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51. 发明授权

KR101118320B1 반도체 자기 조성물 失效
公开(公告)号：KR101118320B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020117024173
申请日：2005-08-11
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 시마다타케시 , 마츠모토케이 , 테라오코이치 , 토지카즈야 , 니시카와카즈히로
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/01
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6585 , H01G4/1227
摘要： 본발명은, BaTiO계반도체자기조성물에있어서, Pb를사용하는일 없이, 퀴리온도를정의방향으로시프트할수 있음과함께, 실온에서의저항률을대폭적으로저하시킨, 반도체자기조성물을제공하는것을목적으로한다. 본발명은, Ba의일부를 A1원소(Na, K, Li의적어도 1종)와 A2원소(Bi)로치환함과함께, 또한 Ba를특정량의 Q원소로치환하거나, Ba의일부를 A1원소(Na, K, Li의적어도 1종)와 A2원소(Bi)로치환함과함께, Ti의일부를특정량의 M원소로치환함으로써, 최적의원자가(原子價) 제어를할 수있고, 실온에서의저항률을대폭적으로저하시킬수 있고, PTC 서미스터, PTC 히터, PTC 스위치, 온도검지기등, 특히자동차용히터등의용도에최적이다.

52. 发明公开

KR1020120012781A 허니컴 구조물의 경화를 위한 기재 및 방법 无效
标题翻译：用于固化蜂窝结构的方法和基板
公开(公告)号：KR1020120012781A
公开(公告)日：2012-02-10
申请号：KR1020117022249
申请日：2010-03-22
申请人： 생-고뱅 생트레 드 레체르체 에 데투드 유로삐엔
发明人： 슈만마티아스
IPC分类号： C04B35/64 , C04B38/00 , C04B35/465 , C04B35/565
CPC分类号： F27D5/00 , C04B35/10 , C04B35/185 , C04B35/195 , C04B35/478 , C04B35/565 , C04B35/6262 , C04B35/62665 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3234 , C04B2235/3244 , C04B2235/3418 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/606 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/9615 , C04B2235/9623 , C04B35/465 , C04B38/00
摘要： 본 발명은 경화 기재 상에서 다공성 세라믹 허니컴 구조물을 경화하는 방법에 관한 것이며, 상기 구조물은 구조물의 두 단부에서 종결되는 복수의 종방향 관통 채널을 포함하며, 기재 상에 지지되는 단부는 경화 전에, 구조물의 주축을 관통하는 종방향 단면을 따라 최대 폭 L
s 를 가지며, 상기 방법은 기재가 상기 종방향 단면을 따라, 경화될 구조물의 지지면 역할을 하는 제1 기재면에 대응되고 최대 폭 L
1 을 갖는 제1 레벨, 상기 제1 기재면으로부터 두께 E
1-2 만큼 이격되고 최대 폭 L
2 를 갖는 제2 레벨을 가지며, 폭 L
1 은 L
s 이상이고 폭 L
2 는 L
1 미만인 것을 특징으로 한다. 본 발명은 또한 상기 기술된 기재에 관한 것이다.

53. 发明公开

KR1020110129958A 반도체 자기 조성물 失效
标题翻译： SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION
公开(公告)号：KR1020110129958A
公开(公告)日：2011-12-02
申请号：KR1020117024173
申请日：2005-08-11
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 시마다타케시 , 마츠모토케이 , 테라오코이치 , 토지카즈야 , 니시카와카즈히로
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/01
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6585 , H01G4/1227
摘要： 본 발명은, BaTiO
3 계 반도체 자기 조성물에 있어서, Pb를 사용하는 일 없이, 퀴리 온도를 정의 방향으로 시프트할 수 있음과 함께, 실온에서의 저항률을 대폭적으로 저하시킨, 반도체 자기 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, Ba의 일부를 A1원소(Na, K, Li의 적어도 1종)와 A2원소(Bi)로 치환함과 함께, 또한 Ba를 특정량의 Q원소로 치환하거나, Ba의 일부를 A1원소(Na, K, Li의 적어도 1종)와 A2원소(Bi)로 치환함과 함께, Ti의 일부를 특정량의 M원소로 치환함으로써, 최적의 원자가(原子價) 제어를 할 수 있고, 실온에서의 저항률을 대폭적으로 저하시킬 수 있고, PTC 서미스터, PTC 히터, PTC 스위치, 온도 검지기 등, 특히 자동차용 히터 등의 용도에 최적이다.

