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71. 发明公开

KR1020030087685A 배선의 접촉 구조 및 그 제조 방법과 이를 포함하는 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：导电线的接触结构，其制造方法，包括其的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030087685A
公开(公告)日：2003-11-15
申请号：KR1020020025538
申请日：2002-05-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송근규 , 노남석
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , G02F2201/42
摘要： PURPOSE: A contact structure of conductive lines, a method for fabricating the contact structure, a thin film transistor array substrate, and a method for manufacturing the substrate are provided to produce conductive lines having good contact characteristics. CONSTITUTION: A contact structure of a conductive line includes a conductive line(11), an insulating layer(12), and a conductive layer(14). The conductive line is formed on a substrate(10) and composed of a bottom layer(111) and a top layer(112). The bottom layer is formed of a conductive material having electron affinity lower than that of aluminum or aluminum alloy. The top layer is formed on the bottom layer and formed of aluminum or aluminum alloy. The bottom layer pattern is larger than the top layer pattern. The insulating layer has a contact hole located outside the boundary of the conductive line. The conductive layer is formed of IZO on the insulating layer and comes into contact with the bottom layer of the conductive line through the contact hole.
摘要翻译：目的：提供导线的接触结构，接触结构的制造方法，薄膜晶体管阵列基板和制造基板的方法，以产生具有良好接触特性的导线。构成：导线的接触结构包括导线（11），绝缘层（12）和导电层（14）。导电线形成在基板（10）上，由底层（111）和顶层（112）构成。底层由具有比铝或铝合金低的电子亲和力的导电材料形成。顶层形成在底层上，由铝或铝合金形成。底层图案大于顶层图案。绝缘层具有位于导线边界外部的接触孔。导电层在绝缘层上由IZO形成，并通过接触孔与导电线的底层接触。

72. 发明公开

KR1020030077272A 액정 표시 장치의 제조 방법 失效
标题翻译：用于冲压半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020030077272A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：KR1020020016300
申请日：2002-03-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송근규 , 정창오 , 조범석 , 노남석
IPC分类号： G02F1/13
CPC分类号： G02F1/1313 , G02F2001/1316 , H01L21/0209 , H01L21/76814
摘要： PURPOSE: A method for rinsing a semiconductor device is provided to adapt a rinsing method, of which orientation film printing characteristics and the characteristics for removing organic pollutant layer are best, through the measurement of contact angles of an ITO deposition film or an Ag reflection film, thereby preventing the discoloration for the Ag and improving the PI printing characteristics. CONSTITUTION: A method for rinsing a semiconductor device includes the steps of organic rinsing a substrate deposited with an ITO film, and rinsing the substrate with UV at 200-400nm. In the case of an Ag reflection film is deposited, the organic rinsing is accompanied by the rinsing with deionized water. After the ITO film deposition, TMAH having the concentration of 0.7-5% is used for the rinsing. The organic rinsing is carried out by an organic rinsing solution or a photoresist separation solution containing MEA 20-60wt%, N,N-DMAc 15-50wt%, carbitol 15-50wt%, and gallic acid 0.1-10wt%.
摘要翻译：目的：提供一种冲洗半导体器件的方法，通过测量ITO沉积膜或Ag反射膜的接触角来适应冲洗方法，其中定向膜印刷特性和除去有机污染物层的特性最好，从而防止Ag的变色并提高PI印刷特性。构成：用于冲洗半导体器件的方法包括以下步骤：有机冲洗沉积有ITO膜的衬底，并用200-400nm的UV冲洗衬底。在Ag反射膜沉积的情况下，有机漂洗伴随着用去离子水漂洗。在ITO膜沉积之后，使用浓度为0.7-5％的TMAH进行漂洗。有机冲洗通过有机冲洗溶液或含有20-70重量％MEA，N-DMAc 15-50重量％，卡必醇15-50重量％和没食子酸0.1-10重量％的光致抗蚀剂分离溶液进行。

