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71. 发明公开

KR1020050029341A 코발트 실리사이드막 형성 방법 및 반도체 장치의 제조방법. 失效
标题翻译：形成钴硅酸盐层的方法和制造其相同的半导体器件
公开(公告)号：KR1020050029341A
公开(公告)日：2005-03-28
申请号：KR1020030065572
申请日：2003-09-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현수 , 최길현 , 강상범 , 손웅희 , 윤종호 , 문광진
IPC分类号： H01L21/24
CPC分类号： H01L29/665 , H01L21/28052 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/76889
摘要： A method of forming a cobalt silicide layer and a method of fabricating a semiconductor device are provided to enhance performance of the semiconductor device by forming a cobalt silicide layer having a high step coverage and a low resistance. A cobalt layer(22) is formed on an upper surface of a semiconductor substrate(10) by providing a Co2(CO)6(R^1-C=C-R^2) type evaporated cobalt precursor as a source gas onto the silicon substrate. A titanium layer(30) is formed on an upper surface of the cobalt layer. A cobalt silicide layer is formed thereon by reacting silicon with cobalt by a thermal process. The titanium layer is formed by a CVD(Chemical Vapor Deposition) method or an atomic layer deposition method or a physical deposition method.
摘要翻译：提供一种形成钴硅化物层的方法和制造半导体器件的方法，以通过形成具有高台阶覆盖率和低电阻的钴硅化物层来增强半导体器件的性能。通过在硅衬底上提供Co 2（CO）6（R 1 -C = CR 2））型蒸发的钴前体作为源气体，在半导体衬底（10）的上表面上形成钴层（22）。在钴层的上表面上形成钛层（30）。通过热处理使硅与钴反应形成硅化钴层。钛层通过CVD（化学气相沉积）法或原子层沉积法或物理沉积法形成。

72. 发明授权

KR100467021B1 반도체 소자의 콘택 구조체 및 그 제조방법 失效
标题翻译： 반도체소자의콘택구조체및그제조방법
公开(公告)号：KR100467021B1
公开(公告)日：2005-01-24
申请号：KR1020020049131
申请日：2002-08-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박희숙 , 강상범 , 문광진 , 양승길
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/28518 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L21/76855
摘要： A contact structure is formed by forming an interlayer dielectric on a substrate having a semiconductive region. A contact hole is formed in the interlayer dielectric to expose the semiconductive region. A conductive structure is formed adjacent to the contact hole. Spacers are formed on inner sidewalls of the contact hole. A cobalt silicide layer is formed at a bottom of the contact hole. The spacers are configured to electrically isolate the cobalt silicide layer from the conductive structure. A conductive layer is formed on the cobalt silicide layer in the contact hole.
摘要翻译：通过在具有半导体区域的衬底上形成层间电介质来形成接触结构。在层间电介质中形成接触孔以暴露半导体区域。导电结构形成在接触孔附近。间隔物形成在接触孔的内侧壁上。硅化钴层形成在接触孔的底部。间隔物被配置为将硅化钴层与导电结构电隔离。在接触孔中的硅化钴层上形成导电层。

73. 发明授权

KR100459717B1 반도체 소자의 금속 콘택 형성 방법 有权
标题翻译： 반도체소자의금속콘택형성방법
公开(公告)号：KR100459717B1
公开(公告)日：2004-12-03
申请号：KR1020020050072
申请日：2002-08-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박희숙 , 최길현 , 강상범 , 박성건 , 문광진
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/28518 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76858
摘要： 반도체 소자의 금속 콘택 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 실리콘 기판 상에 콘택홀을 갖는 절연막을 형성한 후 상기 콘택홀의 바닥 및 내벽 상에 코발트막, 티타늄막, 또는 티타늄막과 코발트막의 이중막을 포함하는 오믹층을 형성한다. 상기 오믹층 상에 티타늄 질화막으로 확산 방지막을 형성함과 동시에 상기 콘택홀의 바닥에 코발트 실리사이드, 티타늄 실리사이드, 또는 티타늄 실리사이드와 코발트 실리사이드의 복합 실리사이드를 형성한다. 상기 확산 방지막 상에 상기 콘택홀을 매립하는 플러그를 형성하여 완성한다. 본 발명은 간단한 공정으로 코발트막을 오믹층으로 적용할 수 있고, 오믹층으로 티타늄막을 더 포함하여 코발트막의 형성 두께를 얇게 할 수 있다.
摘要翻译：通过在硅衬底上形成其中具有接触孔的绝缘层来形成半导体器件中的金属接触。钴层形成在接触孔的底部和内壁上。硅化钴层形成在接触孔的底部，同时在钴层上形成钛层。在钛层上形成塞子以填充接触孔。

