基本信息:
- 专利标题: 원자층 증착방식에 의해 형성된 산화아연 박막을 구비한 세포 배양 기재
- 专利标题(英):Cell culture substrate with ZnO thin film formed by atomic layer deposition
- 专利标题(中):通过原子沉积形成的具有ZNO薄膜的细胞培养基底
- 申请号:KR1020140016779 申请日:2014-02-13
- 公开(公告)号:KR1020150096016A 公开(公告)日:2015-08-24
- 发明人: 이정오 , 최원진 , 정윤장 , 이영국 , 박정규 , 정종진 , 고혁완 , 이수진
- 申请人: 한국화학연구원
- 申请人地址: ***, Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon, *****, Republic of Korea
- 专利权人: 한국화학연구원
- 当前专利权人: 한국화학연구원
- 当前专利权人地址: ***, Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon, *****, Republic of Korea
- 代理人: 손민
- 主分类号: C12M3/00
- IPC分类号: C12M3/00 ; C12N5/00 ; C12N1/00
본 발명의 세포 배양 기재에 구비된 산화아연(ZnO) 박막은 원자층 증착방식(ALD)에 의해 제조된 것으로서, 나노미터 단위로 미세하게 조절할 수 있다. 또한, 상기 ZnO 박막의 표면 상에서 세포를 배양함으로써 인위적으로 세포 증식 속도를 조절할 수 있으므로, 증식이 필요한 세포의 증식 증가와 증식이 불필요한 세포의 증식 억제를 통한 치료적 활용이 가능하다.
The present invention is a cell culture substrate having a zinc oxide (ZnO) thin film formed by atomic layer deposition (atomic layer deposition, ALD); Cell culture method for improving the expression of the actin using the cell culture substrate; Comprising the step of culturing cells on the cell culture substrate, a method and a method of inducing cell shape change for controlling the rearrangement of the actin-cells; And to the implant, or skin patches, including mounting a cell culture substrate having the zinc oxide thin film.
The zinc oxide (ZnO) thin-film provided on a cell culture substrate of the present invention has been made by atomic layer deposition (ALD), it can be finely adjusted in nanometers. In addition, since the cell proliferation rate it can be adjusted to artificially by culturing the cells on the surface of the ZnO thin film, it is possible to take advantage of the therapeutic through the proliferation and this increase in proliferation inhibition of unwanted cell proliferation of cells that require growth.
公开/授权文献:
- KR101652427B1 원자층 증착방식에 의해 형성된 산화아연 박막을 구비한 세포 배양 기재 公开/授权日:2016-08-31
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
C | 化学;冶金 |
--C12 | 生物化学;啤酒;烈性酒;果汁酒;醋;微生物学;酶学;突变或遗传工程 |
----C12M | 酶学或微生物学装置 |
------C12M3/00 | 组织、人类、动物或植物细胞或病毒培养装置 |