73. 发明公开

KR1020020018884A 저저항 배선 구조 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：低电阻互连结构，其制造方法，使用其的薄膜晶体管衬底和用于制造这种衬底的方法
公开(公告)号：KR1020020018884A
公开(公告)日：2002-03-09
申请号：KR1020000052183
申请日：2000-09-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노남석
IPC分类号： H01L21/3213
摘要： PURPOSE: A method for fabricating an interconnection is provided to simplify a fabricating process, by patterning a Ag alloy layer and a Mo alloy layer by one etch process wherein the Ag alloy layer is used to form the interconnection and the Mo alloy layer is interposed to supplement adhesion. CONSTITUTION: A plurality of conductive layers include the Ag alloy layer, formed on a substrate. The plurality of conductive layers are patterned to form the interconnection by using one etchant. The conductive layers are a dual layer composed of the Mo alloy layer and the Ag alloy layer. The etchant is a composition of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and deionized water.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造互连的方法，以简化制造工艺，通过一种蚀刻工艺对Ag合金层和Mo合金层进行图案化，其中Ag合金层用于形成互连，并将Mo合金层插入补充附着力。构成：多个导电层包括形成在基板上的Ag合金层。图案化多个导电层以通过使用一个蚀刻剂形成互连。导电层是由Mo合金层和Ag合金层组成的双层。蚀刻剂是磷酸，硝酸，乙酸和去离子水的组成。

74. 发明授权

KR101112553B1 4색 액정 표시 장치 失效
公开(公告)号：KR101112553B1
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：KR1020050015462
申请日：2005-02-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노남석
IPC分类号： G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/133555 , G02F1/133514 , G02F2201/52 , G02F2203/09
摘要： 본 발명은 4색 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특히 렌더링 기법을 적용하는 반투과형 4색 액정 표시 장치의 화소 구조에 관한 것이다.
이러한 4색 액정 표시 장치에서, 상기 복수의 화소 각각은 2×3 행렬 형태로 배열된 복수의 부화소를 포함하며, 상기 부화소 각각은 투과 영역과 반사 영역을 가지며, 상기 부화소 중 제1 부화소는 상기 반사 영역의 면적이 상기 투과 영역의 면적보다 크거나 동일하고, 나머지 부화소는 상기 투과 영역의 면적이 상기 반사 영역의 면적보다 크다.
이러한 방식으로, 렌더링 기법을 적용하는 반투과형 4색 액정 표시 장치에서 황색화 현상없이 색상을 구현할 수 있다.
액정표시장치, 투과, 반사, 반투과, 렌더링, 부화소, 화소

75. 发明授权

KR101058125B1 화상 표시 방법 및 표시 장치와, 이의 구동 장치 및 방법 有权
标题翻译：图像显示方法和显示装置，驱动装置及其方法
公开(公告)号：KR101058125B1
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020040011956
申请日：2004-02-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양영철 , 홍문표 , 송근규 , 노수귀 , 노남석 , 정호용
IPC分类号： G09G3/36
CPC分类号： G09G3/3406 , G09G5/02 , G09G2300/0452 , G09G2320/0646 , G09G2340/06 , G09G2360/16
摘要： 적응형 컬러변환 기능 및 휘도 증대 기능을 갖는 화상 표시 방법 및 표시 장치와, 이의 구동 장치 및 방법이 개시된다. 외부로부터 원시 화상신호를 제공받아 한 프레임에 대응하는 원시 화상신호의 채도 및 계조 특성을 체크한다. 이어, 체크된 채도 및 계조 특성을 근거로 적응적으로 원시 화상신호를 다색 화상신호로 변경하여 화상 표시를 위해 출력하고, 적응적으로 휘도를 제어한다. 이에 따라, 멀티-컬러를 표시할 때 원시 화상신호를 적응적으로 컬러 신호의 계조를 변경하도록 처리하고, 광원의 세기를 원시 화상신호에 따라 조절하므로써, 멀티-컬러 표시시 고채도의 색 휘도가 낮아지는 문제점을 극복할 수 있다.
멀티-컬러, 휘도, 색감, 색재현성, 채도, 계조, 액정
摘要翻译：公开了具有自适应颜色转换功能和亮度增加功能的图像显示方法和显示设备，以及其驱动设备和方法。并接收来自外部的原始图像信号以检查对应于一帧的原始图像信号的饱和度和灰度特性。随后，基于检查的饱和度和灰度特性将原始图像信号自适应地改变为多色图像信号，并输出用于图像显示，从而自适应地控制亮度。因此，多显示器，表示颜色处理改变为原始图像信号中的彩色信号的灰度级自适应，并且通过根据与光源的原始图像信号中的强度，在彩色显示的时间多降低彩色亮度，高饱和度控制可以克服失败的问题。