54. 发明授权

KR101050990B1 유전체 세라믹 조성물, 유전체 세라믹 및 이를 사용한 적층세라믹 부품 失效
标题翻译：电介质陶瓷组合物，电介质陶瓷和使用其的多层陶瓷部件
公开(公告)号：KR101050990B1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：KR1020057013670
申请日：2004-01-20
申请人： 우베 고산 가부시키가이샤
发明人： 이시토비신이치 , 후쿠다고이치 , 가와노다카후미 , 이바히사요시
IPC分类号： C04B35/44 , C04B35/16 , H01B3/12
CPC分类号： C04B35/20 , B32B18/00 , B32B2311/08 , C04B35/16 , C04B35/44 , C04B35/6264 , C04B35/63 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3445 , C04B2235/3463 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/80 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , H01B3/004 , H01B3/12 , H05K1/0306 , Y10T428/24926
摘要： 유전체 세라믹 조성물은 Ag 또는 Cu 와 같은 저 저항성 전도체와 동시에 소성 (燒成) 하여 빌트-인 (built-in) 또는 복수층 조직으로 형성될 수 있으며, 상기 유전체 세라믹 조성물은 800 ~ 1000 ℃ 에서 쉽게 제어할 수 있는 10 이하의 유전 상수 ε
r , 큰 Q xf
0
및 20 ppm/℃ 의 공진 주파수 f
0 의 온도 계수 τ
f 의 절대값을 가지는 유전체 세라믹으로 소성될 수 있다. 유전체 세라믹 조성물은 개별 성분의 몰분율 a, b, c, d 이 5.0 ≤ a ≤ 80.0 몰%, 5.0 ≤ b ≤ 70.0 몰%, 5.0 ≤ c ≤ 27.7 몰% 및 0 ≤ d ≤ 30.0 몰% (a + b + c + d = 100%) 를 만족시키는, 일반식 aZnAl
2 O
4 -bZn
2 SiO
4 -cTiO
2 -dZn
2 TiO
4 의 주성분의 100 중량부에 대하여 유리 성분의 5 ~ 150 중량부를 포함한다.
摘要翻译：的介电陶瓷组合物，并在同一时间低阻抗导体如Ag或Cu烧成（烧成）用内置（内置），或可以具有多个组织层，所述介电陶瓷组合物容易在800〜1000℃受控介电常数ε小于10

55. 发明授权

KR100981072B1 세라믹스 자기의 제조 방법, 세라믹스 자기 및 전자부품 失效
标题翻译：生产陶瓷，陶瓷和电子元件的工艺
公开(公告)号：KR100981072B1
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：KR1020087024265
申请日：2007-03-14
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 소신 덴키 가부시키가이샤
发明人： 오오부치타케시 , 오타기리타다시 , 이데요시노리
IPC分类号： C04B35/46 , C04B35/453
CPC分类号： C04B35/462 , C01G23/002 , C01G23/047 , C01G29/00 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/4686 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3262 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/78 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , H01L41/187 , H05K1/0306 , Y10T428/252
摘要： 세라믹스 분체 100중량부에 대해서 0.5중량부 이상, 30중량부 이하의 육방정계 셀시안 분체를 첨가해서 혼합물을 얻는다. 그리고, 이 혼합물을 소결시켜서 세라믹스 자기를 얻는 데에 있어서 세라믹스 자기 내에 침상의 단사정 셀시안을 석출시킨다.
세라믹스 자기

