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71. 外观设计

KR3003893420000S 失效
公开(公告)号：KR3003893420000S
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：KR3020040040025
申请日：2004-12-24
申请人： 브이케이 주식회사
设计人： 임철현

72. 发明授权

KR100493517B1 확장메모리를 장착한 이어폰 및 이를 구비한 메모리확장장치 失效
标题翻译：具有扩展存储器的耳机和延伸具有相同存储器的存储器
公开(公告)号：KR100493517B1
公开(公告)日：2005-06-07
申请号：KR1020030052810
申请日：2003-07-30
申请人： 브이케이 주식회사
发明人： 박재용
IPC分类号： H04R1/10
摘要： 본 발명은, 확장메모리를 장착한 이어폰 및 이를 구비한 메모리 확장장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 확장메모리를 장착한 이어폰은, 휴대용 전자제품의 이어폰잭에 전기적으로 접속하여 음을 전달하는 이어폰에 있어서, 전기신호의 양방향 이동이 가능한 소정 길이의 이어폰코드; 상기 이어폰코드의 일단부에 마련되어 전기적 음성신호를 인식 가능한 음성으로 변환하는 스피커부; 상기 이어폰코드에 전기적으로 연결되며, 상기 휴대용 전자제품의 이어폰잭에 전기적으로 접속되는 이어폰플러그; 및 상기 이어폰코드와 전기적으로 연결되어 상기 이어폰플러그를 통해 송수신되는 정보를 저장하는 확장메모리;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 메모리 확장이 필요한 경우에 호환성이 뛰어나 거의 모든 휴대폰이나 엠피쓰리(MP3) 플레이어 등에 접속되어 별도의 외부 메모리로 사용할 수 있으며 평상시에는 무리 없이 이어폰으로서 사용할 수 있게 된다.

73. 外观设计

KR3003755760000S 失效
公开(公告)号：KR3003755760000S
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：KR3020030034020
申请日：2003-11-28
申请人： 브이케이 주식회사
设计人： 정재우

74. 外观设计

KR3003675080000S 失效
公开(公告)号：KR3003675080000S
公开(公告)日：2004-11-26
申请号：KR3020040003226
申请日：2004-02-09
申请人： 브이케이 주식회사
设计人： 임철현

75. 外观设计

KR3003675010000S 失效
公开(公告)号：KR3003675010000S
公开(公告)日：2004-11-26
申请号：KR3020040002570
申请日：2004-02-03
申请人： 브이케이 주식회사
设计人： 서수희

76. 发明授权

KR100454215B1 밴드갭 기준전압 발생회로의 스타트업 회로 有权
标题翻译： 밴드갭기준전압발생회로의스타트업회로
公开(公告)号：KR100454215B1
公开(公告)日：2004-10-26
申请号：KR1020010062346
申请日：2001-10-10
申请人： 한국전자통신연구원 , 브이케이 주식회사
发明人： 권종기 , 정희범 , 조한진
IPC分类号： G05F3/26
摘要： PURPOSE: A startup circuit of a bandgap reference voltage generation circuit is provided to perform easily control operations according to signal modes and reduce the power consumption by simplifying a total structure of the startup circuit. CONSTITUTION: A P-type MOSFET(101) includes a source connected with a supply voltage terminal(VDD) and a gate connected with an earth portion. One end of a switch(110) is connected with a drain of the P-type MOSFET(101). The other end of the switch(110) is connected with a drain and a gate of the first N-type MOSFET(102). The switch(110) is turned on or off according to an external enable signal(EN). A current mirror(MR1) is formed with the first N-type MOSFET(102) and the second N-type MOSFET(103). The third N-type MOSFET(104) has a gate and a drain connected with a source of the first N-type MOSFET(102). An output terminal is formed at a drain of the second N-type MOSFET(103).
摘要翻译：目的：提供带隙参考电压产生电路的启动电路，以根据信号模式容易地执行控制操作，并通过简化启动电路的总体结构来降低功耗。构成：P型MOSFET（101）包括与电源电压端（VDD）连接的源极和与接地部分连接的栅极。开关（110）的一端与P型MOSFET（101）的漏极连接。开关（110）的另一端与第一N型MOSFET（102）的漏极和栅极连接。开关（110）根据外部使能信号（EN）打开或关闭。电流镜（MR1）由第一N型MOSFET（102）和第二N型MOSFET（103）形成。第三N型MOSFET（104）具有与第一N型MOSFET（102）的源极连接的栅极和漏极。输出端形成在第二N型MOSFET（103）的漏极处。

77. 外观设计

KR3003543700000S 失效
公开(公告)号：KR3003543700000S
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：KR3020030023685
申请日：2003-08-21
申请人： 브이케이 주식회사
设计人： 임철현

78. 外观设计

KR3003428470000S 失效
公开(公告)号：KR3003428470000S
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：KR3020030006210
申请日：2003-03-07
申请人： 브이케이 주식회사
设计人： 고정욱

79. 外观设计

KR3003333900000S 失效
公开(公告)号：KR3003333900000S
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR3020020023397
申请日：2002-08-19
申请人： 브이케이 주식회사
设计人： 박순연

80. 外观设计

KR3003287820000S 失效
公开(公告)号：KR3003287820000S
公开(公告)日：2003-07-22
申请号：KR3020020017683
申请日：2002-06-20
申请人： 브이케이 주식회사
设计人： 박순연

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