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71. 发明公开

KR1020050116929A 전자 주개-기능화된 아미노디올 화합물 및 이를 제조하는방법 失效
标题翻译：电子功能化氨基酸及其制备方法
公开(公告)号：KR1020050116929A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：KR1020040042047
申请日：2004-06-09
申请人： 한국화학연구원
发明人： 이영국 , 김윤수 , 김창균 , 정택모 , 김민찬
IPC分类号： C07C215/12 , C07C215/14
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시한, 전자 주개로 기능화한 아미노디올 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기능화 아미노디올 화합물은 금속과 결합하여 안정하고 휘발성이 향상된 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이를 이용하여 질이 좋은 금속 또는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다.

상기 식에서,
n은 1 내지 4의 정수이고,
R은 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬 기이고,
R'은 서로 같거나 상이하며, 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬 기 또는 알킬실릴 기이다.

72. 发明公开

KR1020000009318A 산화아연 단결정의 제조방법 无效
标题翻译：制备氧化锌单晶的方法
公开(公告)号：KR1020000009318A
公开(公告)日：2000-02-15
申请号：KR1019980029631
申请日：1998-07-23
申请人： 한국화학연구원
发明人： 박로학 , 이영국 , 이강현 , 정석종
IPC分类号： C30B7/00
CPC分类号： C30B7/00
摘要： PURPOSE: A zinc oxide bulk single crystal is prepared which increases a growth to 1010 direction. CONSTITUTION: The zinc oxide powder is sintered and thrown into a lower part of autoclave, and zinc oxide seed crystal is thrown into an upper part of the autoclave. A mineralizer comprising 2.5- 3.5 mole of potassium hydroxide, 0.5- 1.5 mole of lithium hydroxide and 0.5- 1.0 mole of ammonium hydroxide is thrown into the autoclave and sealed. Temperatures of the upper part and lower part of the autoclave are risen to 330- 350°C and 350- 370°C respectively, and maintained at 350- 400 atm for 20 days to give the zinc oxide single crystal.
摘要翻译：目的：制备氧化锌本体单晶，其增长到1010方向。构成：将氧化锌粉末烧结并投入高压釜的下部，将氧化锌晶种投入高压釜的上部。将包含2.5-3.5摩尔氢氧化钾，0.5-1.5摩尔氢氧化锂和0.5-1.0摩尔氢氧化铵的矿化剂投入高压釜中并密封。高压釜的上部和下部的温度分别升至330-350℃和350-370℃，并保持在350-400大气压下20天，得到氧化锌单晶。

73. 发明公开

KR1019970015794A 자수정의 제조방법 失效
标题翻译：紫水晶的制造方法
公开(公告)号：KR1019970015794A
公开(公告)日：1997-04-28
申请号：KR1019950031860
申请日：1995-09-26
申请人： 한국화학연구원
发明人： 박로학 , 이영국 , 이강현 , 정석종
IPC分类号： C30B7/10
摘要： [목적]
본원 발명은 균열이 발생하지 않고 종자결정과 성장영역 계면에 불균질한 성장층의 발생의 억제 및 불순물을 저하시키는 자수정의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[구성]
분쇄한 천연수정과 천연철광석을 용기에 넣은 것을 오토크레이브 하단부(원료용액부)에 장착하고, 그 위에 개공된 대류조절관을 얹은 후 +X축 방향을 30。 절단한 (0111)방향의 판상 종자결정을 상단부(결정육성부)에 장착하고 탄산칼슘 수용액에 질산리튬을 첨가하여 조제한 액을 오토클레이브에 채운 후 이를 밀봉하고, 전기 상단부 및 하단부를 고온으로 가열한 상태에서 수열에칭 및 결정을 육성하여 자수정을 얻는다.

