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71. 发明授权

KR101221643B1 플립칩 구조의 발광 소자 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：倒装芯片发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101221643B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020120024516
申请日：2012-03-09
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 윤여진 , 이재호
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/62
摘要： 본 발명은 베이스 기판의 일면에 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층의 일부에 형성된 p형 반도체층과, 오믹성 투과층을 포함하는 발광 셀이 형성된 발광 셀 블록 및 상기 발광 셀 블록이 플립칩 본딩되는 서브 마운트 기판을 포함하고, 상기 서브 마운트 기판은 플립칩 본딩되는 상면에 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의한 발광 소자 및 이이 제조 방법은 p형 반도체층 상에 오믹성 투과층을 형성하고 서브 마운트 기판 상에 반사층을 형성함으로써, 광의 흡수를 막고 반사율을 높여 발광 효율을 향상시킬 수 있으며 광출력 특성을 향상시킬 수 있다.

72. 发明授权

KR101205525B1 다수의 발광셀이 어레이된 발광소자 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：具有发光单元的发光装置阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR101205525B1
公开(公告)日：2012-11-27
申请号：KR1020050124883
申请日：2005-12-16
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 이재호
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/02
摘要： 본 발명은 발광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광소자는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제 1 반도체층 및 상기 제 1 반도체층의 일부 영역에 형성된 제 2 반도체층을 구비하는 다수의 발광셀을 포함하며, 상기 일 발광셀의 제 2 반도체층과 인접한 다른 발광셀의 제 1 반도체층이 전기적으로 연결되고, 상기 제 2 반도체층의 일부 영역에 함몰된 파손 방지부가 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명은 P형 반도체층에 파손 방지부를 형성하여 배선의 노출을 최소화함으로써, 배선의 파손을 방지하여 신뢰성 있는 발광셀 및 발광소자를 제공할 수 있다.
발광소자, 파손 방지부, P형 반도체층, 배선, 메사

73. 发明授权

KR101205524B1 플립칩 구조의 발광 소자 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：倒装芯片发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101205524B1
公开(公告)日：2012-11-27
申请号：KR1020050089759
申请日：2005-09-27
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 윤여진 , 이재호
IPC分类号： H01L33/10
摘要： 본 발명은 베이스 기판의 일면에 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층의 일부에 형성된 p형 반도체층과, 오믹성 투과층을 포함하는 발광 셀이 형성된 발광 셀 블록 및 상기 발광 셀 블록이 플립칩 본딩되는 서브 마운트 기판을 포함하고, 상기 서브 마운트 기판은 플립칩 본딩되는 상면에 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의한 발광 소자 및 이이 제조 방법은 p형 반도체층 상에 오믹성 투과층을 형성하고 서브 마운트 기판 상에 반사층을 형성함으로써, 광의 흡수를 막고 반사율을 높여 발광 효율을 향상시킬 수 있으며 광출력 특성을 향상시킬 수 있다.
발광 소자, LED, 플립칩, 반도체, 반사율, 발광 효율

74. 发明公开

KR1020120031047A 발광 소자 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120031047A
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020120026889
申请日：2012-03-16
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 이재호 , 윤여진
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/42
摘要： PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve external quantum efficiency of a device by forming a transparent electrode in a trench of a semiconductor layer in a light emitting cell. CONSTITUTION: An active layer(50) is interposed between an N type semiconductor layer and a P type semiconductor layer. A pattern is formed on the surface of the P type semiconductor layer. A transparent electrode layer(70) is formed on the P type semiconductor layer along the pattern. A P type bonding pad is formed on the transparent electrode layer. The P type bonding pad includes a lower surface corresponding to the transparent electrode layer.
摘要翻译：目的：提供发光器件及其制造方法，以通过在发光单元中的半导体层的沟槽中形成透明电极来提高器件的外部量子效率。构成：在N型半导体层和P型半导体层之间插入有源层（50）。在P型半导体层的表面上形成图案。沿着图案在P型半导体层上形成透明电极层（70）。在透明电极层上形成P型接合焊盘。 P型接合焊盘包括对应于透明电极层的下表面。

