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61. 发明公开

KR1020120080246A 무극성 질화(알루미늄, 붕소, 인듐, 갈륨) 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치 无效
标题翻译：非极性（AL，B，IN，GA）N量子和结构材料和器件
公开(公告)号：KR1020120080246A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：KR1020127014158
申请日：2003-04-15
申请人： 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 크레이븐,마이클디. , 켈러,스타시아 , 덴바아아스,스티븐피. , 마르갈리스,탈 , 스펙,제임스에스. , 나카무라,슈지 , 미슈라,우메쉬,케이.
IPC分类号： C30B25/02 , H01L33/00
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/02 , C30B25/04 , C30B25/105 , C30B25/18 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647
摘要： 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치를 성형하기 위한 방법. 무극성 (1120) a면 GaN 층은 MOCVD를 이용하여 r면(1102) 사파이어 기판 위에서 성장된다. 상기 무극성 (1120) a면 GaN 층은 무극성 (Al,B,In,Ga)N 양자우물 및 이형구조 재료 및 장치를 성형하기 위한 템플릿을 포함한다.
본 발명은 캘리포니아대 산타 바바라 고체 조명 및 디스플레이 연구소(SSLDC)의 회원사인 스탠리 전자(Stanley Electric Co., Ltd.), 미쓰비시 화공(Mitsubishi Chemical Corp.), 로옴 전자(Rohm, Co., Ltd.), 크리(Cree, Inc.), 마쓰시다 전공(Matsushita Electric Works), 마쓰시다 전기(Matsushita Electric Industrial Co.), 및 서울 반도체(Seoul Semiconductor Co., Ltd.)의 지원을 받아 이루어졌다.

62. 发明公开

KR1020110058014A Ｓｉ 템플릿 제조방법 및 그 Ｓｉ 템플릿 위에 성장된 ＳｉＣ 단결정 박막 无效
标题翻译：使用湿蚀刻工艺对SI模板和SIC板的制造方法
公开(公告)号：KR1020110058014A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090114666
申请日：2009-11-25
申请人： 한국전기연구원
发明人： 방욱 , 주성재 , 강인호 , 김상철 , 김남균
IPC分类号： C30B29/36 , C30B25/02
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a Si template and a SiC single crystallization thin film grown on the Si template are provided to supply a structure in which highly dense defects compensate for each other by an inexpensive wetting process, thereby inexpensively producing a high quality SiC single crystallization thin film. CONSTITUTION: A thermal oxide film is grown in a Si substrate. The thermal oxide film is micro-patterned and regularly arranged to form a square structure. A Si substrate is etched by using a KOH solution. A Si template of a reverse pyramid structure is formed on the surface of the Si substrate. A Si-containing gas and a C-containing gas are supplied to the Si template so that a 3C-SiC thin film(208) can be deposited on the Si template.
摘要翻译：目的：提供一种生长在Si模板上的Si模板和SiC单结晶薄膜的制造方法，以便通过廉价的润湿工艺提供高密度缺陷相互补偿的结构，从而廉价地生产出高质量的SiC单晶结晶薄膜。构成：在Si衬底中生长热氧化膜。热氧化膜被微图案化并且规则地布置以形成正方形结构。通过使用KOH溶液蚀刻Si衬底。在Si衬底的表面上形成反锥体结构的Si模板。将Si含有气体和含C气体供给到Si模板，使得可以在Si模板上沉积3C-SiC薄膜（208）。

63. 发明公开

KR1020110032944A ＩＩＩ족 금속 질화물 반도체 결정 성장 장치 및 방법 有权
标题翻译： III组金属氮化物生长的装置和方法
公开(公告)号：KR1020110032944A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：KR1020090090716
申请日：2009-09-24
申请人： 시스솔루션 주식회사
发明人： 양민 , 안형수 , 하홍주
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/38
摘要： PURPOSE: An apparatus and a method for iii group metal nitride growth are provided to grow non-polar III group metal-nitride semiconductor having high flatness by using antimony as a catalyst functioned as an interface activity. CONSTITUTION: In an apparatus and a method for iii group metal nitride growth, a gas service pipe(120) supplies hydrogen chloride gas, ammonia gas, and carrier gas to a reaction tube(110). A metal material mounting unit(150) is arranged in one side within the reaction tube. An III group metal - antimony mixture of III group metal and antimony is mounted in the metal material mounting unit. A substrate(140) is arranged in the other side within the reaction tube. A temperature controller(130) controls the temperature of the substrate and the metal material mounting unit.
摘要翻译：目的：提供一种用于III族金属氮化物生长的装置和方法，以通过使用锑作为界面活性的催化剂来生长具有高平坦度的非极性III族金属氮化物半导体。构成：在用于iii组金属氮化物生长的装置和方法中，气体管道（120）向反应管（110）供应氯化氢气体，氨气和载气。金属材料安装单元（150）布置在反应管内的一侧。 III族金属和锑的III族金属 - 锑混合物安装在金属材料安装单元中。衬底（140）布置在反应管内的另一侧。温度控制器（130）控制基板和金属材料安装单元的温度。