74. 发明公开

KR1020040088110A 금속막 증착용 조성물 및 이를 이용한 금속막 형성 방법 有权
标题翻译：用于沉积金属层的组合物和使用该金属层形成金属层以提高步骤覆盖率的方法
公开(公告)号：KR1020040088110A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：KR1020030022123
申请日：2003-04-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강상범 , 최길현 , 문광진 , 양승길 , 김현수
IPC分类号： H01L21/285
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76855
摘要： PURPOSE: A composition for depositing a metal layer and a method for forming a metal layer using the same are provided to improve a step coverage by forming a cobalt layer of high purity. CONSTITUTION: A composition for depositing a metal layer includes an organic transition metal compound precursor and a carrier gas of 1 to 39 parts by volume, and hydrogen of 1 to 399 parts by volume. In the composition, the organic transition metal compound precursor and the carrier gas corresponds to 1 to 5 parts by volume and the hydrogen corresponds to 1 to 59 parts by volume. The organic transition metal compound precursor has cobalt-cobalt bonds.
摘要翻译：目的：提供一种用于沉积金属层的组合物和使用该组合物形成金属层的方法，以通过形成高纯度的钴层来改善台阶覆盖。构成：用于沉积金属层的组合物包括有机过渡金属化合物前体和1至39体积份的载气，以及1至399体积份的氢。在组合物中，有机过渡金属化合物前体和载气相当于1〜5体积份，氢对应于1〜59体积份。有机过渡金属化合物前体具有钴 - 钴键。

75. 发明公开

KR1020040008873A 화학기상증착 챔버의 세정 방법 有权
标题翻译：化学气相沉积室清洗方法
公开(公告)号：KR1020040008873A
公开(公告)日：2004-01-31
申请号：KR1020020042598
申请日：2002-07-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문광진 , 최길현 , 강상범 , 박희숙
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C23C16/4405
摘要： PURPOSE: A cleaning method of a CVD(Chemical Vapor Deposition) chamber is provided to be capable of improving cleaning efficiency and restraining by-product from being generated at the inner portion of the chamber. CONSTITUTION: A substrate is loaded at the inner portion of a chamber(S50). A titanium layer is deposited at the upper portion of the substrate(S52). The substrate is unloaded from the chamber(S54). The first plasma process is carried out at the inner portion of the chamber by using the first gas containing N and H(S56). A cleaning process is carried out at the inner portion of the chamber by in-situ(S58). The second plasma process is carried out at the inner portion of the chamber by using the second gas containing N and H(S60).
摘要翻译：目的：提供CVD（化学气相沉积）室的清洁方法，以能够提高清洁效率并抑制在室内部产生副产物。构成：将衬底装载在室的内部（S50）。在基板的上部沉积有钛层（S52）。从室中卸载基板（S54）。通过使用含有N和H的第一气体（S56），在室的内部进行第一等离子体处理。通过原位在室的内部进行清洁处理（S58）。通过使用含有N和H的第二气体，在室的内部进行第二等离子体处理（S60）。

76. 发明公开

KR1020040001272A 접착층을 이용한 반도체 소자의 배선 형성 방법 无效
标题翻译：通过使用粘合层形成半导体器件金属化的方法
公开(公告)号：KR1020040001272A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：KR1020020036412
申请日：2002-06-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문광진 , 최길현 , 강상범 , 박희숙 , 양승길
IPC分类号： H01L21/28
摘要： PURPOSE: A method of forming metallization of a semiconductor device is provided to improve uniformity of an adhesive layer used in metallization of bit line. CONSTITUTION: An interinsulation layer pattern(102) that defines contact holes is formed on a semiconductor substrate(100). A conductive material(110) is filled into the contact holes to form contact plugs and the surface of the interinsulation layer pattern is treated by gaseous plasma(120). An adhesive layer is formed over the contact plugs and the interinsulation layer pattern. A metallization layer is formed on the adhesive layer. The interinsulation layer pattern(102) is composed of USG(Undoped Silicate Glass) or BPSG(Borophosphosilicate Glass).
摘要翻译：目的：提供一种形成半导体器件的金属化的方法，以改善在位线的金属化中使用的粘合剂层的均匀性。构成：在半导体衬底（100）上形成限定接触孔的绝缘层图案（102）。将导电材料（110）填充到接触孔中以形成接触塞，并且通过气体等离子体（120）处理绝缘层图案的表面。在接触塞和绝缘层图案之上形成粘合剂层。在粘合剂层上形成金属化层。绝缘层图案（102）由USG（未掺杂硅酸盐玻璃）或BPSG（硼磷硅酸盐玻璃）组成。