56. 发明公开

KR1020100087379A 혼합물 및 그로부터 제조된 높은 내수화성을 갖는 내화물 有权
标题翻译：具有高耐水性的混合和耐火制品
公开(公告)号：KR1020100087379A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：KR1020107012962
申请日：2008-12-10
申请人： 에보니크 데구사 게엠베하 , 테크니쉐 유니베르지태트 베르가카데미 프라이베르크-인스티투트 퓌르 케라미크, 글라스- 운트 바우스토프테크니크
发明人： 아네치리스,크리스토스게. , 클리펠,우베 , 톤트루프,크리스토프
IPC分类号： C04B35/66 , C04B35/14 , C04B35/043 , C04B35/634
CPC分类号： C04B35/013 , B82Y30/00 , C04B35/043 , C04B35/62665 , C04B35/63476 , C04B35/63496 , C04B35/66 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/321 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3272 , C04B2235/3418 , C04B2235/3826 , C04B2235/386 , C04B2235/3873 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/424 , C04B2235/425 , C04B2235/428 , C04B2235/483 , C04B2235/5409 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5454 , C04B2235/604 , C04B2235/96
摘要： 본 발명은
a) 평균 입자 직경이 2 내지 100 ㎚이고, BET 표면적이 30 m
2 /g 이상인, 1종 이상의 매우 미분된 이산화규소 분말,
b) 각 경우에 평균 입자 직경이 0.5 ㎛ 초과 내지 30 ㎜인, 산화물, 탄화물 및 질화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 미립자 성분,
c) 결합제로서 1종 이상의 합성 수지 및
d) 평균 입자 직경이 0.5 초과 내지 250 ㎛인 1종 이상의 금속성 산화방지제를 포함하는 혼합물; 상기 혼합물을 몰드에 도입하고, 적절한 경우 가압하고, 합성 수지가 열적으로 가교결합하는 온도로 가열하는, 성형체의 제조 방법; 이로부터 얻을 수 있는 성형체; 상기 성형체를 탄화시키는, 내화 성형체의 제조 방법; 및 이로부터 얻을 수 있는 내화 성형체에 관한 것이다.

57. 发明公开

KR1020100071051A 내화성 유리 세라믹 有权
标题翻译： REFRACTORY玻璃陶瓷
公开(公告)号：KR1020100071051A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020107006870
申请日：2008-08-27
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 빌,조지에치
IPC分类号： C03C10/00 , C03C10/04 , C03C3/32 , C03C4/00
CPC分类号： C03C10/0036 , C03B32/02 , C04B35/195 , C04B35/653 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3463 , C04B2235/36 , C04B2235/6562 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9607
摘要： A formation of internally nucleated glass ceramics articles that can be heated in the 1350-1450°C range for extended periods of time without significant deformation or change in shape is disclosed. The predominant crystal phase of these glass ceramics is celsian (BaAlSiO) or its strontium equivalent (SrAlSiO), or solid solutions or mixtures of these compositions, all belonging to the feldspar mineral group.
摘要翻译：公开了可在1350-1450℃范围内长时间加热而形成内部有核的玻璃陶瓷制品，而不会发生明显的变形或变形。这些玻璃陶瓷的主要结晶相是贝氏体（BaAlSiO）或其等价锶（SrAlSiO），或这些组合物的固溶体或混合物，均属于长石矿物组。