74. 发明授权

KR102260179B1 고체 산화물 연료전지용 금속 나노입자의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102260179B1
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：KR1020190132114
申请日：2019-10-23
申请人： 한국화학연구원
发明人： 이영국 , 이선주 , 박보근 , 정택모
IPC分类号： H01M4/90 , H01M8/124

75. 发明授权

KR102226791B1 소거 동작을 제거한 저항 스위칭 메모리 有权
公开(公告)号：KR102226791B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190013114
申请日：2019-01-31
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김건환 , 류진주 , 정택모 , 박보근 , 이영국
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 본발명은소거동작을제거한저항스위칭메모리를공개한다. 이장치는하부전극층, 가변저항막및 상부전극층의적층을포함하는저항스위칭메모리에있어서, 멀티비트동작구간동안상기상부전극층과상기가변저항막의인터페이스근처에서산소부족층이형성되어저항스위칭메모리동작중 소거동작이제거되는것을특징으로한다. 본발명에의할경우, 상부전극층이부분적으로산화되어, 저항스위칭메모리에서요구되는저항스위칭성능을수행하기위하여필요한양호한산소저장소및 적절한부하저항기능을할 수있게된다.

76. 发明授权

KR102142563B1 저 전력 및 고 신뢰성 멀티 비트 동작이 가능한 저항 스위칭 장치 有权
公开(公告)号：KR102142563B1
公开(公告)日：2020-08-10
申请号：KR1020180146546
申请日：2018-11-23
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김건환 , 류진주 , 정택모 , 박보근 , 이영국
IPC分类号： H01L45/00

77. 发明授权

KR101744923B1 신규한 기밀구조를 가지는 단결정 성장용 압력용기 有权
标题翻译：用于生长具有新颖气密结构的单晶的压力容器
公开(公告)号：KR101744923B1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020150081459
申请日：2015-06-09
申请人： 한국화학연구원
发明人： 심장보 , 이영국 , 정택모 , 이영진
IPC分类号： C30B7/10 , C30B29/38
摘要： 본발명은개스킷을사용하지않고도고온및 고압의조건에서도기밀을유지할수 있는단결정성장용압력용기에대한것으로, 보다구체적으로는개구를가지며내열합금으로제조되는압력용기본체; 상기압력용기본체개구의내부에삽입되는내식성소재의라이너; 상기압력용기본체의상부에구성되는압력용기헤드; 상기압력용기헤드의중심부에구성되는유니온;을구비하며, 상기라이너와유니온간의기밀밀착에의하여압력용기의밀봉이유지되는단결정성장용압력용기에대한것이다. 또한, 본발명에따른압력반응용기는귀금속개스킷을사용하지않음에따른유지비용의절감과온도와압력의변화에도불구하고안정적으로반응기의압력을유지할수 있는장점이있다.
摘要翻译：本发明的压力容器体具有，更具体地，涉及用于euroneun高温和晶体生长的压力容器能够保持在高压的条件下的气密性，而无需使用由耐热合金制成的垫片开口; 插入压力容器本体开口中的耐腐蚀材料的衬套; 压力容器头部，其形成在压力容器主体的上部; 压力套管在容器头部的中心配置;包括，涉及一种用于将被密封在压力容器由衬套和Union之间的紧密接触被保持在容器的单晶生长压力。此外，根据本发明的反应压力容器的优点在于，可以在尽管存在维护成本的降低和温度和压力由于不使用贵金属垫圈改变和可靠地维持反应器的压力。

78. 发明公开

KR1020150105021A 4족 전이금속 전구체, 이의 제조 방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 有权
标题翻译：第四组过渡金属前驱体，其制备方法及使用该薄膜形成薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020150105021A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020140027158
申请日：2014-03-07
申请人： 한국화학연구원
发明人： 박보근 , 정택모 , 김창균 , 전동주 , 한정환 , 김다혜 , 이영국 , 안기석 , 이선숙
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/06 , C23C16/448
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 4족 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 4족 전이금속 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 4족 전이금속 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]

