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热词
    • 61. 发明公开
    • 압전체 박막을 이용한 지문인식 센서
    • 使用压电元件薄膜的指纹识别传感器
    • KR1020020086971A
    • 2002-11-21
    • KR1020010025983
    • 2001-05-12
    • 삼성전자주식회사
    • 김창정박영수이준기
    • G06K9/00
    • G06K9/0002
    • PURPOSE: A fingerprint recognizing sensor using a piezoelectric element thin film is provided to display a result value fixedly regardless of variation of temperature and humidity by arraying a unit element capable of being sensed accurately in accordance with a pressure of a groove portion between protrusions of a fingerprint as an array format using a piezoelectric phenomenon. CONSTITUTION: A supporting layer(33) is formed at the upper portion of a base plate(31) including a cavity(32). The lower electrode(34) is formed at the upper portion of the supporting layer(33). A piezoelectric element thin film(35) is formed at the upper portion of the lower electrode(34) corresponded to the cavity(32). The upper electrode(36) is formed at the upper portion of the piezoelectric element thin film(35). A pressing unit(38) for being contacted with a fingerprint and giving a pressure is prepared at the upper portion of the upper electrode(36). A non-conductive layer(37) is formed among the pressing unit(38), the lower electrode(34), and the supporting layer(33). A wiring(39) for transmitting electric current values of the electrodes(34,36) to an exterior is formed in the non-conductive layer(37).
    • 目的:提供一种使用压电元件薄膜的指纹识别传感器,通过排列能够精确检测的单元元件,根据温度和湿度的突起之间的槽部的压力,固定地显示结果值 指纹作为使用压电现象的阵列格式。 构成:在包括空腔(32)的基板(31)的上部形成支撑层(33)。 下电极(34)形成在支撑层(33)的上部。 压电元件薄膜(35)形成在对应于空腔(32)的下电极(34)的上部。 上电极(36)形成在压电元件薄膜(35)的上部。 在上电极(36)的上部准备用于与指纹接触并施加压力的按压单元(38)。 在按压单元(38),下电极(34)和支撑层(33)之间形成非导电层(37)。 在非导电层(37)中形成用于将电极(34,36)的电流值传输到外部的布线(39)。
    • 62. 发明授权
    • 메모리 카드
    • KR100335716B1
    • 2002-05-08
    • KR1020000027743
    • 2000-05-23
    • 삼성전자주식회사
    • 이준기하웅기송영희권영신
    • G06K19/04
    • 본 발명은 메모리 카드에 관한 것으로서, 메모리 카드의 크기를 축소하여 디지털 기기의 소형화에 적합하도록 하는 한편, 사용상 취급이 간편하고 신뢰성이 우수한 초소형 메모리 카드를 제공하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 카드는 그 크기가 패키지 수준으로 축소되며, 막대형의 외부 접촉 패드들이 일렬로 메모리 카드의 한쪽 끝에 치우쳐 형성된다. 본 발명의 실시예에 따른 메모리 카드의 크기는 22㎜×30㎜이고 두께는 약 1.2㎜이며, 외부 접촉 패드 각각의 폭은 0.85㎜이고 핀 피치는 1.10㎜로 외부 접촉 패드들은 카드 전체 면적의 약 15% 이하를 점유한다. 메모리 카드는 플라스틱 카드 몸체와 반도체 패키지로 구성되며, 카드 몸체의 제 1 면에 형성된 캐버티에는 반도체 패키지가 물리적으로 결합된다. 패키지는 기판과 메모리 칩과 몰딩 수지층으로 구성되며, 기판의 양쪽 면에는 회로 배선과 외부 접촉 패드들이 형성되어 서로 전기적으로 연결된다. 메모리 칩은 기판에 탑재되어 회로 배선과 전기적으로 연결되며, 몰딩 수지층에 의하여 밀봉된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 몰딩 수지층은 금형 주입구 쪽에 해당하는 부분에 오목부가 형성되어, 수지 잔여물의 제거 후 잔여물의 일부가 남아 있더라도 카드 몸체와 패키지 사이의 결합에 영향을 받지 않는다. 본 발명의 메모리 카드는 MP3 폰, MP3 플레이어, 디지털 카메라 등의 디지털 기기에 데이터 저장 및 재생의 용도로 사용된다.
    • 64. 发明公开
    • 강유전성 캐패시터의 제조방법
    • 制造电容器的方法
    • KR1020010092661A
    • 2001-10-26
    • KR1020000086285
    • 2000-12-29
    • 삼성전자주식회사
    • 이준기구본재
    • H01L27/105
    • PURPOSE: A fabrication method of a ferroelectric capacitor is provided to minimize a degradation of a ferroelectric thin film due to a hydrogen by applying a predetermined bias to the ferroelectric thin film. CONSTITUTION: A lower electrode(20) is formed on a silicon substrate(10) by DC magnetron sputtering. A ferroelectric film(30), such as PZT or SBT is formed on the lower electrode(20) by sol-gel method. An upper electrode(40) is formed on the ferroelectric film(30) and a barrier layer(50) is formed on the resultant structure. After forming an IMD(inter-metal dielectric) layer(60) having a contact hole, a metal interconnection(70) is formed on the exposed upper electrode(40). By applying a desired voltage to the ferroelectric film(30) via the metal interconnection(70) and the lower electrode(20), dipoles are constantly arranged in the ferroelectric film. At this time, the upper electrode(40) is applied to a positive voltage and the lower electrode(20) is applied to a negative voltage.
    • 目的:提供一种强电介质电容器的制造方法,通过向铁电薄膜施加预定的偏压来最小化由于氢而导致的铁电薄膜的劣化。 构成:通过DC磁控溅射在硅衬底(10)上形成下电极(20)。 通过溶胶 - 凝胶法在下电极(20)上形成诸如PZT或SBT的铁电体膜(30)。 在强电介质膜(30)上形成上电极(40),在所得结构上形成阻挡层(50)。 在形成具有接触孔的IMD(金属间电介质)层(60)之后,在暴露的上电极(40)上形成金属互连(70)。 通过经由金属互连(70)和下电极(20)向铁电体膜(30)施加期望的电压,在铁电体膜中恒定地配置偶极子。 此时,将上电极(40)施加到正电压,并将下电极(20)施加到负电压。