75. 发明授权

KR101115538B1 발광소자와 그 제조방법 有权
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101115538B1
公开(公告)日：2012-02-28
申请号：KR1020110030677
申请日：2011-04-04
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 이재호
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/62
摘要： 본 발명의 발광 소자는 기판상에 제1반도체층, 상기 제1반도체층의 일 영역에 상에 형성된 제2반도체층 및 상기 제1반도체층과 상기 제2반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 복수개의 발광셀과, 일 발광셀의 제1반도체층과, 인접한 타 발광셀의 제2반도체층이 전기적으로 연결되는 연결전극이 마련되며, 금속범프들을 통해 서브마운트 기판에 플립 본딩된 상기 발광셀들과, 상기 기판과 상기 발광셀들 간에 상기 연결 전극을 제외한 면에 형성된 반사 방지층을 포함하므로, 활성층에서 발광된 광이 기판쪽으로 반사되도록 반사율을 극대화시켜 발광효율이 증대되는 이점이 있다.
摘要翻译：本发明的发光器件包括：在衬底上的第一半导体层;在第一半导体层的一个区域上形成的第二半导体层;以及插入在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层多个发光单元，一个发光单元的第一半导体层和另一个相邻的发光单元的第二半导体层彼此电连接，并且发光单元通过金属凸块倒装结合到基座基板，并且在基板和发光单元的除连接电极以外的表面上形成抗反射层，由此使从活性层发射到基板的光的反射率最大化。

76. 发明授权

KR101021238B1 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이를 이용한 발광 장치 有权
标题翻译：具有多个细胞的发光元件粘合和发光装置使用它们
公开(公告)号：KR101021238B1
公开(公告)日：2011-03-15
申请号：KR1020050103772
申请日：2005-11-01
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 이재호 , 이정훈
IPC分类号： G09G3/20 , H01L33/48
CPC分类号： H01L2224/48137 , H01L2224/49107
摘要： 본 발명은 다수의 셀이 어레이된 발광 소자 및 이를 이용한 발광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다수의 발광 셀이 단일 칩 내에서 직렬 접속된 발광 셀 블록으로 발광 소자를 구성으로 하는 발광 장치에 있어서, 전원과 발광 소자 사이에 위치하여, 상기 전원을 입력받아 이를 시간 지연시켜 평활한 파형으로 변환한 다음에 이를 발광 소자에 공급하는 딜레이부를 추가로 구비함으로써 플리커 현상을 감소시켜 가정용 교류 전원에서도 보다 나은 성능을 가지는 다수의 셀이 어레이된 발광 소자 및 이를 이용한 발광 장치를 제공함에 목적이 있다.
발광 셀, 발광 소자, 딜레이, LC, 정류 브리지, 발광 장치

77. 发明授权

KR100968843B1 다수의 발광셀이 어레이된 발광소자 有权
标题翻译：具有发光细胞的发光装置阵列
公开(公告)号：KR100968843B1
公开(公告)日：2010-07-09
申请号：KR1020050124882
申请日：2005-12-16
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 이재호 , 야베스라크로익 , 윤여진 , 황의진
IPC分类号： G09G3/32 , H01L33/08
CPC分类号： H05B33/0821 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L27/156 , H01L33/62 , H01L2224/371 , H01L2224/40137 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H05B33/0803 , H05B33/0809 , Y02B20/348 , H01L2924/00 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
摘要： 본 발명은 발광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광소자는 다수개의 발광셀을 포함하는 발광셀 블럭과, 상기 발광셀 블럭의 입출력 단자와 연결된 브릿지 정류회로를 포함하고, 상기 브릿지 정류회로는 노드와 노드 사이에 다수의 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 교류형 발광소자의 제작에 있어 브릿지 정류 회로를 내장할 때 그 크기를 일정크기 이하로 하고 그 개수를 정하여 발광소자의 휘도를 향상시키고 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광소자를 제공할 수 있다.
발광소자, 교류, 브릿지 정류회로, 정류, 발광셀

78. 发明公开

KR1020080028663A ＡｌＩｎＧａＰ 활성층을 갖는 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법 有权
标题翻译：具有ALINGAP活性层的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080028663A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：KR1020060094243
申请日：2006-09-27
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 이재호 , 이정훈 , 김미해
IPC分类号： H01L33/30 , H01L33/08
CPC分类号： H01L2224/48137 , H01L2224/49107
摘要： A light emitting diode having an AlInGaP active layer and a method for fabricating the same are provided to prevent optical absorption and to improve light emitting efficiency by using a base substrate having an optical characteristic. A plurality of metal patterns(65) are formed apart from each other on a base substrate(71). An insulating layer is inserted between the base substrate and the metal patterns. A plurality of light emitting cells are positioned on the metal patterns. Each of the light emitting cells includes a first conductive type lower semiconductor layer, an AlGaInP active layer, and a second conductive type upper semiconductor layer. A plurality of wirings(79) are connected in series to each other. Each of the metal patterns includes an adhesive metal layer and a reflective metal layer.
摘要翻译：提供具有AlInGaP有源层的发光二极管及其制造方法，以防止光吸收，并通过使用具有光学特性的基底基板提高发光效率。多个金属图案（65）在基底（71）上彼此分开形成。在基底基板和金属图案之间插入绝缘层。多个发光单元位于金属图案上。每个发光单元包括第一导电型下半导体层，AlGaInP有源层和第二导电型上半导体层。多个布线（79）彼此串联连接。每个金属图案包括粘合金属层和反射金属层。