77. 发明公开

KR1020020020314A 반도체 장치의 콘택 형성방법 无效
标题翻译：形成半导体器件接触的方法
公开(公告)号：KR1020020020314A
公开(公告)日：2002-03-15
申请号：KR1020000053414
申请日：2000-09-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문광진 , 박희숙 , 최길현
IPC分类号： H01L21/28
摘要： PURPOSE: A method for forming a contact of a semiconductor device is provided to control a phenomenon that a resistance value of a contact interface increases in a heat treatment process after the contact is formed, by forming an ohmic layer on the contact interface and by oxidizing the ohmic layer to remove a residual reaction metal layer. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(204) is formed on a substrate(200) including a predetermined active region. The interlayer dielectric is patterned to form a contact hole(205) opening the active region. The ohmic layer(207) is formed on the open active region. The upper portion of the ohmic layer is oxidized after a heat treatment is performed. A conductive contact material is deposited on the ohmic layer to fill the contact hole.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成半导体器件的接触的方法，以控制在接触形成之后的热处理工艺中接触界面的电阻值增加的现象，通过在接触界面上形成欧姆层并通过氧化欧姆层去除残留的反应金属层。构成：在包括预定活性区域的衬底（200）上形成层间电介质（204）。图案化层间电介质以形成打开有源区的接触孔（205）。欧姆层（207）形成在开放的有源区上。在进行热处理后，欧姆层的上部被氧化。导电接触材料沉积在欧姆层上以填充接触孔。

78. 发明公开

KR1020000073360A 반도체장치의 장벽층 제조방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的障碍层的方法
公开(公告)号：KR1020000073360A
公开(公告)日：2000-12-05
申请号：KR1019990016606
申请日：1999-05-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이명범 , 박병률 , 문광진
IPC分类号： H01L21/28
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a barrier layer of a semiconductor device is provided to control or limit an increase of contact resistance accompanied with a nitrification, by forming a titanium layer of a predetermined thickness, and by etching the titanium layer to selectively reduce the thickness of a part of the titanium layer covering an insulating layer. CONSTITUTION: An insulating layer(200) having a contact hole exposing the surface of a semiconductor substrate(100) is formed. A titanium layer contacting the exposed semiconductor substrate is formed on the insulating layer by a chemical vapor deposition(CVD) method to form a titanium silicide layer(310) on an interface between the titanium layer and the semiconductor substrate contacting the titanium layer. The titanium layer is entirely etched to selectively decrease the thickness of a part covering the insulating layer. The etched titanium layer(350) is nitrified. A nitride titanium layer is formed on the nitrified titanium layer as a barrier layer.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的阻挡层的方法，以通过形成预定厚度的钛层来控制或限制伴随着硝化的接触电阻的增加，并且通过蚀刻钛层以选择性地降低厚度的一部分覆盖绝缘层的钛层。构成：形成具有暴露半导体衬底（100）的表面的接触孔的绝缘层（200）。通过化学气相沉积（CVD）方法在绝缘层上形成与暴露的半导体衬底接触的钛层，以在与钛层接触的钛层和半导体衬底之间的界面上形成硅化钛层（310）。完全蚀刻钛层以选择性地减小覆盖绝缘层的部分的厚度。蚀刻的钛层（350）被硝化。在硝化钛层上形成氮化钛层作为阻挡层。

79. 发明公开

KR1019990079481A 반도체 소자의 커패시터 형성 방법 无效
标题翻译：形成半导体器件的电容器的方法
公开(公告)号：KR1019990079481A
公开(公告)日：1999-11-05
申请号：KR1019980012116
申请日：1998-04-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문광진 , 박병률 , 이명범 , 이현덕
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/04
摘要： 커패시턴스를 증가시킬 수 있는 반도체 소자의 커패시터 형성 방법을 개시한다. 이 방법은 하부전극이 형성된 반도체 기판을 준비하는 단계와, 상기 하부전극 위에 반구형의 그레인을 갖는 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 반구형의 그레인을 갖는 실리콘층 위에 유전막을 증착하는 단계와, 저온에서 상기 유전막 위에 제1 상부전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 상부전극을 형성한 후에 질소를 포함하는 가스 분위기, 예를 들면 N
2 , NH
3 등에서 열처리하는 단계와, 고온에서 상기 제1 상부전극 위에 제2 상부전극을 형성하는 단계 및 상기 제2 상부전극을 형성한 후에 질소를 포함하는 가스 분위기, 예를 들면 N
2 , NH
3 등에서 열처리하는 단계를 구비한다.

80. 发明授权

KR102094473B1 ＴＳＶ 구조를 구비한 집적회로 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102094473B1
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：KR1020130122956
申请日：2013-10-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박재화 , 문광진 , 강성희 , 김태성 , 박병률 , 방석철 , 진정기
IPC分类号： H01L23/48

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