64. 发明公开

KR1020100138846A 벌크 단결정 갈륨 함유 질화물 제조 방법, 벌크 단결정 갈륨 함유 질화물, 그 제조 기판, 및 그 기판상에 제조된 소자 无效
标题翻译：获得单体晶氮含氮氮化物的方法，其中含有氮化硅的单晶含氮氮化物，其制造的衬底和在这些衬底上制造的器件
公开(公告)号：KR1020100138846A
公开(公告)日：2010-12-31
申请号：KR1020100060350
申请日：2010-06-25
申请人： 암모노 에스피. 제트오. 오.
发明人： 드빌린스키로버트토마츠 , 도라드찐스키로만마레크 , 씨에르쯔프톱스키레체크피오트르 , 가르친스키제르찌 , 루드친스키마리우츠
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/38 , H01L21/20
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/00 , C30B29/406 , C30B33/02 , H01L29/2003 , H01L29/7786
摘要： PURPOSE: A method of obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, substrates manufactured thereof and devices manufactured on such substrates are provided to offer the electron structure using material manufactured on a substrate. CONSTITUTION: The monocrystal gallium containing nitride(4) is crystallized from the solution containing the supercritical ammonia which contains the family I metallic ion and the acceptor dopant ion. In the processing condition, the molar ratio of the acceptor dopant ion to the supercritical ammonia containing solvent is 0.0001 at least.
摘要翻译：目的：提供一种获得块状单晶含镓氮化物，块状单晶含镓氮化物，其制造的衬底和在这些衬底上制造的器件的方法，以使用在衬底上制造的材料提供电子结构。构成：含有单晶镓的氮化物（4）从含有I族金属离子和受主掺杂离子的超临界氨的溶液中结晶。在处理条件下，受体掺杂剂离子与超临界含氨溶剂的摩尔比至少为0.0001。

65. 发明公开

KR1020090093064A 질화갈륨 벌크 제조장치 및 그 제조방법 无效
标题翻译：制造甘薯块的装置和方法
公开(公告)号：KR1020090093064A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：KR1020080018376
申请日：2008-02-28
申请人： 주식회사 지에이엔텍
发明人： 원상현
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/02 , C01B21/06 , H01L21/20
摘要： An apparatus and Method for manufacturing GaN bulk is provided to manufacture the high quality gallium nitride single crystal bulk of 0.2~10cm thickness by removing ammonium chloride powder. A coil is winded so that the gallium supplying device(125) maintain 40°C. The gallium supplying nozzle(126) and HCl supplying nozzle(110) are inserted inside the reactor tube(102). The ammonia supplying nozzles(123) are arranged in the gallium supplying tube(122) in a regular interval. The boat(121) consists of a quartz plate. The quartz bars of 1~5 is formed on the quartz plate to classify the predetermined amount of the gallium for reception.
摘要翻译：提供了一种用于制造GaN体的装置和方法，以通过除去氯化铵粉末制造0.2〜10cm厚度的高质量氮化镓单晶体。缠绕线圈使得镓供给装置（125）保持40℃。镓供应喷嘴（126）和HCl供应喷嘴（110）插入反应器管（102）内。氨供给喷嘴（123）以规定间隔配置在镓供给管（122）中。船（121）由石英板组成。在石英板上形成1〜5的石英棒，对预定量的镓进行分类以进行接收。

66. 发明授权

KR100839707B1 두꺼운 단결정 다이아몬드 층, 이의 제조방법 및 상기층으로부터 제조된 젬스톤 有权
标题翻译：厚度单晶金刚石层，其制造方法和从层中生产的GEMSTONTON
公开(公告)号：KR100839707B1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020027017121
申请日：2001-06-14
申请人： 엘리먼트 씩스 (프티) 리미티드
发明人： 스카스브룩조프레이알란 , 마티뉴필립모리스 , 돈베르벨수잔느카롯테 , 쿠퍼앤드류마이클 , 콜린스존로이드 , 화이트헤드앤드류존 , 트위첸다니엘제임스 , 서스만리카르도시몬
IPC分类号： C30B25/02
CPC分类号： C30B25/105 , A44C17/00 , B01J3/06 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/04 , Y10T428/263 , Y10T428/30
摘要： 본 발명은 2mm 이상의 두께를 갖는 고급 단결정 CVD 다이아몬드 층에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 CVD 다이아몬드 층의 제조방법을 제공한다. 상기 CVD 다이아몬드의 제조방법은 300ppb(part per billion) 미만의 질소를 함유하는 분위기하에서 낮은 결함 밀도의 기판상에 상기 다이아몬드 층을 호모에피택셜(homoepitaxial) 성장시키는 것과 관련된다. 상기 층으로부터 젬스톤을 제조할 수 있다.