76. 发明授权

KR100975772B1 컬러필터 기판, 이의 제조방법 및 이를 포함하는액정표시장치 有权
标题翻译：彩色滤光片基板，其制造方法和包括其的液晶显示装置
公开(公告)号：KR100975772B1
公开(公告)日：2010-08-17
申请号：KR1020030061892
申请日：2003-09-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍문표 , 노남석 , 송근규
IPC分类号： G02F1/1335
摘要： 광 특성과 동시에 생산성을 향상시키기 위한 컬러필터 기판, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 액정표시장치가 개시되어 있다. 액정표시장치의 컬러필터는 R, G, B 및 W 표시영역을 구획하는 블랙매트릭스가 형성된 기판과 R, G, B 표시영역에 각각 구비되는 R, G, B 컬러필터를 포함한다. W 표시영역에 구비되어 R, G, B 컬러필터와 같은 높이를 갖는 제1 유기막 패턴과 액정층의 두께를 정의하는 제2 유기막 패턴을 포함한다. 또한, R, G, B 컬러필터 및 제1 유기막 패턴 상에 구비되는 공통전극을 포함한다. 따라서, 상술한 구성을 갖는 컬러필터 기판은 광 특성 향상과 동시에 생산성을 향상시키기 위한 4색의 액정표시장치를 제조하는데 적용될 수 있다.

77. 发明授权

KR100940573B1 평면 표시 장치 有权
标题翻译：平面显示设备
公开(公告)号：KR100940573B1
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：KR1020030043594
申请日：2003-06-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신경주 , 오준학 , 김진홍 , 노남석 , 홍문표 , 채종철
IPC分类号： G02F1/133
摘要： 절연 기판; 절연 기판 위에 행 방향으로 형성되어 있는 복수개의 게이트선; 절연 기판 위에 열 방향으로 형성되어 있으며 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 복수개의 데이터선; 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 복수개의 스위칭 소자; 스위칭 소자에 연결되어 있는 복수개의 화소 전극을 포함하고 적색 화소 전극, 녹색 화소 전극 및 청색 화소 전극은 각각 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 대응하며, 2개의 적색 화소 전극, 2개의 녹색 화소 전극 및 2개의 청색 화소 전극으로 하나의 도트가 이루어지며, 상기 하나의 도트에서 행 방향으로 적색 화소 전극 및 녹색 화소 전극이 교대로 배열되어 있고, 열 방향으로 적색 화소 전극 및 상기 녹색 화소 전극이 교대로 배열되어 있으며, 청색 화소 전극은 두 화소행에 걸쳐서 하나의 마름모 모양을 형성하고 있으며, 서로 이웃하는 두 행에서 마름모 모양을 중심으로 대각선 방향으로 적색 화소 전극 및 녹색 화소 전극이 서로 마주하도록 배치되어 있고, 2개의 청색 화소 전극은 데이터선을 기준으로 분리되어 있으며, 각각의 청색 화소 전극에 스위칭 소자가 연결되어 있는 평면 표시 장치.
평면표시장치, 펜타일, 마름모, 렌더링, 유지전극배선
摘要翻译：绝缘基板; 在绝缘基板上沿行方向形成的多条栅极线; 多条数据线，形成在绝缘基板上的列方向上并与栅极线绝缘并相交; 多个开关元件，连接到栅极线和数据线; 包括多个连接到所述开关装置和对应于红色像素电极，绿色像素电极的像素电极，和蓝色像素电极分别是红色像素，绿色像素和蓝色像素，以及两个红色像素电极，以及两个绿色像素电极，和两个蓝色变成了像素电极构成的一个点，并且是红色像素电极和在红色像素电极交替地排列在沿着行方向的一个点和布置在列方向上的绿色像素电极和绿色像素电极是交替红色像素电极和绿色像素电极在相邻的两列中以菱形形状的对角线方向相对配置，两个蓝色像素电极基于数据线和蓝色像素电极分离其中连接了一个开关元件。