(상기 식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R
1 은 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기, 또는 C6-C12의 방향족 탄화수소이며, R
2 , R
3 은 각각 독립적으로 H이거나 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기고, R
4 및 R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.)
摘要翻译：本发明涉及由以下化学式1表示的IV族过渡金属前体。第IV族过渡金属前体是热稳定的并且具有优异的挥发性以形成具有良好质量的IV族过渡金属前体。在化学式1中，M是Ti，Zr或Hf，R1是C1-C10的直链烷基或支链烷基或C1-C10的直链氟代烷基或支链氟代烷基或C6的芳族烃 -C12，R2和R3分别表示H或C1-C10的直链烷基或支链烷基或C1-C19的直链氟代烷基或支链氟代烷基，R4和R5分别表示直链烷基或 C1-C10的支链烷基。

79. 发明公开

KR1020150096016A 원자층 증착방식에 의해 형성된 산화아연 박막을 구비한 세포 배양 기재 有权
标题翻译：通过原子沉积形成的具有ZNO薄膜的细胞培养基底
公开(公告)号：KR1020150096016A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：KR1020140016779
申请日：2014-02-13
申请人： 한국화학연구원
发明人： 이정오 , 최원진 , 정윤장 , 이영국 , 박정규 , 정종진 , 고혁완 , 이수진
IPC分类号： C12M3/00 , C12N5/00 , C12N1/00
CPC分类号： C12M23/20 , C12N5/0602
摘要： 본 발명은 원자층 증착방식(atomic layer deposition, ALD)에 의해 형성된 산화아연(ZnO) 박막을 구비한 세포 배양 기재; 상기 세포 배양 기재를 이용한 액틴 발현을 향상시키는 세포 배양방법; 상기 세포 배양 기재 상에서 세포를 배양하는 단계를 포함하는, 세포의 액틴 재배열을 조절하는 방법 및 세포 형태 변화를 유도하는 방법; 및 상기 산화아연 박막을 구비한 세포 배양 기재를 포함한 이식체 또는 피부부착용 패치에 관한 것이다.
본 발명의 세포 배양 기재에 구비된 산화아연(ZnO) 박막은 원자층 증착방식(ALD)에 의해 제조된 것으로서, 나노미터 단위로 미세하게 조절할 수 있다. 또한, 상기 ZnO 박막의 표면 상에서 세포를 배양함으로써 인위적으로 세포 증식 속도를 조절할 수 있으므로, 증식이 필요한 세포의 증식 증가와 증식이 불필요한 세포의 증식 억제를 통한 치료적 활용이 가능하다.
摘要翻译：本发明涉及具有通过原子层沉积（ALD）形成的氧化锌（ZnO）薄膜的细胞培养基板; 能够通过使用细胞培养基来改善肌动蛋白的表达的细胞培养方法; 一种控制细胞肌动蛋白重排的方法; 以及诱导细胞形态变化的方法，其包括在细胞培养基质上培养细胞的步骤; 以及包含具有ZnO薄膜的细胞培养基板的皮肤贴剂或植入物。设置在细胞培养基板中的ZnO薄膜由能够通过纳米微调的ALD制造。此外，通过在ZnO薄膜的表面上培养细胞，可以人工地控制细胞增殖率，通过增加必需的细胞并抑制不必要的细胞，可以获得治疗优势。

80. 发明授权

KR101530042B1 아미노싸이올레이트를 이용한 인듐 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 有权
标题翻译：带有氨基酸的印染前体，其制备方法和使用其形成薄膜的方法
公开(公告)号：KR101530042B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020130046344
申请日：2013-04-25
申请人： 한국화학연구원
发明人： 박보근 , 김창균 , 정택모 , 전동주 , 박주현 , 정석종 , 이영국
IPC分类号： C07F5/00 , C23C16/18
摘要： 본발명은하기화학식 1로표시되는인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황을포함하는인듐박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)

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