67. 发明授权

KR100838433B1 질화갈륨 결정 기판의 제조 방법 및 질화갈륨 결정 기판 有权
标题翻译：生产氮化镓晶体基板和氮化钠晶体基板的方法
公开(公告)号：KR100838433B1
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：KR1020020016387
申请日：2002-03-26
申请人： 히다찌 케이블 리미티드
发明人： 시바따마사또모 , 구로다나오따까
IPC分类号： C30B25/02
CPC分类号： H01L21/02491 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , Y10S117/915
摘要： 단결정 사파이어 기판과, 사파이어 기판 상에 성장된 단결정 질화갈륨막을 포함하는 기판, 및 단결정 반도체 기판 중의 어느 하나인 출발 기판 상에 금속막을 퇴적시켜, 금속막 상에 질화갈륨막을 퇴적시킨 적층 기판을 형성한다. 질화갈륨막의 성장 후에 질화갈륨막은 출발 기판과의 박리가 용이하게 됨으로써, 간편한 방법으로 저 결함 밀도로 불순물 오염이 적은 질화갈륨 결정 기판이 제공된다.
질화갈륨, 출발 기판, 사파이어 기판, 마스크, 반도체 결정 기판,

68. 发明授权

KR100833897B1 에피택셜 성장 방법 有权
标题翻译：外源生长方法
公开(公告)号：KR100833897B1
公开(公告)日：2008-06-02
申请号：KR1020070049040
申请日：2007-05-21
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 오재응 , 김문덕 , 노영균
IPC分类号： C30B25/02
摘要： An epitaxial growth method is provided to effectively manufacture various epitaxial substrates by suppressing defects in an epitaxial layer using quantum points. An epitaxial growth method includes: preparing a single crystal substrate(S501); growing a first epitaxial layer on the single crystal substrate(S502); forming quantum points on the first epitaxial layer(S503); moving the quantum points on the first epitaxial layer to a stage having a relative lower surface energy according to a difference between surface energies(S504); and growing a second epitaxial layer having the same or similar lattice constant as that of the first epitaxial in a state that a uniform lattice constant is formed at the entire surface of the first epitaxial(S505). A silicon substrate or a chemical compound semiconductor substrate is used as the single crystal substrate.
摘要翻译：提供外延生长方法，通过使用量子点抑制外延层中的缺陷来有效地制造各种外延基板。外延生长方法包括：制备单晶衬底（S501）; 在单晶衬底上生长第一外延层（S502）; 在第一外延层上形成量子点（S503）; 将所述第一外延层上的所述量子点移动到具有相对较低的表面能的级，根据表面能之间的差异（S504）; 以及在所述第一外延整个表面上形成均匀的晶格常数的状态下生长具有与所述第一外延相同或相似晶格常数的第二外延层（S505）。硅基板或化合物半导体基板用作单晶基板。

69. 发明授权

KR100797131B1 기판과 실리콘층을 포함하고, 게르마늄이 헤테로에피택셜방식으로 표면에 증착된 다층 구조체 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：包含基材和一层硅和锗的多层结构，其制备方法及其制备方法
公开(公告)号：KR100797131B1
公开(公告)日：2008-01-22
申请号：KR1020050100111
申请日：2005-10-24
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 슈토르크페터
IPC分类号： C30B25/02
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02494 , H01L21/0251 , H01L21/02532
摘要： 본 발명은, 기판, 헤테로에피택셜 방식으로 표면에 증착되어 있고, Si
1
-
x Ge
x 의 조성을 가지며 실리콘의 격자 상수와 상이한 격자 상수를 가진, 실리콘과 게르마늄의 층(SiGe층), 및 상기 SiGe층 상에 증착되고 Si
1
-
y Ge
y 의 조성을 가진 얇은 계면층을 가진 다층 구조체로서, 상기 얇은 계면층은 스레딩 전위를 구속하고, 상기 계면층 상에 하나 이상의 추가의 층이 증착되어 있는 다층 구조체에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 다층 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
다층 구조체, 계면층, 변형 실리콘층, 표면 조도, 스레딩 전위 밀도, 격자 상수, 게르마늄, 헤테로에피택셜

70. 发明授权

KR100626625B1 질화갈륨의 에피택셜층의 제조 방법 有权
标题翻译：用于生产氮化铝外延层的方法
公开(公告)号：KR100626625B1
公开(公告)日：2006-09-22
申请号：KR1020007004178
申请日：1998-10-15
申请人： 뤼미로그 (에스.에이.)
发明人： 보몽베르나르 , 기바르삐에르 , 귈로므쟝-끌로드 , 나따프질 , 바이유미셸 , 아푸수피엥
IPC分类号： C30B25/02
CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01S5/32341
摘要： 본 발명은 마스크로서 작용하는 유전체층을 기재상에 증착시키고, 차폐된 질화갈륨(GaN)을 에피택셜 증착에 의해 증착시켜 질화갈륨 패턴의 증착 및 이 패턴의 이방성 측면성 성장을 유발하도록 하며, 상이한 패턴이 합착될 때까지 측면성 성장을 지속하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 에피택셜층의 제조 방법에 관한 것이다. 질화갈륨 패턴의 증착은 유전체 에칭 처리에 의해 현장외에서 수행하거나 또는 두께가 1 Å 정도인 유전체 필름으로 코팅시키기 위해 기재를 처리하여 현장내에서 수행할 수 있다. 또한, 본 발명은 이러한 방법에 의해 얻은 질화갈륨층에 관한 것이다.

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