78. 发明授权

KR100925474B1 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 失效
标题翻译：液晶显示器用薄膜晶体管基板的制造方法
公开(公告)号：KR100925474B1
公开(公告)日：2009-11-06
申请号：KR1020090000786
申请日：2009-01-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김상갑 , 홍문표 , 노남석 , 유승희 , 송근규 , 정진구 , 김보성
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1333
摘要： 절연 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이어, 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성한 다음, 게이트 전극의 게이트 절연막 상부에 반도체 패턴을 형성한다. 이어, 반도체 패턴 또는 게이트 절연막 상부에 데이터선과 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 데이터 배선 및 반도체 패턴을 덮는 보호막을 도포한 다음, 보호막의 일부를 제거하여 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉 구멍을 형성한다. 이어, 보호막에 Cl2/O2 또는 HCl/O2 기체를 이용하여 플라스마 처리를 실시한 다음, O2 플라스마를 이용한 건식 세정 또는 Al 또는 Cr의 식각액과 같이 HNO3을 포함하는 식각액을 이용한 습식 세정을 실시한다. 이어, 제1 접촉 구멍을 통해 드러난 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다.
플라스마, 건식세정, 습식세정, 접촉구멍, 유기절연막, 접촉저항
摘要翻译：包括栅极线，栅极电极和栅极焊盘的栅极布线形成在绝缘基板上。接下来，在形成覆盖栅极布线的栅极绝缘膜之后，在栅极的栅极绝缘膜上形成半导体图案。然后，在半导体图案或栅极绝缘层上形成包括数据线，源电极，漏电极和数据焊盘的数据线。接着，施加覆盖数据线和半导体图案的保护膜，然后去除保护膜的一部分以形成用于暴露漏电极的第一接触孔。接着，传导由在保护膜使用氯气/ O2或HCl / O 2气体，然后，湿法清洗使用含有HNO 3的蚀刻液作为干洗或以Al或Cr O 2等离子体蚀刻溶液进行等离子体处理。接下来，形成连接到通过第一接触孔暴露的漏电极的像素电极。

79. 发明授权

KR100900536B1 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법 失效
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR100900536B1
公开(公告)日：2009-06-02
申请号：KR1020010042733
申请日：2001-07-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노남석
IPC分类号： G02F1/136
摘要： 본 발명은 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 제조 공정을 단순화하기 위하여, 데이터 배선과 화소 전극을 동시에 형성하고, 도금에 의하여 데이터선의 저항을 낮추는 금속 패턴을 데이터선 위에 형성한다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 기판 위에 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있고, 게이트 절연막이 게이트 배선을 덮고 있다. 게이트 절연막 위에는 반도체 패턴이 형성되어 있으며, 데이터선, 데이터선에 연결되어 반도체 패턴에 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 소스 전극에 대응하여 반도체 패턴에 전기적으로 연결되는 드레인 전극 및 드레인 전극과 일체를 이루는 화소 전극이 형성되어 있다. 보호막이 데이터선을 따라 위치하여 데이터선을 드러내는 제2 개구 패턴 및 화소 전극을 드러내는 제1 개구 패턴을 가지고 기판 전면에 형성되어 있고, 제2 개구 패턴에는 데이터선을 따라 금속 패턴이 형성되어 있다.
공정 단순화, 도금 기술, 저저항 금속 패턴, 데이터선, 화소 전극

80. 发明授权

KR100878280B1 4색 구동 액정 표시 장치 및 이에 사용하는 표시판 有权
标题翻译：液晶显示器使用4个颜色和面板
公开(公告)号：KR100878280B1
公开(公告)日：2009-01-13
申请号：KR1020020072289
申请日：2002-11-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송근규 , 최정예 , 노남석
IPC分类号： G02F1/13357
CPC分类号： G02F1/133604 , G02F1/133514 , G02F1/133609 , G02F1/134309 , G02F2201/52
摘要： 적색, 녹색, 청색 및 백색 화소를 가지는 액정 표시 패널 및 액정 표시 패널의 일측에 배치되어 있는 백라이트 유닛을 포함하고, 백라이트 유닛이 내는 빛은 x 색좌표가 0.31에서 0.34 사이이고, y 색좌표가 0.32에서 0.35 사이인 액정 표시 장치를 마련한다.
액정표시장치, 4색 구동, 백색 화소

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