79. 发明公开

KR1020080002162A 발광 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：发光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080002162A
公开(公告)日：2008-01-04
申请号：KR1020060060817
申请日：2006-06-30
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 서원철 , 윤여진 , 이재호
IPC分类号： H01L33/20
摘要： A light emitting device is provided to radiate light from the sidewall of each light emitting cell to the air by including a plurality of light emitting cells having at least five sidewalls. A lower semiconductor layer is formed on a substrate(21). An upper semiconductor layer is positioned on a partial region of the lower semiconductor layer. An active layer is interposed between the lower semiconductor layer and the upper semiconductor layer. A plurality of light emitting cells include the lower semiconductor layer, the upper semiconductor layer and the active layer. The light emitting cells have a polygonal pillar shape with at least five sidewalls. The substrate has an unevenness part(21a) formed in at least a part of the sidewall of the substrate.
摘要翻译：提供一种发光器件，用于通过包括具有至少五个侧壁的多个发光单元将来自每个发光单元的侧壁的光辐射到空气。在基板（21）上形成下半导体层。上半导体层位于下半导体层的部分区域上。在下半导体层和上半导体层之间插入有源层。多个发光单元包括下半导体层，上半导体层和有源层。发光单元具有至少五个侧壁的多边形柱状。衬底具有形成在衬底的侧壁的至少一部分中的凹凸部（21a）。

80. 发明授权

KR100757800B1 절연보호막을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법 有权
标题翻译：用于具有绝缘钝化层的交流操作的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100757800B1
公开(公告)日：2007-09-11
申请号：KR1020060060818
申请日：2006-06-30
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 윤여진 , 이재호
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/00
摘要： An LED(Light Emitting Diode) for AC(Alternating Current) and a method for manufacturing the same are provided to protect metal lines and light emitting cells and to simplify manufacturing processes by using an insulating protection layer made of a light transmitting material. An LED for AC includes light emitting cells, an insulating layer, metal lines and an insulating protection layer. The light emitting cells are spaced apart from each other on a substrate(51). Each light emitting cell includes a lower semiconductor layer(55), an upper semiconductor layer(59) partially overlapped with the lower semiconductor layer and an active layer(57) between the lower and the upper semiconductor layers. The insulating layer(69) is used for covering the light emitting cells. The insulating layer has opening portions capable of exposing partially the lower and the upper semiconductor layers. The metal lines(71) are formed on the insulating layer to be electrically connected with the lower and the upper semiconductor layer through the opening portions. The insulating protection layer(73) is formed by coating a light transmitting material on the resultant structure. The light transmitting material contains a fluorescent substance capable of changing the wavelength of the light emitted from the light emitting cell. SOG(Spin On Glass) or BCB(BenzoCycloButene) are used as the light transmitting material.
摘要翻译：提供用于AC（交流）的LED（发光二极管）及其制造方法，以保护金属线和发光单元，并通过使用由透光材料制成的绝缘保护层来简化制造工艺。用于AC的LED包括发光单元，绝缘层，金属线和绝缘保护层。发光单元在基板（51）上彼此间隔开。每个发光单元包括下半导体层（55），与下半导体层部分重叠的上半导体层（59）和下半导体层和上半导体层之间的有源层（57）。绝缘层（69）用于覆盖发光单元。绝缘层具有能够部分地暴露下半导体层和上半导体层的开口部分。金属线（71）形成在绝缘层上，以通过开口部分与下半导体层和上半导体层电连接。绝缘保护层（73）通过在所得结构上涂覆透光材料而形成。透光材料包含能够改变从发光单元发射的光的波长的荧光物质。使用SOG（玻璃旋转）或BCB（BenzoCycloButene）作为透光材料。

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