58. 发明公开

KR1020090082198A 반도체 자기 조성물과 그 제조 방법 无效
标题翻译：半导体陶瓷组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090082198A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：KR1020097008638
申请日：2007-10-26
申请人： 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
发明人： 시마다,타케시 , 토지,카즈야
IPC分类号： C04B35/46 , H01C7/02
CPC分类号： H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , H01C17/06533
摘要： This invention provides a semiconductor ceramic composition comprising BaTiO3, in which a part of Ba has been replaced with Bi-Na, which semiconductor ceramic composition can suppress the vaporization of Bi in a calcination process, can prevent a deviation of composition of Bi-Na to suppress the formation of a dissimilar phase, can realize a further reduction in electrical resistivity at room temperature, and can suppress a variation in Curie temperature, and a process for producing the same. Calcined powder of Ba(TiM)O3, wherein M represents an element which has been converted to a semiconductor, and calcined powder of (BiNa)TiO3 are provided separately from each other. The calcined powder of Ba(TiM)O3 is calcined at an optimal temperature which is a relatively high temperature. On the other hand, the calcined powder of (BiNa)TiO3 is calcined at an optimal temperature which is a relatively low temperature. According to the above constitution, the vaporization of Bi can be suppressed, and a deviation of composition of Bi-Na can be prevented to suppress the formation of a dissimilar phase. A semiconductor ceramic composition, which has low resistivity at room temperature and can suppress a variation in Curie temperature, can be produced by mixing these calcined powders together, molding the mixture, and sintering the molded product.
摘要翻译：本发明提供一种包含BaTiO3的半导体陶瓷组合物，其中Ba的一部分已被Bi-Na替代，该半导体陶瓷组合物可以在煅烧过程中抑制Bi的蒸发，可以防止Bi-Na的组成偏差抑制异相的形成，可以实现室温下电阻率的进一步降低，并且可以抑制居里温度的变化及其制造方法。 Ba（TiM）O 3的煅烧粉末，其中M表示已经转化为半导体的元素，（BiNa）TiO 3的煅烧粉末彼此分开设置。 Ba（TiM）O 3的煅烧粉末在相对较高温度的最佳温度下煅烧。另一方面，（BiNa）TiO 3的煅烧粉末在相对较低温度的最佳温度下煅烧。根据上述结构，可以抑制Bi的汽化，可以防止Bi-Na的组成偏差，抑制异相的形成。通过将这些煅烧粉末混合在一起，将混合物成型并烧结成型制品，可以制得室温下电阻率低且可以抑制居里温度变化的半导体陶瓷组合物。

59. 发明公开

KR1020090045234A 산화아연 소결체 및 그 제조방법, 스퍼터링 타겟 无效
标题翻译： ZINC氧化锡，其生产方法和喷射目标
公开(公告)号：KR1020090045234A
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：KR1020097002755
申请日：2007-08-06
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 후쿠시마히데코
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/453 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5409 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/3414 , H01L31/022483
摘要： 본 발명은 스퍼터링 타겟에 사용한 경우에 이상방전을 발생하지 않고, 비저항이 작은 투명전극을 얻을 수 있는 정도로 치밀한 산화아연 소결체를 얻는 것을 과제로 한다.
또한 본 발명은 ZnO에 Al을 첨가한 산화아연 소결체의 제조방법으로서, 제1의 ZnO 분말과 Al
2 O
3 분말을 배합하여 소성하는 가소분말 제조공정과, 이것에 의해 얻어진 가소분말과 제2의 ZnO 분말을 배합, 성형한 성형체를 형성하고, 이것을 소성하는 본소성공정으로 된다. 여기서, Al
2 O
3 분말과 ZnO 분말을 배합, 성형하여 소결체를 얻는 것이 아니라, 먼저 ZnAl
2 O
4 상을 포함하는 가소분말을 제조하고, 이 가소분말과 ZnO 분말을 배합, 성형, 소성하여 산화아연 소결체를 형성하는 것을 특징으로 한다.

60. 发明公开

KR1020080104176A 세라믹스 자기의 제조 방법, 세라믹스 자기 및 전자부품 失效
标题翻译：生产陶瓷，陶瓷和电子元件的工艺
公开(公告)号：KR1020080104176A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：KR1020087024265
申请日：2007-03-14
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 소신 덴키 가부시키가이샤
发明人： 오오부치타케시 , 오타기리타다시 , 이데요시노리
IPC分类号： C04B35/46 , C04B35/453
CPC分类号： C04B35/462 , C01G23/002 , C01G23/047 , C01G29/00 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/4686 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3262 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/78 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , H01L41/187 , H05K1/0306 , Y10T428/252
摘要： A process for the production of ceramic porcelains which comprises adding 0.5 to 30 parts by weight of hexagonal celsian powder to 100 parts by weight of ceramic powder and sintering the mixture to form a ceramic porcelain, wherein needle monoclinic celsian is made to deposit in the ceramic porcelain. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：一种陶瓷制造方法，其特征在于，向所述陶瓷粉末100重量份中加入0.5〜30重量份的六角形Celsian粉末，烧结所述混合物，形成陶瓷瓷，其中使用单斜晶系的丝素沉积在陶瓷瓷。 ®KIPO＆WIPO 2009

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