01J27/02
CPC分类号： H05H9/048 , H05H7/22
摘要： The present invention relates to an electron-gun-based linear accelerator which emits a pulse-type electron beam of high frequency. Because a section which induces the bunching phenomenon of electrons can be removed, high shunt impedance can be maintained, thereby reducing the length of an accelerator. Because the loss of an electron beam is not generated and the stability of a thermal structure is high, costs can be reduced and the lifetime of the accelerator can be extended in terms of maintenance.
摘要翻译：本发明涉及一种发射高频脉冲型电子束的基于电子枪的线性加速器。因为可以去除引起电子聚束现象的部分，所以可以保持高分流阻抗，从而减小加速器的长度。由于不产生电子束的损失，并且热结构的稳定性高，所以可以降低成本，并且在维护方面可以延长加速器的寿命。

77. 发明授权

KR101337568B1 마이크로 그리드 구조체 제조방법 失效
标题翻译：微电网结构制造方法
公开(公告)号：KR101337568B1
公开(公告)日：2013-12-06
申请号：KR1020110092464
申请日：2011-09-14
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김재홍 , 전석기 , 김정일 , 김근주 , 허두창
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065
摘要： 본 발명은, 실리콘 플레이트의 제1면에 복수 개의 그리드 홈을 형성하는 제1단계, 열적 산화 공정을 통해 상기 실리콘 플레이트의 제1면 및 상기 제1면과 대향하는 제2면에 제1실리콘 산화막을 형성하는 제2단계, 상기 실리콘 플레이트의 제1면과 대향하는 제2면에 그루브를 형성하여 그리드 홀을 형성하는 제3단계 및 열적 산화 공정을 통해 상기 제1면 및 제2면에 제2실리콘 산화막을 형성하는 제4단계를 포함하는 마이크로 그리드 구조체 제조방법을 제공한다.

78. 发明公开

KR1020130005748A 다중 접합 반도체의 공극 검사 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于检查多功能半导体器件失调的装置和方法
公开(公告)号：KR1020130005748A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020110067335
申请日：2011-07-07
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김근주 , 김재홍 , 김정일 , 전석기
IPC分类号： H01L21/66
摘要： PURPOSE: An apparatus and a method for inspecting voids of a multi-junction semiconductor are provided to detect voids in real time by using terahertz wave having a short pulse width. CONSTITUTION: A light source(10) generates terahertz light. The light source irradiates the light to a multijunction semiconductor. A collimated light irradiation part(20) is arranged between the light source and the multijunction semiconductor to irradiate uniformly the light to the multijunction semiconductor. A light connection part(30) is arranged in the lower part of the multijunction semiconductor. [Reference numerals] (70) Image signal generating part; (80) Image signal analyzing part
摘要翻译：目的：提供一种用于检查多结半导体空隙的装置和方法，通过使用具有短脉冲宽度的太赫兹波来实时检测空隙。构成：光源（10）产生太赫兹光。光源将光照射到多结半导体。在光源和多结半导体之间配置准直光照射部（20），将光均匀地照射到多结半导体。在多结半导体的下部配置有光连接部（30）。（附图标记）（70）图像信号生成部; （80）图像信号分析部

79. 发明授权

KR101214380B1 ２단계 격자회로로 구성된 저속파 회로를 적용한 진공전자소자 有权
标题翻译：采用双层玻璃组合的慢波结构的真空电子设备
公开(公告)号：KR101214380B1
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：KR1020110123978
申请日：2011-11-25
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김정일 , 김근주 , 김재홍 , 전석기
IPC分类号： H01J25/34 , H01J25/02
摘要： PURPOSE: A vacuum microelectronic device is provided to form an electric field on the surface of lattices by focusing an electronic beam in an opposite side focusing part of a right angle waveguide. CONSTITUTION: An electronic beam(32) progresses on the upper side of lattices of 2-step slow wave circuits(36,37). An electric field is formed on the surface of the lattices. The electric field generates electromagnetic waves within a right angle waveguide through interaction with an electronic beam. The electromagnetic waves are radiated to outside through an output unit(35) consisting of a waveguide between the 2-step slow wave circuits. A coupler(34) is one or more lattices of opposite side end of a progressive direction of the electronic beam among the lattices above the2-step slow wave circuit.
摘要翻译：目的：提供真空微电子器件，通过将电子束聚焦在直角波导的相对侧聚焦部分中，在晶格表面上形成电场。构成：电子束（32）在两步慢波电路（36,37）的格子的上侧进行。在晶格表面形成电场。电场通过与电子束的相互作用在直角波导内产生电磁波。电磁波通过由两级慢波电路之间的波导组成的输出单元（35）向外辐射。耦合器（34）是在两步慢波电路上方的格子之间的电子束的逐行方向的相对侧端的一个或多个格子。

80. 发明授权

KR101174363B1 줄무늬 구조를 갖는 이차전자방출 음극을 적용한 냉음극 마그네트론 有权
标题翻译：冷阴极磁控管采用二次电子发射阴极条纹结构
公开(公告)号：KR101174363B1
公开(公告)日：2012-08-21
申请号：KR1020090092110
申请日：2009-09-29
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김정일 , 전석기 , 한성태 , 김근주
IPC分类号： H01J23/05
摘要： 본발명에의한줄무늬구조를갖는이차전자방출음극을적용한냉음극마그네트론이개시된다. 본발명에따른냉음극마그네트론은지지부; 상기지지부의길이방향으로연장되고상기지지부의중심축을중심으로원주방향으로일정간격마다배치되며이차전자를방출하는다수의음극부; 상기다수의음극부와반경방향으로소정거리이격되고상기음극부를둘러싸는다수의양극부; 및상기다수의양극부와연결되어상기다수의양극부사이에공진공간을형성하는공진회로를포함한다. 이를통해, 본발명은동작초기부터원하는영역에서만전자빔을발생시키고, 음극주변의전자장세기를증가시킬뿐만아니라발진출력및 효율을증가시킬수 있다.

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